PNP SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR BC 636 TRANSISTOR PNP SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL BC 638 BC 640 Compl. of BC 635, BC 637, BC 639 - Driver stages of audio amplifiers Etages Drivers damplificateurs BF -45V BC 636 VcEo -60V BC 638 -80V BC 640 40-250 BC 636 ho1(150 mA) {40-160 BC 638 40-160 BC 640 Maximum power dissipation Plastic case F 139 B See outline drawing CB-76 on last pages Dissipation de puissance maximale B8oitier plastique Voir dessin cott CB-76 dernires pages Prot (Ww) N 0,6 1 \ "CF 0,4 \ p \ Bottom view 0,2 Vue de dessous 0 Weight : 0,3 g. 60 100 150 200 TamplC) Masse ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) 7. 425C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION amb (Sauf indications contraires} BC 636 BC 638 BC 640 Collector-base voitage Vv - Tension collecteur-base cBO 45 60 100 Vv Collector-emitter voltage Vv 7 o Tension collecteur-metteur ceo 45 60 80 Vv Collector-emitter voltage = Vv _ Tension callecteur-metteur Ree Vk CER 45 60 100 v Collector-emitter voltage = _ _ Tension collecteur-metteur Ree =0 Voces 45 60 100 v Emitter-base voltage Vv oJ os Tension metteur-base EBO 5 5 5 Vv Collector current | Courant collecteur c -1 -1 -1 A Peak collector current l _ Courant de crte de collecteur cM 15 15 1,5 A Power dissipation Prot 08 08 08 Ww Dissipation de puissance Junction temperature 7 Temprature de jonction max, Tj 150 150 150 c Storage temperature min. T 65 65 65 c Temprature de stockage max. stg +150 +150 +150 76-26 1/3 THOMSON-CSF [DMBION SEMICONDUCTEURS. 423 BC 636, BC 638, BC 640 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) (Saut indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veg = -30V 1-89 -100 nA E = Collector-base cut-off current I Courant rsiduel collecteur-base Veg =-30V CBO Ie =0 10 BA Tj = 150C Emitter-base cut-off current Veg =-5V I ; Courant rsidue! metteur-base Ip =0 EBO 10 BA Veg =72V 25 lo =S.mA Static forward current transfer ratio Vce =-2V BC 636 40 250 Valeur statique du rapport de transfert _o howe BC 638 40 160 | 150 mA direct du courant c= BC 640 50 160 Vee = -2V Veg = 600 mA 26 CE = m . . I = ~500 mA Collector-emitter saturation voltage Cc Vv Tension de saturation collecteur-metteur Ig =-50mA CEsat -0,5 v . I = 500 mA Base-emitter voltage Cc = Vv, _ Tension base-metteur Voce = -2V BE ' Vv DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Vee =-5V Transition frequency =- f Frquence de transition tc _ x me T 50 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermal resistance Rape Rsistance thermique (jonctionembiante) th(j-a) 156 c/w Junction-case thermal resistance Rehij-c} 60 C/W Rsistance thermique {(jonction-boi tier) 2/3 424 BC 636, BC 638, BC 640 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES Veesat {v) 0,5 0 05 1 1,5 Ig(ma} 0 0,5 1 1,5 tg fA) {mA) 400 0 2 1 2 468 2 2 468 0 0,5 1 15 Vpelv) 10 10 10 Ig{ma) 3/3 425