ie. > BD 234 - BD 236 - BD 238 Silizium-PNP-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon PNP Epibase Power Transistors Anwendungen: Audio-Treiber- und Endstufen Applications: Audio driver and output stages Besondere Merkmale: @ Hohe Spitzenleistung @ Verlustleistung 25 W @ Gepaart lieferbar @ BD 234, BD 236, BD 238 sind komple- mentar zu BD 233, BD 235, BD 237 Abmessungen in mm Dimensions in mm t 281i Features: @ High peak power @ Power dissipation 25 W @ Matched pairs available @ BD 234, BD 236, BD 238 are comple- mentary to BD 233, BD 235, BD 237 Zubehr Accessories Isolierscheibe Best. Nr. 119880 Isolating washer Unterlegscheibe 3,2 DIN 125A Washer Absolute Grenzdaten Absolute maximum ratings Kollektor-Basis-Sperrspannung Collector-base voltage Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Emitter-Basis-Sperrspannung Emitter-base voltage B 2/V.2.423/0477 A2 Kollektor mit metallischer Montageflache verbunden Collector connected with metallic surface Normgehause Case 12 A 3 DIN 41869 JEDEC TO 126 (SOT 32) Gewicht - Weight max. 0,8g BD 234 BD236 BD238 -Ucgo 45 60 80 V -UcEO 45 60 80 V ~ UEBO 5 Vv 57 BD 234 - BD 236 - BD 238 58 Kollektorstrom -Ic Collector current Kollektorspitzenstrom -lom Collector peak current Basisstrom -Ip Base current Gesamtverlustleistung Total power dissipation tcase < 25C Prot Sperrschichttemperatur t j Junction temperature Lagerungstemperaturbereich stg Storage temperature range Anzugsdrehmoment My?) Tightening torque ease = 25 C 0,01 1 UE ') mit M3-Schraube und Unterlagscheibe with screw M3 and washer 3,2 DIN 125A 25 150 6...+150 70 C C Nem BD 234 - BD 236 - BD 238 Warmewiderstande Thermal resistances Sperrschicht-Umgebung Junction ambient Sperrschicht-Gehause Junction case KenngrBen Characteristics lamb = 25C Kollektorreststrom Collector cut-off current -Ucp = 60V -Ucp = 80V Emitterreststrom Emitter cut-off current Kollektor-Basis-Durchbruchspannung Collector-base breakdown voltage ~Ig = 100pA BD 234 BD 236 BD 238 Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung Collector-emitter breakdown voltage ~Ig = 100mA BD 234 BD 236 BD 238 Kollektor-Sattigungsspannung Collector saturation voltage -Io = 1A, -lp = 100mA Basis-Emitter-Spannung Base-emitter voltage -UcE = 2v, -Io =1A Kollektor-Basis-Gleichstromverhdaltnis DC forward current transfer ratio -UcE = 2V, -Ig = 150mA Uop = 2V, -Io = 1A Fir Paare gilt das #pe-Verhaltnis Hgg matched pair ratio UcE = 2V, -Io = 150 mA4) Transitfrequenz Gain bandwidth product -Ucpz = 10V, -Io = 250mA, f= 1 MHz q 1) F = 0,01, ty = 0,3ms Rina Rihuc ~IcBo IcBo -IcBo -TEBO - UBRycBO - UBR)CBO -UsBrycBo -UBrRyceo") ~ Upr)ceo*) - UBR)CEO) ~ Ucesat) Uge 4) FE) Are) ST Min. Typ. Max. 100 5 100 100 100 1 45 60 80 45 60 80 600 13 40 25 14 3 C/W C/W mA <<< mV MHz 59 BD 234 - BD 236 - BD 238 t fee 100 10 60