Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter 1.1 0.9 6.7 6.2 0...5 0.2 0.1 0...0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BPW 34 FS Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm feo06861 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.8 0.2 Cathode lead GEO06863 Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Speziell geeignet fur Anwendungen bei 950 nm kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) geeignet fur Vapor-Phase Loten und IR-Reflow-Loten BPW 34 FS: Ersatz fur BP 104 BS Features Especially suitable for applications of 950 nm Short switching time (typ. 20 ns) Suitable for vapor-phase and IR-reflow soldering BPW 34 FS: replacement for BP 104 BS Anwendungen IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeraten, Videorecordern, Geratefernsteuerungen Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb Applications IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape recorders, remote controls of various equipment Photointerrupters Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPW 34 FS Q62702-P1604 Semiconductor Group 1 1997-11-19 BPW 34 FS Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 85 C Sperrspannung Reverse voltage VR 32 V Verlustleistung, TA = 25 C Total power dissipation Ptot 150 mW Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2 S 50 ( 30) A Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 950 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax 800 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 7.00 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area LxB 2.65 x 2.65 mm Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface H 0.3 mm Halbwinkel Half angle 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 2 ( 30) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity S 0.59 A/W Semiconductor Group 2 Kennwerte (TA = 25 C, = 950 nm) Characteristics LxW 1997-11-19 BPW 34 FS Kennwerte (TA = 25 C, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Quantenausbeute Quantum yield 0.77 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2 Open-circuit voltage VO 330 ( 275) mV Kurzschlustrom, Ee = 0.5 mW/cm2 Short-circuit current ISC 25 A Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL= 50 ; VR = 5 V; = 850 nm; Ip = 800 A tr, tf 20 ns Durchlaspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 72 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV - 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.18 %/K Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V NEP 4.3 x 10- 14 W Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V Detection limit D* 6.2 x 1012 cm * Hz W Semiconductor Group 3 1997-11-19 BPW 34 FS Relative spectral sensitivity Srel = f () Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit-voltage VO = f (Ee) OHF00368 100 OHF01097 A 10 4 mV 10 2 10 3 10 3 P S rel % Total power dissipation Ptot = f (TA) VO OHF00958 160 mW Ptot 140 80 VO 100 60 10 1 10 2 P 40 120 80 60 10 0 10 1 40 20 20 0 700 800 900 1000 nm 10 -1 0 10 1200 10 2 W/cm 2 10 0 10 4 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 OHF00080 4000 0 0 20 40 60 Ee Dark current IR = f (VR), E = 0 R 10 1 Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 OHF00081 100 C pA 80 C 100 TA OHF00082 10 3 R nA pF 80 10 2 3000 70 60 2000 10 1 50 40 30 10 0 1000 20 10 0 0 5 10 15 V VR 0 -2 10 20 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VR 10 -1 0 20 40 60 80 C 100 TA Directional characteristics Srel = f () 40 30 20 10 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1997-11-19