<a BF 457 - BF 458 - BF 459 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar Transistors Anwendung: Video-Endstufen in Schwarz-Wei- und Farb-FS-Geraten Application: Video output stages in black and white and colour TV receivers < CT) oa c J x 2 ij 0 =] a Zz bh HJ os ) oj 2 4 Besondere Merkmale: Features: @ Hohe Sperrspannung @ High reverse voltage @ GroBe Sicherheit gegen Belastungen, @ High protection against load which die bei Bildrhren-Uberschlagen auftreten could occur by picture tube flash over k6nnen voltage @ Verlustleistung 1,22 W @ Power dissipation 1.2 W Vorlaufige technische Daten - Preliminary specitications Abmessungen in mm Dimensions in mm i 2e | , t i { et Pob AI 125 Kollektor mit metallischer Montageflache verbunden Collector connected with metallic surface Zubehor Accessories N ha ormgehduse lsolierscheibe Case Isolation washer Host NY. 119880 JEDEG 10 126 SOT 82 Unterlagscheibe ., Gewicht - Weight Washer 3,2 DIN 125A max. 0,8 g Absolute Grenzdaten BF 457 BF 458 BF 459 Absolute maximum ratings Kollektor-Basis-Sperrspannung UcBo 160 250 300 Vv Collector-base voltage Kollektor-Emitter-Sperrspannung UcEO 160 250 300 Vv Collector-emitter voltage Emitter-Basis-Sperrspannung VEeBoO 5 Vv Emitter-base voltage Kollektorstrom Io 100 mA Colfector current B 2/V.2.515/0875 A 1 267 Not for new developments BF 457 - BF 458 - BF 459 Kollektorspitzenstrom Collector peak current Basisstrom Base current Gesamtverlustleistung Total power dissipation lamb = 25C case = 90C Sperrschichttemperatur Junction temperature Lagerungstemperaturbereich Storage temperature range Anzugsdrehmoment Tightening torque Warmewiderstande Thermal resistances Sperrschicht-Umgebung Junction ambient Sperrschicht-Gehause Junction case Statische Kenngr8en DC characteristics lamb = 25C Kollektorreststrom Collector cut-off current Ucs = 100V Emitterreststrom Emitter cut-off current Upp =3V ') mit M3-Schraube und Zahnscheibe with screw M3 and lock washer 268 BF 457 BF 458 BF 459 Best. Nr. 119881 lom 300 mA Ip 50 mA Prot 1,2 Ww Prot 6 w fj 150 C fstg -55 ... +150 C My') 70 cmN Min. Typ. Max. Renda 104 C/W Rinse 10 C/W IoBo 50 nA IcBo 50 nA Icpo 50 nA BF 457 - BF 458 - BF 459 Min. Typ. Max. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung Collector-base breakdown voltage Io = 100 pA BF 457 UBR)CBO 160 BF 458 UBR)CBO 250 BF 459 UBR)CBO 300 <<< Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung Collector-emitter breakdown voltage 5 Ic =10mA BF 457 UBR)CEO > 160 Vv BF 458 UBR)CEO ) 250 BF 459 UBR)CEO 2) 300 << Emitter-Basis-Durchbruchspannung Emitter-base breakdown voltage Te = 100 pA UBRJEBO 5 Vv Kollektor-Sattigungsspannung Collector saturation voltage Io = 30 mA, Ip =6mA UcEsat 1 Vv Kollektor-Basis-Gleichstromverhaltnis DC forward current transfer ratio Ucge = 10V, Ig = 30 mA Age) 25 Dynamische KenngroBen AC characteristics lamb = 25C Transitfrequenz Gain bandwidth product Ugg = 10 V, Ig = 15 mA, f = 20 MHz ST 90 MHz Rickwirkungskapazitat Feedback capacitance Uce = 30V, Ip = 1 mA, f = 1 MHz Cure 4,2 pF Kollektor-Basis-Kapazitat Collector-base capacitance UcB = 80 V, f = 1 MHz CcosBo 5,5 pF Kollektor-Emitter-Kniespannung Collector-emitter knee voltage Iq = 40 mA, Re = 100 Q, Ro = 4kO, f = 0,5 MHz, 4 = 150C Ucekn) 20 Vv 'P ) B= 0,01, fp = 0,3 ms *) Kollektor-Emitter-Kniespannung Ucekn Spannung, bei der die Kurzschlu8-Vorwartssteilheit [fe | aut den 0,8-fachen Wert der KurzschiuB-Vorwartssteilheit bei Ung = 50 V abgesunken ist. Collector-emitter knee voltage UceKn Voltage at which the short circuit forward transfer admittance| Ve | is dropped to 80% of the short circuit transfer admittance at Ugg = 50 V. 269 BF 457 - BF 458 - BF 459 f BF 487 Ugg=100V U, = CEsat IcBo BF 458 Ucg =200V BF 459 Ucg=250V 1 300 mV tee = 5 famb = 25 C t F = 0,01 tp = 0,3 me 0,1 200 0, 100 0,001 o lamb > BE 800 mV 600 fee Ueg =10V CE A __ FE. HO hpe Ug = 40 mAd famb = 25 C Unp = 10V CE tamb = 25 C t - = 001 =O3mes tp 77 0,01 tp = 0,3 me 1 1 10 mA lor 270