FT2000AA ... FT2000KG
FT2000AA ... FT2000KG
Superfast Silicon Rectifiers – Single Diode / Two Polarities
Superschnelle Silizium-Gleichrichter – Einzeldiode / Zwei Polaritäten
Version 2013-05-07
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
20 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...400 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-220AC
Weight approx.
Gewicht ca.
1.8 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Type / Typ
Polarity / Polarität
Repet. peak reverse voltage
Period. Spitzensperrspanng.
VRRM [V]
Surge peak reverse volt.
Stoßspitzensperrspanng.
VRSM [V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
K
(Standard)
A
(Reverse)
IF = 5 A IF = 20 A
FT2000KA FT2000AA 50 50 < 0.84 < 0.96
FT2000KB FT2000AB 100 100 < 0.84 < 0.96
FT2000KC FT2000AC 150 150 < 0.84 < 0.96
FT2000KD FT2000AD 200 200 < 0.84 < 0.96
FT2000KG FT2000AG 400 400 < 0.84 < 0.96
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C IFAV 20 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 70 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 350/385 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 612 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Tj
Tj
-50...+150°C
+200°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur TS-50...+175°C
1 Tj = 25°C
2 Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
4
31
4
31
A
K
4
31
Type
Typ
5.08
±0.1
0.8
±0.2
1.3
±0.1
10.1
±0.3
3.9
±0.3
2.8
±0.3
13.9
±0.3
14.9
±0.7
Ø
±0.2
3.8
1.2
±0.2
0.42
±0.1
4.5
±0.2
2.67
±0.2
8.7
±0.3
FT2000AA ... FT2000KG
Characteristics Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM IR< 5 µA
typ. 40µA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr < 200 ns
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC < 1.5 K/W
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current vs. temp. of the case
in Abh. v. d. Temp. Des GehäusesZul. Richtstrom
[°C]
T
C
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
10
10
1
10
3
2
-1
[A]
I
F
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
400a-(5a-0,8v)
