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総合カタログ
富士電機半導体
)8-,6(0,&21'8&7256
CONTENTS
 Page
1.パワーデバイス /PowerDevices(IGBT)
IGBT モジュールの特長 FeaturesoftheIGBTModule......................................................................2
IGBT モジュールＶシリーズ IGBTModulesVseries...............................................................................3
高速 IGBT モジュール HighSpeedIGBTModules..........................................................................8
IGBT モジュールU シリーズ IGBTModulesUseries...............................................................................9
V-IPM シリーズ V-IPMseries(IntelligentPowerModules).............................................. 12
小容量 IPM シリーズ FujiIPM"Compact"series(IntelligentPowerModules)...................... 13
ディスクリート IGBTV シリーズ DiscreteIGBTsVseries........................................................................... 14
HEV 用 IGBTIPM の特長 FeaturesofIGBTIPMforHybridElectricVehicle................................ 15
2.集積回路 /IntegratedCircuits
AC/DC 電源制御用 IC の特長 FeaturesofAC/DCPowerSupplycontrolICs..................................... 16
AC/DC 電源制御用 IC AC/DCPowerSupplycontrolICs.......................................................... 18
ハイサイド・ローサイドドライバ IC HighandLowsidedriverIC(HVIC)........................................................ 26
DC/DC 電源制御用 IC DC/DCPowerSupplycontrolICs.......................................................... 27
3.パワー MOSFET/PowerMOSFETs
SuperJ-MOSTM シリーズの特長 FeaturesoftheSuperJ-MOSTMseries................................................... 29
SuperFAP-E3,E3S シリーズの特長 FeaturesoftheSuperFAP-E3,E3Sseries.............................................. 30
SuperFAP-G シリーズの特長 FeaturesoftheSuperFAP-Gseries....................................................... 30
SuperJ-MOSTMシリーズ SuperJ-MOSTMseries............................................................................... 32
SuperFAP-E3シリーズ SuperFAP-E3series.................................................................................. 33
SuperFAP-E3S低 Qg シリーズ SuperFAP-E3SLowQgseries................................................................. 36
SuperFAP-G シリーズ SuperFAP-Gseries................................................................................... 37
中耐圧トレンチシリーズ TrenchPowerMOSFET............................................................................ 42
FAP-IIIシリーズ（P チャネル） FAP-IIIseries(Pchannel)......................................................................... 43
FAP-IIIBシリーズ FAP-IIIBseries............................................................................................ 43
自動車用トレンチ MOSFET AutomotiveTrenchPowerMOSFET....................................................... 44
自動車用 SuperFAP-E3S低 Qg シリーズ AutomotiveSuperFAP-E3SLowQgseries............................................ 44
自動車用 SuperFAP-E
3S
低 Qg高速ダイオード内蔵シリーズ
AutomotiveSuperFAP-E3SLowQgBuilt-inFREDseries................... 44
自動車用 SuperJ-MOSTMシリーズ AutomotiveSuperJ-MOSTMseries.......................................................... 45
自動車用高機能パワー MOSFET AutomotiveIntelligentPowerMOSFET.................................................. 45
自動車用IPSシリーズ（インテリジェントパワースイッチ）
AutomotiveIPSseries
(IntelligentPowerSwitches)............................. 45
4.整流ダイオード /RectifierDiodes
SBD,LLD の特長 FeaturesoftheSBD,LLD........................................................................ 46
ショットキーバリアダイオード Schottky-BarrierDiodes(SBD)................................................................ 47
超低 IR ショットキーバリアダイオード UltraLowIRSchottky-BarrierDiodes..................................................... 50
低 IR ショットキーバリアダイオード
LowIRSchottky-BarrierDiodes.....................................................................
