SFH 203 SFH 203 FA SFH 203 SFH 203 FA feof6645 feo06645 Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 203) und bei 880 nm (SFH 203 FA) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehause Auch gegurtet lieferbar Features Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 203) and of 880 nm (SFH 203 FA) Short switching time (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package Also available on tape Anwendungen Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln" Schnelle Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb LWL Applications Industrial electronics For control and drive circuits Photointerrupters Fiber optic transmission systems Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code SFH 203 (*SFH 2030) Q62702-P955 SFH 203 FA (*SFH 2030 F) Q62702-P956 Semiconductor Group 382 10.95 SFH 203 SFH 203 FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 55 ... + 100 oC Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) TS 230 oC Sperrspannung Reverse voltage VR 50 V Verlustleistung Total power dissipation Ptot 100 mW Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 203 SFH 203 FA S 80 ( 50) - nA/Ix S - 50 ( 30) A Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 850 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax 400 ...1100 800 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 1 1 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area LxB 1x1 1x1 mm Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface H 4.0 ... 4.6 4.0 ... 4.6 mm Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, VR = 5 V, = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2 Semiconductor Group LxW 383 SFH 203 SFH 203 FA Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 203 SFH 203 FA Einheit Unit Halbwinkel Half angle 20 20 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current IR 1 ( 5) 1 ( 5) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity S 0.62 0.59 A/W Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield 0.89 0.86 Electrons Photon Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm VO 420 ( 350) - mV VO - 370 ( 300) mV Kurzschlustrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm ISC 80 - A ISC - 25 A Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL= 50 ; VR = 20 V; = 850 nm; Ip = 800 A tr, tf 5 5 ns Durchlaspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 11 11 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV - 2.6 - 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A = 950 nm TCI Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, = 850 nm Nachweisgrenze, VR = 20 V, = 850 nm Detection limit Semiconductor Group %/K 0.18 - - 0.2 NEP 2.9 x 10-14 2.9 x 10-14 W Hz D* 3.5 x 1012 3.5 x 1012 cm * Hz W 384 SFH 203 SFH 203 FA Relative spectral sensitivity SFH 203 Srel = f () Relative spectral sensitivity SFH 203 FA Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Srel = f () Open-circuit-voltage VO = f (Ev) SFH 203 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit-voltage VL= f (Ee) SFH 203 FA Total power dissipation Ptot = f (TA) Directional characteristics Srel = f () Semiconductor Group 385 Dark current IR = f (VR), E = 0 SFH 203 P SFH 203 PFA SFH 203 P SFH 203 PFA feof6644 feo06644 Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 203 P) und bei 880 nm (SFH 203 PFA) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehause Features Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 203 P) and of 880 nm (SFH 203 PFA) Short switching time (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package Anwendungen Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln" Schnelle Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb LWL Applications Industrial electronics For control and drive circuits Photointerrupters Fiber optic transmission systems Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code SFH 203 P (*SFH 217) Q62702-P946 SFH 203 PFA (*SFH 217 F) Q62702-P947 Semiconductor Group 386 10.95 SFH 203 P SFH 203 PFA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 55 ... + 100 oC Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) TS 300 oC Sperrspannung Reverse voltage VR 50 V Verlustleistung Total power dissipation Ptot 100 mW Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 203 P SFH 203 PFA S 9.5 ( 5) - nA/Ix S - 6.2 ( 3.6) A Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 850 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax 400 ... 1100 750 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 1 1 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area LxB 1x1 1x1 mm 0.4 ... 0.7 0.4 ... 0.7 mm Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K VR = 5 V, = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2 LxW Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface H Semiconductor Group 387 SFH 203 P SFH 203 PFA Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 203 P SFH 203 PFA Einheit Unit Halbwinkel Half angle 75 75 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current IR 1 ( 10) 1 ( 10) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity S 0.62 0.59 A/W Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield 0.89 0.86 Electrons Photon Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm VO 350 ( 300) - mV VO - 300 ( 250) mV Kurzschlustrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm ISC 9.3 - A ISC - 3.0 A Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL= 50 ; VR = 20 V; = 850 nm; Ip = 800 A tr, tf 5 5 ns Durchlaspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 11 11 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV - 2.6 - 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A = 950 nm TCI Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, = 850 nm %/K 0.18 - - 0.2 NEP 2.9 x 10-14 2.9 x 10-14 W Hz Nachweisgrenze, VR = 20 V, = 850 nm Detection limit D* 3.5 x 1012 3.5 x 1012 cm * Hz W Semiconductor Group 388 SFH 203 P SFH 203 PFA Relative spectral sensitivity SFH 203 P Srel = f () Relative spectr. sensitivity SFH 203 PFA Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Srel = f () Open-circuit-volt. SFH 203 P VO = f (Ev) Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit-voltage VO = f (Ee) SFH 203 PFA Total power dissipation Ptot = f (TA) Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Directional characteristics Srel = f () Semiconductor Group Dark current IR = f (VR), E = 0 389