NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL 2N 5179 - Low noise tuned amplifiers UHF converters Oscillators up to 500 MHz - Amplificateurs accords faible bruit Convertisseurs UHF Oscillateurs jusqua 500 MHz Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale Veceo 12V ho1(3mA) 25 - 250 hoqell kHz) 25 - 300 Case TO-72 See outline drawing CB-4 on last pages Voir dessin cot CB-4 dernires pages Boitier Prot (w) 0,3 Bottom view I (2) Vue de dessous I N 0,2 rm ON M ' PrN o1{ Lt) Sa. c OS E I NY B l o LL al Weight : 0,7 g. Connection M is connected to case 9 25 50 100 160 (1) amb (C) Masse La connexion M est relie au boitier (2)T (c) case ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T =+25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb {Sauf indications contraires) Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base cBo 20 v Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur ceo 12 v Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 2.5 v Collector current Courant coltecteur le 50 mA Power dissipation Tamb = 28C Pp 0,2 w Dissipation de puissance Tease = 28C tot 0,3 Ww Junction temperature Temprature oe jonction max. 7; 200 c Storage temperature min T 65 c Temprature de stockage max. stg +200 C THOMSON-CSF 76-19 7 (OMSION SEMICONDUCTEURS:2N 5179 STATIC CHARACTERISTICS =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb (Saut indications contraires) Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veg =15V 20 nA le =0 Collector-base cut-off current lopo Courant rsiduel collecteur-base Veg =15V * Ie =0 1 BA Tamb~ 150C I =1pA Collector-base breakdown voltage Cc Vv Tension de claquage collecteur-base le = (BR)CBO 20 v Collector-emitter breakdown voltage Ig =3mA Vv, Tension de claquage collecteur-metteur t B = 0 CEO(sus) 12 v . | =10 pA Emitter-base breakdown voltage E Vv Tension de claquage 4metteur-base lo =0 (BR)EBO 25 Vv Static forward current transfer ratio Veep =lV Valeur statique du rapport de transfert | cE =3mA hq E 25 250 direct du courant c Collector-emitter saturation voltage Ig =10mA VeeEsat 0,4 Vv Tension de saturation collecteur-metteur Ip =tmA Base-emitter saturation voltage Io =10mA Vag 1 V Tension de saturation bese-metteur Ip =1mA sat DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Vee =6V cE Iq =2mA 25 300 f =1kHz Forward current transfer ratio hoy Rapport de transfert direct du courant fle Voge =6V lo = 5mA 9 20 f = 100 kHz ay 2822N 5179 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for smail signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) (Unless otherwise stated) (Saut indications contraires} Test conditions -_ Conditions de mesure Min. Typ. Max. =10V Output capacitance Vos _ Co95 1 F Capacit de sortie fe = 0 p 0,1 MHz 500 MHz (fig. 2) THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermal resistance Rens: : Rsistance thermique (jonction-ambiante) th(j-a) 875 c/w Junction-case thermal resistance Rang Rsistance thermique (jonction-boitier) thii-c) 583 C/W 3/7 2832N 5179 Figure 1: Power gain and noise figure measure (200 MHz) Mesure du gain en puissance et du facteur de bruit 8 200 MHz 1-5 pF L3 502 Be Hl | ~ 8 0,001 KF J u2nF | 2nF NEUTRALISATION PROCEDURE Connect a 50 2 200 MHz generator amplifier input and adjust generator to provide an amplifier output of 5 mV. Tune C2, C6 and C7 for maximum amplifier output. Readjust generator to maintain a 5 mV amplifier output. Interchange connections to generator and RF voltmeter Adjust Cry for a minimum indication at amplifier input Repeat steps 1, 2, 3 and 4 to determine if retuning is necessary. NEUTRODYNATION DU CIRCUIT Attaquer lamplificateur avec un gnrateur 50 Q 200 MHz et rgier son niveau pour obtenir mV en sortie. 2- Rgler C2, C6 et C7 pour obtenir le niveau de sortie maximum. Maintenir ce niveau & 5 mV & aide du gnrateur 3- A fa sortie de Vamplifi avec fe g eto her fe voitmtre HF & entre 4 Rgler Cy pour avoir le niveau minimum a Ientre de lamplificateur 5- Reprendre les points 1, 2, 3 et 4 pour rajustement ventuel. 4l7 2842N 5179 Figure 2: 500 MHz power output measure Mesure de la puissance de sortie 4 500 MHe ArvryYn._f Note 2 75 pF RFC 50 pF F Output u1 t Sortie Note 3 RFC XN See note 1 2200 2 1000 pF i Note 2 1000 pF x Voir note 1 RFC Vec is Note 1 ; Coaxial-line output network consisting of : 2 general radio type 874 TEE or equivalent 1 general radio type 874-D20 adjustable stub or equivalent 1 general radio type 874-LA adjustable line or equivalent 1 general radio type 874-WN3 short-circuit termination or equivalent Note2: RFC=0,2uH Note3; Lead number 4 (case) floating 1 + 2 turns # 1GAWG wire, 3/8 inch OD, 1 1/4 inch long Note 1: La ligne de sortie coaxiale comprend : 2ts gnral radio 874 TEE ~ 1 adaptateur general radio 874-D20 1 ligne ajustable general radio 874-LA 1 court-circuit general radio 874 WN3 ou quivalent Note2: RFC =0,2 nH Note 3: Connexion de boitier (n 4) non connecte ki + 2 Spires fil de 1,5 mm, diamtre 10 mm, longueur 32 mm. note Vv CE 30 25 20 15 10 0 8 10 15 20 25 30 igtma 5/7 2852N 6179 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES 116 bite (mS) 922 226 (ms) 15 3 10 2 5 1 0 0 0 5 10 15 Igima) 0 5 10 15 Igima) 321e b 2te | vig =6V (ms) | OF = 200 MHz 75 amb = 25C 50 25 ite 0 5 10 igima) 0 5 10 15 gina) 6/7 2862N 5179 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES 914 bay (mS) 12 0 50 100 200 500 f(MHz) 200 400 600 800 f(MHz) 22e 9520] v (mS) 2 922e 0 50 100 200 500 #(MHz) Pi 26 (ms) -1 2 3 4 5 50 100 200 500 *(MHz) WT 287