51
スーパー LLDII( 臨界モード PFC 回路用 )SuperLLDII(CriticalmodePFC)........................................................... 54
スーパー LLDIII( 連続モード PFC 回路用 )SuperLLDIII(ContinuousmodePFC)................................................... 55
低損失超高速ダイオード Low-LossFastRecoveryDiodes(LLD).................................................. 56
低損失超高速低ノイズダイオード Low-LossFastSoftRecoveryDiodes(LLD).......................................... 57
ショットキーバリアダイオード Schottky-BarrierDiodes(SBD)................................................................ 58
低損失超高速ダイオード Low-LossFastRecoveryDiodes(LLD).................................................. 58
低 IR 高速ダイオード Low-IRFastRecoveryDiodes.................................................................. 59
600V超高速ダイオード UltraFastRecoveryDiodes..................................................................... 60
1200V低ノイズ高速ダイオード SoftRecoveryFastRecoveryDiodes..................................................... 60
5.圧力センサ /PressureSensors
圧力センサ PressureSensors....................................................................................... 61
外形図 Dimensions...................................................................................................................................... 62
注文単位 OrderQuantity.............................................................................................................................. 77
型式索引 TypeNumberIndex.................................................................................................................. 78
保守移行機種 Maintenanceproducts............................................................................................................ 82
廃型機種 Discontinuedproducts........................................................................................................... 83
お知らせ Information....................................................................................................................................... 84
2
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
■特長  Features
パッケージ小型化と出力のパワー UP を実現！
 ・高性能、低損失な第六世代 IGBT チップ・FWD を使用
 ・Tjmax175℃、連続動作保証 150℃
環境に優しいモジュール
・豊富な組立性、ハンダレス組立への対応
・RoHS 対応
ターンオン特性
・ノイズ−損失トレードオフの改善
・dv/dt,dic/dt 低減によるノイズ・振動の抑制
ターンオフ特性
・ソフトスイッチング特性・ターンオフ振動の抑制
A compact design allows for greater power output
· High performance 6th gen. IGBT/FWD chipset
· Tj(max.)=175°C, Tj(op)=150°C
Environmentally friendly modules
· Easy assemblage, solder free options
· RoHS compliant
Turn-on switching characteristics
· Improved noise-loss trade-off
· Reduced turn-on dv/dt, excellent turn-on dic/dt
Turn-off switching characteristic
· Soft switching behavior, turn-off oscillation free
EP2andEP3Lineup
U,U4 series V series
1200V A B M/P N/R W/Y X/Z
25A EP2 EP2XT EP2XT EP2XT
35A EP3XT
50A EP3 EP3XT EP3XT
75A
100A
150A
Legacy Pin Layout
New Pin Layout
Solderless
入出力端子配置
In/Out Pin Layout
M/N/W/X P/R/Y/Z
W
Power Flow
REC
RS T UV
INV
INPUT OUTPUT
T
R
S
UVW
INPUT
OUTPUT
Power Flow
REC INV
■IGBTモジュールの特長FeaturesoftheIGBTModule
第6世代IGBTモジュール Vシリーズ 6th Gen. IGBT Module V-series
25°C
125°C
25°C
125°C
V-IGBT
Von=1.90V
U-IGBT
Von=2.00V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
25
50
75
100
125 600V-100A (chip level)
On-state voltage drop [V]
Collector Current [A]
3
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
型   式 インバータ部 Inverter[IGBT]
ブレーキ部Brake
[IGBT+FWD]
コンバータ部 Converter[Diode]
パッケージ
質量 
Device type VCES ICPCVCE(sat) VCES ICVRRM VRRM IOVFM IFSM
Package
Net
Cont. Typ. Cont. Cont. Typ. mass
Volts Amps. Watts Volts Volts Amps. Volts Volts Amps. Volts Amps. Grams
7MBR50VP060-50 600 50 200 1.6 600 50 600 800 50 1.3 210 M719 200
7MBR75VP060-50 600 75 300 1.6 600 50 600 800 75 1.25 500 M719 200
7MBR100VP060-50
600 100 430 1.85 600 50 600 800 100 1.25 700 M719 200
7MBR100VR060-50
600 100 335 1.6 600 50 600 800 100 1.25 700 M720 310
7MBR150VR060-50
600 150 485 1.6 600 75 600 800 150 1.25 700 M720 310
7MBR50VY060-50 600 50 215 1.6 600 50 600 800 50 1.3 210 M721 200
7MBR75VY060-50 600 75 300 1.6 600 50 600 800 75 1.25 500 M721 200
7MBR100VY060-50
600 100 430 1.85 600 50 600 800 100 1.25 700 M721 200
7MBR100VZ060-50
600 100 335 1.6 600 50 600 800 100 1.25 700 M722 310
7MBR150VZ060-50
600 150 485 1.6 600 75 600 800 150 1.25 700 M722 310
7MBR50VA060-50
600 50 200 1.6 600 50 600 800 50 1.3 210 M711 180
7MBR75VB060-50
600 75 300 1.6 600 50 600 800 75 1.25 500 M712 300
7MBR100VB060-50
600 100 335 1.6 600 50 600 800 100 1.25 700 M712 300
7MBR25VM120-50
