Transistor NPN silicium Planar NPN silicon transistor Planar 2N 1990 -Commutation faible courant Low current swintching -Commande des tubes nixies Nixie driver Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot (w) 15 \e 1 1 1 oo of i PS temblC) (1) ol tcase(*C) (2) 0 50 100 150 200 *K Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features Vepo 100 V Boitier TO -39 Case Le collecteur est reli au boitier Collector is connected to case Absolute ratings {limiting values) Valeurs limites absolues d'utilisation 4 tamp=25C ; (Sauf indications contraires ) {Unless otherwise Paramave | Paranuter Tension cotlecteur-base Vv Collector-base voltage CBO 100 v Tension metteur-base Emitter-base voltage VERO 3 v = 0 a / tamb= 2 c(1) 0,6 Dissipation de puissance P. Power dissipation =95C12 tot Ww tcase= (2) 2 Temprature de jonction max t 150 c Junction temperature J Temprature de stockage min t - 65 c Storage temperature max stg +150 et. Sexe seny 1970 - 07 - 1/2 2N 1990 Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics (Sauf indications contraires ) {Unless otherwise specified} Caractristiques statiques Static characteristics | . Pe Me . os Peremeter a Ig =-1 OA Vop=75 V 10 CcE Courant rsiduel collecteur-metteur a Collector-emitter cut-off current lp _ 250 HA IcEX Voe=75 V 250 tamir 150C Valeur statique du rapport du transfert Ig =30mA * direct du courant Vnc=10V hote 20 Static forward current transfer ratio CE Tension de saturation collecteur-metteur Ic =2mA Vv Collector-emitter saturation voltage Ig =0,2 mA CEsat 0,5 Tension de saturation base-metteur To =2mA Vv 1 Base-emitter saturation voltage 'g =0,2 mA BEsat * Impulsions t_=300us & < 2% Pulsed P 2/2