Semiconductor Group 1 1997-11-19
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter BPW 34 FS
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen
bei 950 nm
●kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
●geeignet für Vapor-Phase Löten und
IR-Reflow-Löten
●BPW 34 FS: Ersatz für BP 104 BS
Anwendungen
●IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Gerätefernsteuerungen
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
BPW 34 FS Q62702-P1604
Features
●Especially suitable for applications
of 950 nm
●Short switching time (typ. 20 ns)
●Suitable for vapor-phase and IR-reflow
soldering
●BPW 34 FS: replacement for BP 104 BS
Applications
●IR remote control of hi-fi and TV sets,
video tape recorders, remote controls of
various equipment
●Photointerrupters
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
4.5
4.3
4.0
3.7 1.5
1.7
0.9
0.7
Photosensitive area Cathode lead
GEO06863
0.3
6.7
6.2
1.2
1.1
0...0.1
Chip position
0...5˚
0.2
0.1
1.1
0.9
2.65 mm x 2.65 mm
1.8
±0.2
feo06861
BPW 34 FS
Semiconductor Group 2 1997-11-19
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 85 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR32 V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 150 mW
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2
S50 (≥ 30) µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 950 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ800 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A7.00 mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
2.65 ×2.65 mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H0.3 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±60 Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current IR2 (≤ 30) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity Sλ0.59 A/W
BPW 34 FS
Semiconductor Group 3 1997-11-19
Quantenausbeute
Quantum yield η0.77 Electrons
Photon
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2
Open-circuit voltage VO330 (≥ 275) mV
Kurzschluβstrom, Ee = 0.5 mW/cm2
Short-circuit current ISC 25 µA
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL= 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr,tf20 ns
Durchlaβspannung, IF= 100 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 V
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C072 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
TCI0.18 %/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 10 V
NEP 4.3 ×10– 14 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR= 10 V
Detection limit D* 6.2 ×1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
BPW 34 FS
Semiconductor Group 4 1997-11-19
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
OHF01402
90
80
70
60
50
40 30 20 10
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
ϕ
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100 0
0
0
Relative spectral sensitivity
Srel =f (λ)
Dark current
IR=f (VR), E = 0
Photocurrent IP=f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit-voltage VO=f (Ee)
Capacitance
C=f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Total power dissipation Ptot =f (TA)
Dark current
IR=f (TA), VR= 10 V, E = 0
λ
OHF00368
0
rel
S
700
20
40
60
80
%
100
nm
800 900 1000 1200
0
OHF00080
Ι
R
R
V
0 5 10 15 V 20
1000
2000
3000
4000
pA
E
OHF01097
e
0
10
P
Ι
10
1
10
2
10
4
10
-1
10
0
10
1
10
2
4
10
3
10
2
10
1
10
10
0
V
O
µ
AmV
Ι
P
V
O
3
10
µ
W/cm
2
V
OHF00081
R
-2
10
C
0
-1
10
0
10
1
10
2
10V
10
20
30
40
50
60
70
80
pF
100
T
OHF00958
A
0
tot
P
020 40 60 80 ˚C 100
mW
20
40
60
80
100
120
140
160
T
OHF00082
A
-1
10 0
R
Ι
10
0
10
1
10
2
10
3
nA
20 40 60 80 ˚C 100
