SFH 203
SFH 203 FA
Semiconductor Group 382
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
Typ (*vorher)
Type (*formerly) Bestellnummer
Ordering Code
SFH 203
(*SFH 2030) Q62702-P955
SFH 203 FA
(*SFH 2030 F) Q62702-P956
SFH 203
SFH 203 FA
Ma
β
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feof6645 feo06645
Wesentliche Merkmale
●
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 203) und bei 880 nm (SFH 203 FA)
●
Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
●
5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
●
Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
●
Industrieelektronik
●
“Messen/Steuern/Regeln”
●
Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●
LWL
Features
●
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 203) and of
880 nm (SFH 203 FA)
●
Short switching time (typ. 5 ns)
●
5 mm LED plastic package
●
Also available on tape
Applications
●
Industrial electronics
●
For control and drive circuits
●
Photointerrupters
●
Fiber optic transmission systems
10.95
SFH 203
SFH 203 FA
Semiconductor Group 383
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
– 55 ... + 100
o
C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t
≤
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
≤
3 s)
T
S
230
o
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
50 V
Verlustleistung
Total power dissipation
P
tot
100 mW
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 203 SFH 203 FA
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K,
V
R
= 5 V
,
λ
= 950 nm
, E
e
= 1 mW/cm
2
S
S
80 (
≥
50)
–
–
50 (
≥
30)
nA/Ix
µ
A
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
850 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
λ
400 ...1100 800 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
11 mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L
x
B
L
x
W
1 x 1 1 x 1 mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H
4.0 ... 4.6 4.0 ... 4.6 mm
SFH 203
SFH 203 FA
Semiconductor Group 384
Halbwinkel
Half angle
ϕ±
20
±
20 Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 20 V
Dark current
I
R
1 (
≤
5) 1 (
≤
5) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
λ
= 850 nm
Spectral sensitivity
S
λ
0.62 0.59 A/W
Quantenausbeute,
λ
= 850 nm
Quantum yield
η
0.89 0.86 Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
V
O
V
O
420 (
≥
350)
–
–
370 (
≥
300)
mV
mV
Kurzschlu
β
strom
Short-circuit current
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
I
SC
I
SC
80
–
–
25
µ
A
µ
A
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50 Ω; VR = 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr, tf55 ns
Durchlaβspannung, IF = 80 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 1.3 V
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance C011 11 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 – 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Normlicht/standard light A
λ = 950 nm
TCI
0.18
––
0.2
%/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 20 V, λ = 850 nm
NEP 2.9 x 10–14 2.9 x 10–14 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm
Detection limit D* 3.5 x 1012 3.5 x 1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 oC)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 203 SFH 203 FA
SFH 203
SFH 203 FA
Semiconductor Group 385
Relative spectral sensitivity SFH 203
Srel = f (λ)
Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit-voltage VL= f (Ee)
SFH 203 FA
Relative spectral sensitivity SFH 203 FA
Srel = f (λ)
Total power dissipation Ptot = f (TA)
Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit-voltage VO = f (Ev)
SFH 203
Dark current
IR = f (VR), E = 0
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Semiconductor Group 386
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
Wesentliche Merkmale
●
Speziell geeignet für Anwendungen im Be-
reich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 203 P)
und bei 880 nm (SFH 203 PFA)
●
Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
●
5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
Anwendungen
●
Industrieelektronik
●
“Messen/Steuern/Regeln”
●
Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●
LWL
Features
●
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 203 P) and of
880 nm (SFH 203 PFA)
●
Short switching time (typ. 5 ns)
●
5 mm LED plastic package
Applications
●
Industrial electronics
●
For control and drive circuits
●
Photointerrupters
●
Fiber optic transmission systems
Typ (*vorher)
Type (*formerly) Bestellnummer
Ordering Code
SFH 203 P
(*SFH 217) Q62702-P946
SFH 203 PFA
(*SFH 217 F) Q62702-P947
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Ma
β
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feo06644feof6644
10.95
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Semiconductor Group 387
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
– 55 ... + 100
o
C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t
≤
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
≤
3 s)
T
S
300
o
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
50 V
Verlustleistung
Total power dissipation
P
tot
100 mW
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 203 P SFH 203 PFA
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
V
R
= 5 V
,
λ
= 950 nm
, E
e
= 1 mW/cm
2
S
S
9.5 (
≥
5)
–
–
6.2 (
≥
3.6)
nA/Ix
µ
A
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
850 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
λ
400 ... 1100 750 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
11 mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L
x
B
L
x
W
1 x 1 1 x 1 mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H
0.4 ... 0.7 0.4 ... 0.7 mm
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Semiconductor Group 388
Halbwinkel
Half angle
ϕ±
75
±
75 Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 20 V
Dark current
I
R
1 (
≤
10) 1 (
≤
10) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
λ
= 850 nm
Spectral sensitivity
S
λ
0.62 0.59 A/W
Quantenausbeute,
λ
= 850 nm
Quantum yield
η
0.89 0.86 Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
V
O
V
O
350 (
≥
300)
–
–
300 (
≥
250)
mV
mV
Kurzschlu
β
strom
Short-circuit current
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
I
SC
I
SC
9.3
–
–
3.0
µ
A
µ
A
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 20 V;
λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr, tf55 ns
Durchlaβspannung, IF = 80 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 1.3 V
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance C011 11 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 – 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Normlicht/standard light A
λ = 950 nm
TCI
0.18
––
0.2
%/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 20 V, λ = 850 nm
NEP 2.9 x 10–14 2.9 x 10–14 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm
Detection limit D* 3.5 x 1012 3.5 x 1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 oC)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 203 P SFH 203 PFA
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Semiconductor Group 389
Relative spectral sensitivity SFH 203 P
Srel = f (λ)
Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit-voltage VO = f (Ee)
SFH 203 PFA
Relative spectr. sensitivity SFH 203 PFA
Srel = f (λ)
Total power dissipation Ptot = f (TA)
Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit-volt. SFH 203 P VO = f (Ev)
Dark current
IR = f (VR), E = 0
Capacitance
C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
