F3L11MR12W2M1_B65 EasyPACKTMModulmitCoolSiCTMTrenchMOSFETundPressFIT/NTC EasyPACKTMmodulewithCoolSiCTMTrenchMOSFETandPressFIT/NTC VorlaufigeDaten/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 100A / IDRM = 200A PotentielleAnwendungen * 3-Level-Applikationen * AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen * SolarAnwendungen PotentialApplications * 3-level-applications * HighFrequencySwitchingapplication * Solarapplications ElektrischeEigenschaften * ErhohteZwischenkreisspannung * HoheStromdichte * NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures * IncreasedDC-linkvoltage * Highcurrentdensity * Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften * IntegrierterNTCTemperaturSensor * PressFITVerbindungstechnik * Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures * IntegratedNTCtemperaturesensor * PressFITcontacttechnology * Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.1 2019-06-26 F3L11MR12W2M1_B65 VorlaufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Spannung Drain-sourcevoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom Pulseddraincurrent Gate-SourceSpannung Gate-sourcevoltage Tvj = 175C, VGS = 15 V Tvj = 25C VDSS 1200 V TH = 5C ID nom 100 A ID pulse 200 A -10 / 20 V verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax VGSS CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance ID = 100 A VGS = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage GesamtGateladung Totalgatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazitat Inputcapacitance Ausgangskapazitat Outputcapacitance Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance COSSSpeicherenergie COSSstoredenergy Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload ID=40,0mA,VDS=VGS,Tvj=25C (testedafter1mspulseatVGS=+20V) Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Warmewiderstand,ChipbisKuhlkorper Thermalresistance,junctiontoheatsink Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C RDS on VGS(th) 3,45 typ. 11,3 14,8 16,5 max. 4,50 5,55 m V VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V QG 0,248 C Tvj = 25C RGint 1,0 Ciss 7,36 nF Coss 0,44 nF Crss 0,056 nF Eoss 176 J IDSS 0,40 f = 1 MHz, Tvj = 25C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV Tvj = 25C VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V VDS = 1200 V, VGS = -5 V Tvj = 25C VDS = 0 V Tvj = 25C ID = 100 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 4,70 ID = 100 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 4,70 ID = 100 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 4,70 ID = 100 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 4,70 ID = 100 A, VDS = 600 V, L = 35 nH di/dt = 5,00 kA/s (Tvj = 150C) VGS = -5 V / 15 V, RGon = 4,70 ID = 100 A, VDS = 600 V, L = 35 nH du/dt = 23,0 kV/s (Tvj = 150C) VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 4,70 VGS = 20 V VGS = -10 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C proMOSFET/perMOSFET 400 IGSS 26,7 25,0 23,8 23,4 22,9 21,9 82,9 85,7 86,3 18,5 20,8 21,7 1,57 1,59 1,62 1,33 1,42 1,44 td on tr td off tf Eon Eoff RthJH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions 380 -40 nA ns ns ns ns mJ mJ 0,660 Tvj op A K/W 150 C BodyDiode/Bodydiode HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues BodyDiode-Gleichstrom DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175C, VGS = -5 V TH = 5C ISD CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage Datasheet min. ISD = 100 A, VGS = -5 V ISD = 100 A, VGS = -5 V ISD = 100 A, VGS = -5 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 2 VSD A 32 typ. 4,60 4,35 4,30 max. 5,65 V V2.1 2019-06-26 F3L11MR12W2M1_B65 VorlaufigeDaten PreliminaryData IGBT,3-Level/IGBT,3-Level HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES 1200 V ICN 100 A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 65C, Tvj max = 175C ICDC 65 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 200 A VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,75 2,05 2,10 2,10 V V V 5,80 6,45 V Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 100 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 4,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V / 15 V QG 0,80 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 0,0 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,30 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,27 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 0,04 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 100 nA Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C VGEth Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 600 V VGE = -15 V / 15 V RGon = 1,6 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 600 V VGE = -15 V / 15 V RGon = 1,6 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 600 V VGE = -15 V / 15 V RGoff = 1,6 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 600 V VGE = -15 V / 15 V RGoff = 1,6 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 100 A, VCE = 600 V, L = 35 nH di/dt = 7800 A/s (Tvj = 150C) VGE = -15 V / 15 V, RGon = 1,6 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 100 A, VCE = 600 V, L = 35 nH du/dt = 3200 V/s (Tvj = 150C) VGE = -15 V / 15 V, RGoff = 1,6 Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt Warmewiderstand,ChipbisKuhlkorper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT 5,05 0,013 0,014 0,014 s s s 0,009 0,01 0,01 s s s 0,196 0,287 0,306 s s s 0,138 0,212 0,253 s s s Eon 1,94 3,05 3,34 mJ mJ mJ Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Eoff 5,47 9,12 10,4 mJ mJ mJ tP 10 s, Tvj = 150C ISC 400 A 0,655 K/W td on tr td off tf RthJH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet VCE sat Tvj op 3 -40 150 C V2.1 2019-06-26 F3L11MR12W2M1_B65 VorlaufigeDaten PreliminaryData Diode,3-Level/Diode,3-Level HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C 50 A IFRM 100 A It 370 340 Warmewiderstand,ChipbisKuhlkorper Thermalresistance,junctiontoheatsink min. IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C proDiode/perdiode TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions V IF CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage 1200 typ. max. 2,15 VF 1,75 1,75 1,75 RthJH 1,17 Tvj op -40 As As V V V K/W 150 C Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm CTI > 200 RTI VISOL VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehause housing kV 3,0 Al2O3 mm C 140 min. Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft fur mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G typ. max. 12 39 nH 125 C 80 N g The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Datasheet 4 V2.1 2019-06-26 F3L11MR12W2M1_B65 VorlaufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100C, R100 = 493 Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 R/R 5,00 -5 P25 k 5 % 20,0 mW AngabengemagultigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 5 V2.1 2019-06-26 F3L11MR12W2M1_B65 VorlaufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) VGS=15V UbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=20V 200 200 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 180 160 160 140 140 120 120 ID [A] ID [A] 180 Tvj = 25C 100 100 80 80 60 60 40 40 20 20 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VDS [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/15V,RGon=4,7,RGoff=4,7,VDS=600V 1 2 3 4 5 6 7 VGS [V] 8 9 10 11 12 SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/15V,ID=100A,VDS=600V 4,0 7,0 Eon, Tvj = 125C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 150C 3,5 Eon, Tvj = 125C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 150C 6,0 3,0 5,0 2,5 E [mJ] E [mJ] 4,0 2,0 3,0 1,5 2,0 1,0 1,0 0,5 0,0 0 Datasheet 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 ID [A] 0,0 6 4 6 8 10 12 RG [] 14 16 18 20 V2.1 2019-06-26 F3L11MR12W2M1_B65 VorlaufigeDaten PreliminaryData SichererRuckwarts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) ID=f(VDS) VGS=-5V/15V,Tvj=150C,RG=4,7 TransienterWarmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) 240 1 ID, Modul ID, Chip ZthJH : MOSFET 200 ZthJH [K/W] ID [A] 160 120 0,1 80 40 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,028 0,13 0,357 0,145 i[s]: 0,000974 0,019 0,161 0,618 0 0 200 400 600 800 VDS [V] 1000 1200 0,01 0,001 1400 AusgangskennlinieIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 1 10 200 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 180 160 160 140 140 120 120 100 100 80 80 60 60 40 40 20 20 0,0 Datasheet 0,5 1,0 VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V 180 IC [A] IC [A] 0,1 t [s] AusgangskennlinienfeldIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VCE) Tvj=150C 200 0 0,01 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 7 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 V2.1 2019-06-26 F3L11MR12W2M1_B65 VorlaufigeDaten PreliminaryData UbertragungscharakteristikIGBT,3-Level(typisch) transfercharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VGE) VCE=20V TransienterWarmewiderstandIGBT,3-Level transientthermalimpedanceIGBT,3-Level ZthJH=f(t) 200 1 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 180 ZthJH : IGBT 160 140 0,1 ZthJH [K/W] IC [A] 120 100 80 0,01 60 40 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,013 0,0321 0,0769 0,533 i[s]: 0,000909 0,0109 0,0459 0,308 20 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 13 DurchlasskennliniederDiode,3-Level(typisch) forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical) IF=f(VF) 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 TransienterWarmewiderstandDiode,3-Level transientthermalimpedanceDiode,3-Level ZthJH=f(t) 100 10 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 90 ZthJH : Diode 80 1 70 ZthJH [K/W] IF [A] 60 50 0,1 40 30 0,01 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,058 0,213 0,5 0,399 i[s]: 0,000642 0,013 0,112 0,422 10 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 VF [V] Datasheet 0,001 0,001 8 0,01 0,1 t [s] 1 10 V2.1 2019-06-26 F3L11MR12W2M1_B65 VorlaufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [C] 120 140 160 9 V2.1 2019-06-26 F3L11MR12W2M1_B65 VorlaufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehauseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 10 V2.1 2019-06-26 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition2019-06-26 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726Munchen,Germany (c)2019InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfurdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes ("Beschaffenheitsgarantie")dar.FurBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewahrleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschlielich,ohnehieraufbeschranktzusein,dieGewahrdafur,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensamtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfurdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfurdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benotigen,wendenSiesichbitteandasnachsteVertriebsburovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnenProduktegesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnachstenVertriebsburovonInfineonTechnologiesinVerbindung. 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