U2893B
Rev. A6, 04-Oct-00 1 (16)
Modulation PLL for GSM, DCS and PCS Systems
Description
The U2893B is a monolithic integrated circuit manu-
factured using Atmel Wireless & Microcontrollers’
advanced silicon bipolar UHF5S technology. The device
integrates a mixer, an I/Q modulator, a phase-frequency
detector (PFD) with two synchronous programmable
dividers, and a char ge pump. The U2893B is designed for
cellular phones such as GSM900, DCS1800, and
PCS1900, applying a transmitter architecture at which the
VCO operates at the TX output frequency. No duplexer
is needed since the out-of-band noise is very low. The
U2893B exhibits low power consumption. Broadband
operation provides high flexibility for multi-band
frequency mappings. The IC is available in a shrinked
small-outline 28-pin package (SSO28).
The U2894B offers the same functionality with divider
ratios of 2 and 1 (direct PFD access).
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Features
Supply-voltage range 2.7 V to 5.5 V
Current consumption 50 mA
Power-down functions
High-speed PFD and charge pump (CP)
Small CP saturation voltages (0.5/0.6 V)
Programmable dividers and CP polarity
Low-current standby mode
Benefits
Novel TX architecture saves filter costs
Extended battery operating time without duplexer
Less board space (few external components)
VCO control without voltage doubler
Small SSO28 package
One device for all GSM bands
Block Diagram
divider
N1
R1
divider
Mode
control
16
17
13
14
15
MUX
90°
Voltage
reference
I/Q modulator
5
6
I NI MDLO Q NQ PUMIX PU MIXO MIXLO
25 2019122728321
Mixer
PFD Charge
pump
101124184
22
23
8
9
7
21
26
RF
NRF
VSP
CPO
VS1
VS2
VS3
MDO
NMDO
ND
NND
RD
NRD
MC
GND CPC GNDP 12494
+
Figure 1. Block diagram
U2893B
Rev. A6, 04-Oct-002 (16)
Ordering Information
Extended Type Number Package Remarks
U2893B-MFS SSO28 Tube
U2893B-MFSG3 SSO28 Taped and reeled
Pin Description
1
2
3
4
5
6
7
8
10
9
27
22
21
20
18
19
17
12
11
28
25
26
23
24
NMDO
VS1
VSP
CPO
GNDP
CPC
GND
MDO
PUMIX
MDLO
NI
I
NRF
RF
VS2
MIXLO
PU
GND
MIXO
GND
NND
VS3
NQ
Q
16
15
14
13
12495
RD
NRD
ND
MC
Figure 2. Pinning
Pin Symbol Function
ÁÁÁ
ÁÁÁ
1
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
I
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
In-phase baseband input
ÁÁÁ
ÁÁÁ
2
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
NI
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Complementary to I
ÁÁÁ
ÁÁÁ
3
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
MDLO
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
I/Q-modulator LO input
ÁÁÁ
ÁÁÁ
4
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
GND 1)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Negative supply
ÁÁÁ
ÁÁÁ
5
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
MDO
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
I/Q-modulator output
ÁÁÁ
ÁÁÁ
6
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
NMDO
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Complementary to MDO
ÁÁÁ
ÁÁÁ
7
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
VS1 3)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Positive supply (I/Q MOD)
ÁÁÁ
ÁÁÁ
8
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
VSP
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Pos. supply charge pump
ÁÁÁ
ÁÁÁ
9
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
CPO
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Charge-pump output
ÁÁÁ
ÁÁÁ
10
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
GNDP 2)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Neg. supply charge pump
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
11
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
CPC
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Charge-pump current control
(input)
ÁÁÁ
ÁÁÁ
12
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
PUMIX
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Power-up, mixer only
ÁÁÁ
ÁÁÁ
13
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
RD
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
R-divider input
ÁÁÁ
ÁÁÁ
14
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
NRD
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Complementary to RD
ÁÁÁ
ÁÁÁ
15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
MC
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Mode control
ÁÁÁ
ÁÁÁ
16
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ND
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
N-divider input
ÁÁÁ
ÁÁÁ
17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
NND
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Complementary to ND
ÁÁÁ
ÁÁÁ
18
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
GND 1)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Negative supply
ÁÁÁ
ÁÁÁ
19
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
PU
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Power-up, whole chip except mixer
ÁÁÁ
ÁÁÁ
20
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
MIXLO
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Mixer LO input
ÁÁÁ
ÁÁÁ
21
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
VS2 3)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Positive supply (MISC.)
