micropackaged devices microboitiers IN general purpose and switching transistor selector guide THOMSON-CSF guide de slection-transistors de commutation et usage gnral Case f 70-236 Ic 0,1...0,2A 0,5... 0,8A Type NPN PNP NPN PNP VcEO 12V BSV 52 SO 2894 15V SO 2369 BCW 31 BCW 29 20V BCW 32 BCW 30 BCW 33 25V BCX 20 BCX 18 BCF 32. BCF 29. SO 2221 30V BCF 33 BCF.30. SO 2222 . BCV 27** BCV 26** 32V BCW 60 BCW 61 BCW 65 BCW 67 40V SO 2221A SO 2906 SO 2222A SO 2907 BCW 71 BCW 69 BCX 19 BCX 17 BCW 72 BCW 70 BCW 66 BCW 68 45V BCW 81 BCF 81 BCF 70 BCX 70 BCX 71 SO 930 SO 1613* 50V SO 1711" $0 2484 SO 2906A 60V SO 2907A BCV 47** BCV 46** BCV 71 BCW 89 6ov BCV 72 80V BSS 64 SO 1893 100V BSS 63 120V SO 5400 140V SO 5550 150V SO 5401 160V SO 5551 250V BFN 22 BFN 23 300V SO 642 SO 692 Fast switching BSV 52 Commutation rapide NB: Most signal transistors and diodes in our general catalog can be 50 2484 Low noise supplied in TO 236 case. Please, consult your nearest sales office. Faible bruit La majorit des diodes et des transistors de signal de notre ca talogue | peut tre fournie en boitier T0236. Consulter nos services VoeR ** Darlington commerciaux. 219 22222 IN n channel field effect transistors @ . x THOMSON-CSF transistors 4 effet de champ canal n Types Mier) ass fiass| tpss | Vas oft ps on|toff (C118 crass Y218 Fg @f [Marking* | Pin out min max [min max [min max] max [max | max [| max jmin max |[max (Vv) (nA) {| (mA) (Vv) Q) (mS) [|(dB) (MHz) SO 4416 30 0.1 | 5 15 - 6 (45 75/14 400 |Fol BFR 30 {R) 25 4 10 - fh 4 (1) MI (F13) BFR 31 (R) 25 145 - 2,5 pis 45 (1) M2 (F14) SO 245 A (R) 30 2 6,51-0,5 - 8 3 6,5 F 21 (F24)} SO 245 B (R) 30 6 15 +0,5 - 8 43 6,5 F 12 (F20) SO 245 C (R) 30 12 265 [0,5 - 8 3 6,5 F 25 (F26) SO 3966 30 2 14 - 6 FO9 (F29)} BSR 56 40 50 -4 -10 M4 BSR 57 40 20 100 -2 -6 M5 BSR 58 40 : 8 80 108 - 4 M6 SO 4091 (R) 40 0,2 | 30 15-10 FO2 (F22) SO 4092 (R) 40 02-4 15 12 - 7 F10 (F30) SO 4093 (R) 40 02] 8 H1 5 F11 (F31) SO 4391 (R) 40 0,1 | 50 150 -4 -10 F03 (F23) SO 4392 (R) 40 00] 25 75 -2 -5 FO? (F27) SO 4393 (R) 40 0,4 5 30 -0,5 - 3 FO8 (F28} SO 5432 (R) 25 0,2 }150 4-10 F15 (F16) SO 5433 (R) 25 Q;2.-}100 +3 - 9 F17 (F18) SO 5434 (R) 25 0,2 1 30 11 - 4 F19 (F32} _ _ _ . * Marking into brackets, refer to reverse pin configuration R . Typical value (1) Vy llp = 201A Vpg = 10V f= 0,6...100 Hz): max 0,5 uN Marquage entre parenthses : se rfrer au brochage R 5: Valeur typique darli general purpose darlington . Zz f darlington usage gnral Types Maximum Characteristics at 25C ratings NPN PNP Prou]/Yceolhaie @ te | Vce(sat) @ Ic/Ip | fr [C2ap | Fs jtore | Marking Pin out 1 kHz min max max min {max | max max (mw) (V) (mA) (Vv) (mA) [{MHz)} (pF) | (dB) [(ns) SO 517 350 | 30 | 30K 100 1 100/1 | 2208 | 3,58 N94 BCV 27 350 30 | 20K 100 1 100/1 | 2008 } 3,58 FD c BCV 26 350 A 20K 100 1 100/1 | 2008 | 3,58 FF E BCV 47 350 | 60-7] 10K 100 1 100/1 | 2008 | 3,58 FE SS BCV 46 350 |. 60 | 10K 100 1 100/1 | 2008 [| 3,58 FG B : Typical value - Va/eur typique N : New product - Nouveau produit e thyristors thyristors Types Maximum ratings Characteristics at 25C VpRM | VRRM [ltrms ITSM Toper IGT di/dt | dv/dt tg Marking* Pin out T; = J tp =10 ms T, = 25C 25C Te = 25C max max typ typ (A) (A) (C) (mA) (A/us) [(V/us) lus) SO BRY 55.30(R) 0,45 4 -40 + 125 0,2 100 10 8 D 52 (D65) SO BRY 55.60(R) 0 0,45 4 -40+ 125 0,2 100 10 8 D 66 (D67) A K SO BRY 55.100(R) Fe 1 0,45 4 -40+ 125. 0,2 100 10 8 D 78 (079) SO BRY 55.200(R)E 2 -1 0,45 4 -40 + 125 0,2 100 10 8 D 87 (D82) GN * Marking into brackets, refer to reverse pin configuration R. A G Marquage entre parenthses, se rfrer au brochage R. K (Rn)