BZW06-5V8 ... BZW06-376B BZW06-5V8 ... BZW06-376B PPPM = 600W PM(AV) = 5.0 W Tjmax = 175C Transient Voltage Suppressor Diodes Spannungs-Begrenzer-Dioden VWM = 5.0 ... 376 V VBR = 6.8 ... 440 V Version 2020-03-19 0.05 6.30.1 Type 62.5+0.5 -4.5 O3 RoHS Pb EE WE Features Uni- and Bidirectional versions Peak pulse power of 600 W (10/1000 s waveform) Very fast response time Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Schutz gegen Uberspannung ESD-Schutz Freilauf-Dioden Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) EL V ~DO-15 ~DO-204AC Typical Applications Over-voltage protection ESD protection Free-wheeling diodes Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Besonderheiten Uni- und Bidirektionale Versionen 600 W Impuls-Verlustleistung (10/1000 s Strom-Impuls) Sehr schnelle Ansprechzeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) 0.05 O 0.8 Dimensions - Mae [mm] Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack 4000 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehausematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lot- und Einbaubedingungen MSL N/A For bidirectional types (add suffix "B"), electrical characteristics apply in both directions. Fur bidirektionale Dioden (erganze Suffix "B") gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen. Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Peak pulse power dissipation (10/1000 s waveform) Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 s) Steady state power dissipation - Verlustleistung im Dauerbetrieb TA = 75C Peak forward surge current Stostrom in Fluss-Richtung 60 Hz (8.3 ms) Half sine-wave Sinus-Halbwelle Operating junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur PPPM 600 W 3) PM(AV) 5 W 4) IFSM 100 A 5) Tj TS -50...+175C -50...+175C Characteristics Kennwerte Max. instantaneous forward voltage Augenblickswert der Durchlass-Spannung VF < 3.0 V 5) < 6.5 V 5) Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthA 45 K/W 4) Typical thermal resistance junction to lead Typischer Warmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht RthL 15 K/W 1 2 3 4 5 IF = 25 A Tj = 25C VBR 200 V VBR > 200 V Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25C unless otherwise specified - TA = 25C wenn nicht anders angegeben Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t) Hochstzulassiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 10 mm Abstand vom Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden Unidirectional diodes only - Nur fur unidirektionale Dioden (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BZW06-5V8 ... BZW06-376B Characteristics (Tj = 25C) Type Typ BZW06- Kennwerte (Tj = 25C) Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at / bei VWM Breakdown voltage at IT = 1 mA Max. clamping voltage Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA Max. Begrenzer-Spannung *) at / bei IT = 10 mA at / bei IPPM (10/1000 s) unidirectional bidirectional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http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG BZW06-5V8 ... BZW06-376B 120 [%] tr = 10 s 100 100 [%] 80 80 60 60 40 IPPM/2 PPPM/2 40 IPP 20 20 PM(AV) 0 PPP 0 TA 50 100 150 0 [C] Steady state power dissip. vs. ambient temperature1) 1 Dauer-Verlustleistung in Abh. v. d. Umgebungstemp. ) tP 0 1 2 3 [ms] 4 10/1000s - pulse waveform 10/1000s - Impulsform 2 10 [kW] 10 1 PPP 0.1 0.1s tP 1s 10s 100s 1ms 10ms Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form) Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls) 1 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 10 mm Abstand von Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3