ÁÁÁ
ÁÁÁ
22
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
RF
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Mixer RF-input
ÁÁÁ
ÁÁÁ
23
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
NRF
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Complementary to RF
ÁÁÁ
ÁÁÁ
24
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
GND 1)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Negative supply
ÁÁÁ
ÁÁÁ
25
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
MIXO
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Mixer output
ÁÁÁ
ÁÁÁ
26
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
VS3 3)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Positive supply (mixer)
ÁÁÁ
ÁÁÁ
27
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
NQ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Complementary to Q
ÁÁÁ
ÁÁÁ
28
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Q
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Quad.-phase baseband input
1) All GND pins must be connected to GND
potential. No DC voltage between GND pins!
2) Max. voltage between GNDP and GND pins
200 mV
3) The maximum permissible voltage difference
between pins VS1, VS2 and VS3 is 200 mV.
U2893B
Rev. A6, 04-Oct-00 3 (16)
Absolute Maximum Ratings
Parameters Symbol Value Unit
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply voltage VS1, VS2, VS3
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
VVS#
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
VVSP
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply voltage charge pump VSP
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
VVSP
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
5.5
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Voltage at any input
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
VVi#
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
–0.5 VVS +0.5 5.5
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Current at any input / output pin except CPC
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
| II# | | IO# |
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
2
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
CPC output currents
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
| ICPC |
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
5
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Ambient temperature
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Tamb
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
–20 to +85
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
°C
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Storage temperature
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Tstg
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
–40 to +125
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
°C
Operating Range
Parameters Symbol Value Unit
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply voltage
VVS#, VVSP
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
2.7 to 5.5
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Ambient temperature
Tamb
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
–20 to +85
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
°C
Thermal Resistance
Parameters Symbol Value Unit
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Junction ambient SSO28
RthJA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
130
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
K/W
Electrical Characteristics
Tamb = 25°C, VS = 2.7 to 5.5 V
Parameters Test Conditions / Pin Symbol Min. Typ. Max. Unit
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
DC supply
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply voltages VS#
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
VVS1 = VVS2 = VVS3
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
VVS#
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
2.7
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
5.5
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply voltage VSP
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
VVSP
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
VVS# – 0.3
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
5.5
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply current IVS1
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Active (VPU = VS)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
IVS1A
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
18
ÁÁÁ
ÁÁÁ
23
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
pp y VS1
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Standby (VPU = 0)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
IVS1Y
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
20
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
A
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply current IVS2
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Active (VPU = VS)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
IVS2A
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
17
ÁÁÁ
ÁÁÁ
22
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
pp y VS2
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Standby (VPU = 0)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
IVS2Y
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
20
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
A
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply current IVS3
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Active (VPUMIX = VS)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
IVS3A
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
13
ÁÁÁ
ÁÁÁ
17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
pp y VS3
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Standby (VPUMIX = 0)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
IVS3Y
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
30
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
A
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply current IVSP 1)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Active
(VPU = VS, CPC open)
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
IVSPA
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
1.4
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
1.8
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Standby (VPU = 0)
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
IVSPY
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
20
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
A
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
N & R divider inputs ND, NND & RD, NRD
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
N:1 divider frequency
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
50- source
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
fND
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
100
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
600
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
MHz
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
R:1 divider frequency
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
50- source
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
fRD
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
100
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
600
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
MHz
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Input impedance
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Active & standby
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ZRD, ZND
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1 kΩ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
2 pF
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Input sensitivity
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
50- source
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
VRD, VND
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
20
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
200
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mVrms
1) Mean value, measured with FND = 151 MHz, FRD = 150 MHz, current vs. time, figure 3.
U2893B
Rev. A6, 04-Oct-004 (16)
Electrical Characteristics (continued)
Tamb = 25°C, VS = 2.7 to 5.5 V
Parameters Test Conditions / Pin Symbol Min. Typ. Max. Unit
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Phase-frequency detector (PFD)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
PFD operation
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
fND = 240 MHz, N = 2
fRD = 600 MHz, R = 5
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
fPFD
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
15
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
120
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
MHz
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Frequency comparison
only 3)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
fND = 600 MHz, N = 5
fRD = 600 MHz, R = 2
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
fFD
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
300
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
MHz
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
I/Q modulator baseband inputs I, NI & Q, NQ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
DC voltage
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Referred to GND
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
VI, VNI, VQ, VNQ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.35
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
VS1/2
ÁÁÁ
ÁÁÁ
VS1/2
+ 0.1
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
MD_IQ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Frequency range
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
fIO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
DC
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
1
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
MHz
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
AC voltage 4)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Referred to GND
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
ACI, ACNI,
ACQ, ACNQ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
200
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
mVpp
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Differential (preferres)
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ACDI, ACDQ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
400
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mVpp
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
I/Q modulator LO input MDLO
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
MDLO
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Frequency range
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
fMDLO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
50
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
350
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
MHz
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Input impedance
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Active & standby
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ZMDLO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
250
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Input level
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
50- source
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
PMDLO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–11
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–8
ÁÁÁ
ÁÁÁ
–5
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
dBm
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
I/Q modulator outputs MDO, NMDO
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
DC current
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
VMDO, VNMDO = VS
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
IMDO, INMDO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
2.4
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Voltage compliance
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
VMDO, VNMDO = VC
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
VCMDO, VC-
NMDO
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
VS – 0.7
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
5.5
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
MDO output level
(differential)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
500 to VS 5)
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
PMDO
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
120
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
150
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
mVrms
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Carrier suppression 5)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
CSMDO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–32
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–35
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
dBc
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Sideband suppression 5)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
SSMDO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–35
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–40
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
dBc
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
IF spurious 5)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
fLO ± 3 fmod
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
SPMDO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–50
ÁÁÁ
ÁÁÁ
–45
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
dBc
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Noise 5)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
@ 400 kHz off carrier
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
NMDO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
–115
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
dBc/Hz
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Frequency range
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
fMDO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
50
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
350
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
MHz
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Mixer (900 MHz)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
RF input level
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
900 MHz
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
P9RF
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–23
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
–17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
dBm
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
LO-spurious at
RF/NRF port
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
@ P9MIXLO = –10 dBm
@ P9RF = –15 dBm
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
SP9RF
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
–40
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
dBm
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
MIXLO input level
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
0.05 to 2.1 GHz
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
P9MIXLO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–22
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
–12
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
dBm
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
MIXO (100- load)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Frequency range
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
fMIXO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
50
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
350
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
MHz
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Output level 6)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
@ P9MIXLO = –15 dBm
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
P9MIXO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
70
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mVrms
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Carrier suppression
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
@ P9MIXLO = –15 dBm
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
CS9MIXO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–20
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
dBc
3) PFD can be used as a frequency comparator until 300 MHz for loop acquisition
4) Single-ended operation (complementary baseband input is AC-grounded) leads to reduced linearity
(degrading suppression of odd harmonics)
5) With typical drive levels at MDLO- & I/Q-inputs
6) –1 dB compression point (CP-1)
U2893B
Rev. A6, 04-Oct-00 5 (16)
Electrical Characteristics (continued)
Tamb = 25°C, VS = 2.7 to 5.5 V
Parameters Test Conditions / Pin Symbol Min. Typ. Max. Unit
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Mixer (1900 MHz)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
RF input level
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
0.5 to 2 GHz
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
P19RF
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–23
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
dBm
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
LO-spurious at
RF/NRF ports
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
@ P19MIXLO = –10 dBm @
P19RF = –15 dBm
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
SP19RF
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
–40
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
dBm
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
MIXLO input level
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
0.05 to 2.1 GHz
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
P19MIXLO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–22
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–12
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
dBm
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
MIXO (100 load)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Output level 6)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
@ P19MIXLO = –17 dBm
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
P19MIXO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
55
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mVrms
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Carrier suppression
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
@ P19MIXLO = –17 dBm
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
CS19MIXO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–20
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
dBc
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Charge-pump output CPO (VVSP = 5 V, VCPO = 2.5 V)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Pump-current pulse
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
CPC open for DC
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
| ICPO |
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
0.7
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
1
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
1.3
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
pp
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
RCPC = 2.2 kΩ 7)
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
| ICPO 2 |
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
1.4
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
2
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
2.6
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
RCPC = 680 Ω 7)
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
| ICPO_4 |
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
3
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
4
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
5
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
TK pump current
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
Tk_| ICPC |
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
%/100°K
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Mismatch source / sink
current
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
(ICPOSI – ICPOSO)/ICPOSI
ICPOSO = Isourc
ICPOSI = Isink
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
MICPO
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
Á
Á
Á
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
0.1
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
–
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Sensivity to VSP |ICPO
ICPO ||VSP
VSP |
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
SICPO
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
0.1
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
–
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
VCPO voltage range
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
VCPO
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.5
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
VVSP –0.6
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Charge-pump control input CPC
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Compensation capacitor
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
CCPC
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
500
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
pF
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Short-circuit current 8)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
CPC grounded
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
| ICPCK |
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.6
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Mode control
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Sink current
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
VMC = VS
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
IMC
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
60
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
A
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Power-up input PU (power-up for all functions, except mixer)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Settling time
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Output power within 10%
of steady state values
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
SPU
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
5
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
10
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
s
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
High level
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Active
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
VPUH
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
2.4
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
VS2
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Low level
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Standby
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
VPUL
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.4
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
High-level current
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Active, VPUH = 2.7 V
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
IPUH
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.26
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Low-level current
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Standby, VPUL = 0.4 V
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
IPUL
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–1
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
20
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
A
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Power-up input PUMIX (power-up for mixer only)
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Settling time
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Output power within 10%
of steady state values
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
tsetl
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
5
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
10
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
s
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
High level
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Active
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
VPUMIXH
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
2.4
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
VS2
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Low level
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Standby
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
VPUMIXL
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.4
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
High-level current
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Active, VPUMIXH = 2.7 V
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
IPUMIXH
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.26
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Low-level current
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Standby, VPUMIXL = 0.4 V
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
IPUMIXL
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–1
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
20
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
A
6) – 1 dB compression point (CP – 1) 8) See figure 7
7) RCPC: external resistor to ground (GND) for charge-pump current control
U2893B
Rev. A6, 04-Oct-006 (16)
Supply Current of the Charge Pump
IVSP vs. Time
Due to the pulsed operation of the charge pump, the cur-
rent into the charge-pump supply Pin VSP is not constant.
Depending on I (see figure 7) and the phase difference at
the phase detector inputs, the current IVSP over time va-
ries. Basically, the total current is the sum of the quiescent
current, the charge-/discharge current, and – after each
phase comparison cycle – a current spike (see figure 3).
Down
Up
5I
3I
I
2I
–2I
t
t
14552
IVSP
ICPO
Figure 3. Supply current of the charge pump = f(t)
Internal current, I, |ICPC| and ICPC vs. RCPC
RCPC I|ICPCO| ICPC
CPC open 0.5 mA 1 mA 0
2.2 k1.0 mA 2 mA –0.5 mA
680 2.0 mA 4 mA –1.5 mA
(typical values)
Initial Charge-Pump Current after
Power-Up
Due to stability reasons, the reference current generator
for the charge pump needs an external capacitor (>500 pF
from CPC to GND). After power-up, only the on-chip
generated current I = ICPCK is available for charging the
external capacitor. Due to the char ge pump’s architecture,
the charge-pump current will be 2 I = 2 ICPCK until
the voltage on CPC has reached the reference voltage
(1.1 V). The following figures illustrate this behavior.
t
ICPCK x RCPC
I
t
2x ICPCK
14561
VCPC
VRef
t0
t1t2
ICPC
t1
Time t1 can be calculated as t1 (1.1 V CCPC)/ICPCK
e.g., CCPC = 1 nF, ICPCK = 2.7 mA (>1.6 mA)
t1 0.4 s.
Time t2 can be calculated as t2 (RCPC/2200 ) CCPC
e.g., CCPC = 1 nF, RCPC = 2200 (Pin CPC open)
t2 1.1 s
Figure 4 .
The behavior of |ICPO| after power-up can be very
advantageous for a fast settling of the loop. By using
larger capacitors (>1 nF), an even longer period with
maximum charge-pump current is possible.
Ramp-up time for the internal band gap reference is about
1 s. This time has to be added to the times calculated for
the charge-pump reference.
U2893B
Rev. A6, 04-Oct-00 7 (16)
Mode Selection
The device can be programmed to different modes via an external resistor RMODE (including short, open) connected
between Pin MC and VS2. The mode selection controls the N-, R-divider ratios, and the polarity of the charge-pump
current.
Mode Selection N-Divider R-Divider CPO Current Polarity 2) Application
Mode Resistance between
Pin MC and Pin VS2 fN < fR 1) fN > fR 1)
10 (<50 ) 3:1 5:1 Sink Source GSM
22.7 k (±5%) 2:1 5:1 Source Sink PCS
310 k (±5%) 2:1 6:1 Source Sink DCS
436 k (±5%) 3:1 6:1 Source Sink GSM
5 (>1 M) 3:1 6:1 Sink Source GSM
1) Frequencies referred to PFD input!
2) Sink: current into Pin CPO. Source: current out from Pin CPO.
Equivalent Circuits at the IC’s Pins
L,Q
NI, NQ
250 Ω
30 pF
2230 Ω2230 Ω
VS1
MDO
NMDO
GND
Baseband input LO input Output 14553
MDLO
VBias_MDLO
VRef_input VRef_MDLO VRef_output
Figure 5. I/Q modulator
14554
NRF
LO input
890 Ω890 Ω
1 kΩ
Output
1.6 kΩ1.6 kΩ
1 kΩ
RF
MIXLO
40 pF
6.3 ΩMIXO
VS3
GND
VBias_RF
VRef_RF
VBias_LO
VRef_LO
Figure 6. Mixer
U2893B
Rev. A6, 04-Oct-008 (16)
14555
1.1 V
2230 Ω
ICPCK /4
4
I
CPC
VS2
GND
Ref
2
up
Ref
2
down 2I
2I
4
4
VSP
CPO
GNDP
n= Transistor with an emitter-area factor of “n”
Figure 7. Char ge pump
14556
GND
2 kΩ2 kΩ
ND/RD
NND/NRD
VS2
VRef_div
Figure 8. Dividers
14557
GND
PU, PUMIX 20 kΩ
30 kΩ
Figure 9. Power -up
14898
GND
N–divider
2x
60 µA
Logic R–divider
MUX
MC
VS2
Figure 10. Mode control
14559
C (U) ≅
2.5 pF @ 2 V
C (U) is a non-linear junction capacitance
Figure 11. ESD-protection diodes
U2893B
Rev. A6, 04-Oct-00 9 (16)
Test Circuit
281
2
3
4
5
6
7
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
8
9
10
11
12
13
14
17
16
15
50 Ω
1 nF
50 Ω
50 Ω50 Ω50 Ω
50 Ω
VAC
VDC
1.35 V –VS1/2 +0.1 V
Mixer
output
VS
Mixer
input
VS
Mixer
LO input
PFD input
R1
R2
R3
Mode control
VS2
Power–up
Bias voltage for
charge-pump output:
0.5 V < VDO < VSP – 0.5 V
VS
Modulator
LO input
Modulator
outputs
VS
VSP
VDO
PFD
Pulse output
PFD
input
13315
Baseband input
<450 mVpp
VAC
VDC
<450 mVpp
Baseband input
1.35 V – VS1/2+0.1 V
Figure 12. Test circuit
U2893B
Rev. A6, 04-Oct-0010 (16)
Application Hints
Interfacing
For some baseband ICs it may be necessary to reduce the
I/Q voltage swing so that it can be handled by the
U2893B. In those cases, the following circuitry can be
used.
12496
II
R
2
R
1
R
1
R
2
R
1
R
1
NI
Q
NQ
Baseband IC NI
Q
NQ
U2893B
Figure 13. Interfacing the U2893B to I/Q baseband circuits
Due to a possible current offset in the differential base-
band inputs of the U2893B, the best values for the carrier
suppression of the I/Q modulator can be achieved with
voltage-driven I/NI-, and Q/NQ-inputs. A value of
Rsource = R2/2 × RS 1.5 k should be realized. RS is
the sum of R1 (above drawing) and the output resistance
of the baseband IC.
Charge-Pump Current Programming
12497
1 nF
GND CPC
RCPC2 = 1 kΩ (incl. rds_on of FET)
RCPC1 = 2.2 kΩ
RCPC2
RCPC1
|ICPO| = 4 mA
|ICPO| = 2 mA
‘H’
‘L’
Figure 14. Programming the charge-pump current
Mode Control
14560
RMode1 RMode2
VS2
MC
U2893B
VS2
MC
U2893B
RMode
VS2
MC
U2893B
VS2
MC
U2893B
RMode 36 kΩor
10 kΩ
RMode
a) any single mode b) any 2 modes
c) any mode
& mode 5 d) mode 5 & mode 3 or mode 4
Figure 15. Application examples for programming
different modes
U2893B
Rev. A6, 04-Oct-00 11 (16)
Application Circuit for GSM900 (890 to 915 MHz)
divider
N1
R1
divider
Mode
control
16
17
13
14
15
MUX
90°
Voltage
reference
I/Q modulator
5
6
25 2019122728321
Mixer
PFD Charge
pump
101124184
22
23
8
9
7
21
26
13316
27 nH
2x
12 pF
200 ΩLO (–10 dBm)
1171–1206 MHz
Baseband processor
4.7 pF
50 Ω
1 kΩ
47 nH47 nH
2.7 to 3.5 V
+
Dr Dr
f_Ref
Vrms = 55 mV
(485 MHz)
50 Ω
68 pF
VCO
2.7 to 3.5 V
2.7
to 3.5 V
6 dB
attn.
390 Ω
MQE550
390 Ω
3.3 nF
f_TX
(880–
915 MHz)
to PA
RMODE = 0
Power-up, charge-pump control, and mode control must be connected according to the application used
Figure 16. Application circuit
Measurements
Modulation-Loop Settling Time
As valid for all PLL loops, the settling time depends on
several factors. Figure 17 is an extraction from measure-
ments performed in an arrangement like the application
circuit. It shows that a loop settling time of a few s can
be achieved.
CPC: 1 kΩ to GND
CPC ‘open’
Vertical: VCO tuning voltage 1 V/Div
Horizontal: Time 1 s/Div
Figure 17.
U2893B
Rev. A6, 04-Oct-0012 (16)
Modulation Spectrum & Phase Error
Application for GSM900
Figure 18. Modulation spectrum
Figure 19. Phase error
U2893B
Rev. A6, 04-Oct-00 13 (16)
Application for DCS1800
Figure 20. Modulation spectrum
Figure 21. Phase error
U2893B
Rev. A6, 04-Oct-0014 (16)
Application for PCS1900
PCS 1900
USER TOL.
Figure 22. Modulation spectrum
PCS 1900
Figure 23. Phase error
Complete transmitters (including PA) were measured.
The test equipment was the R & S CMD55 performing
standard approval tests. Typically, the spectrum
@ 400 kHz off the center carrier frequency is
approximately –65 dB attenuated (–60 dB according
specificarion). The corresponding rms phase error is
about 3°. Dimensioning the loop-filters allows to
optimize spectral-and phase error performance.
U2893B
Rev. A6, 04-Oct-00 15 (16)
Package Information
13018
technical drawings
according to DIN
specifications
Package SSO28
Dimensions in mm 9.10
9.01
0.15
0.05
0.25
0.65 8.45
1.30
5.7
5.3
4.5
4.3
6.6
6.3
0.15
28 15
114
U2893B
Rev. A6, 04-Oct-0016 (16)
Ozone Depleting Substances Policy Statement
It is the policy of Atmel Germany GmbH to
1. Meet all present and future national and international statutory requirements.
2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and operating systems
with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as well as their impact on
the environment.
It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are known as
ozone depleting substances (ODSs).
The Montreal Protocol (1987) and its London Amendments (1990) intend to severely restrict the use of ODSs and forbid
their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an earlier ban on these
substances.
Atmel Germany GmbH has been able to use its policy of continuous improvements to eliminate the use of ODSs listed
in the following documents.
1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments respectively
2. Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental
Protection Agency (EPA) in the USA
3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C (transitional substances) respectively.
Atmel Germany GmbH can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting substances
and do not contain such substances.
6.
We reserve the right to make changes to improve technical design and may do so without further notice.
Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each customer
application by the customer. Should the buyer use Atmel Wireless & Microcontrollers products for any unintended
or unauthorized application, the buyer shall indemnify Atmel Wireless & Microcontrollers against all claims,
costs, damages, and expenses, arising out of, directly or indirectly, any claim of personal damage, injury or death
associated with such unintended or unauthorized use.
Data sheets can also be retrieved from the Internet: http://www.atmel–wm.com
Atmel Germany GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany
Telephone: 49 (0)7131 67 2594, Fax number: 49 (0)7131 67 2423