1200 25 170 1.85 1200 25 1200 1600 25 1.4 155 M719 200
7MBR35VM120-50
1200 35 210 1.85 1200 25 1200 1600 35 1.35 260 M719 200
7MBR50VM120-50
1200 50 280 1.85 1200 35 1200 1600 50 1.35 360 M719 200
7MBR50VN120-50
1200 50 280 1.85 1200 35 1200 1600 50 1.35 360 M720 310
7MBR75VN120-50
1200 75 385 1.85 1200 50 1200 1600 75 1.4 520 M720 310
7MBR100VN120-50
1200 100 520 1.75 1200 75 1200 1600 100 1.5 520 M720 310
7MBR150VN120-50
1200 150 885 1.85 1200 100 1200 1600 150 1.4 780 M720 310
7MBR25VY120-50
1200 25 170 1.85 1200 25 1200 1600 25 1.42 155 M721 200
7MBR35VY120-50
1200 35 210 1.85 1200 25 1200 1600 35 1.35 260 M721 200
7MBR50VY120-50
1200 50 280 1.85 1200 35 1200 1600 50 1.35 360 M721 200
7MBR50VZ120-50
1200 50 280 1.85 1200 35 1200 1600 50 1.35 360 M722 310
7MBR75VZ120-50
1200 75 385 1.85 1200 50 1200 1600 75 1.4 520 M722 310
7MBR100VZ120-50
1200 100 520 1.75 1200 75 1200 1600 100 1.5 520 M722 310
7MBR150VZ120-50
1200 150 885 1.85 1200 100 1200 1600 150 1.4 780 M722 310
7MBR25VP120-50 1200 25 170 1.85 1200 25 1200 1600 25 1.4 155 M719 200
7MBR35VP120-50 1200 35 210 1.85 1200 25 1200 1600 35 1.35 260 M719 200
7MBR50VP120-50 1200 50 280 1.85 1200 35 1200 1600 50 1.35 360 M719 200
7MBR50VR120-50
1200 50 280 1.85 1200 35 1200 1600 50 1.35 360 M720 310
7MBR75VR120-50
1200 75 385 1.85 1200 50 1200 1600 75 1.4 520 M720 310
7MBR100VR120-50
1200 100 520 1.75 1200 75 1200 1600 100 1.5 520 M720 310
7MBR150VR120-50
1200 150 885 1.85 1200 100 1200 1600 150 1.4 780 M720 310
7MBR25VW120-50
1200 25 170 1.85 1200 25 1200 1600 25 1.4 155 M721 200
7MBR35VW120-50
1200 35 210 1.85 1200 25 1200 1600 35 1.35 260 M721 200
7MBR50VW120-50
1200 50 280 1.85 1200 35 1200 1600 50 1.35 360 M721 200
7MBR50VX120-50
1200 50 280 1.85 1200 35 1200 1600 50 1.35 360 M722 310
7MBR75VX120-50
1200 75 385 1.85 1200 50 1200 1600 75 1.4 520 M722 310
7MBR100VX120-50
1200 100 520 1.75 1200 75 1200 1600 100 1.5 520 M722 310
7MBR150VX120-50
1200 150 885 1.85 1200 100 1200 1600 150 1.4 780 M722 310
7MBR25VA120-50
1200 25 170 1.85 1200 25 1200 1600 25 1.4 155 M711 180
7MBR35VA120-50
1200 35 210 1.85 1200 25 1200 1600 35 1.35 260 M711 180
7MBR35VB120-50
1200 35 210 1.85 1200 25 1200 1600 35 1.35 260 M712 300
7MBR50VB120-50
1200 50 280 1.85 1200 35 1200 1600 50 1.35 360 M712 300
7MBR75VB120-50
1200 75 385 1.85 1200 50 1200 1600 75 1.4 520 M712 300
■IGBTモジュールＶシリーズ  IGBTModulesVseries
Vシリーズ PIM（コンバータ部・ブレーキ部内蔵） EconoPIMTM 600V,1200Vクラス 
V series PIM/Built-in converter and brake EconoPIMTM 600,1200 volts class
注 :EconoPIMTM は InfineonTechnology 社の登録商標です。
Note: EconoPIMTMis registered trademarks of Infi neon Technology AG, Germany.
記号 Letter symbols
VCES: コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-to-emitter rated voltage
(Gate-to-emitter short-circuited)
VGES: ゲート・エミッタ間電圧 Gate-to-emitter rated voltage
(Collector-to-emitter short-circuited)
IC: コレクタ電流 Rated collector current
PC: 最大損失 Maximum power dissipation
VCE (sat): コレクタ・エミッタ飽和電圧 Collector-to-emitter saturation voltage
ton: ターンオン時間 Turn-on time
toff: ターンオフ時間 Turn-off time
tf: 立下り時間 Fall time
VCE (sat), VFM: at Tj=25℃, Chip
4
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
Vシリーズ ６個組 EconoPACKTM, EconoPACKTM+ 600V,1200V,1700Vクラス 
V series 6 in 1 package EconoPACKTM and EconoPACKTM+ 600,1200,1700 volts class
型   式 VCES VGES ICPCVCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイムSwitching time
パッケージ
質量
Device type Cont. Typ. ICton toff tf Package Net mass
Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max.
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. Grams
6MBI50VA-060-50 600 ±20 50 200 1.6 50 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 M636 180
6MBI75VA-060-50 600 ±20 75 275 1.6 75 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 M636 180
6MBI100VA-060-50
600 ±20 100 335 1.6 100 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 M636 180
6MBI150VB-060-50
600 ±20 150 485 1.6 150 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 M633 300
6MBI50VW-060-50
600 ±20 50 215 1.6 50 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 M647 200
6MBI75VW-060-50
600 ±20 75 300 1.6 75 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 M647 200
6MBI100VW-060-50
600 ±20 100 335 1.6 100 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 M647 200
6MBI150VX-060-50
600 ±20 150 485 1.6 150 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 M648 300
6MBI50VA-120-50 1200 ±20 50 280 1.85 50 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 M636 180
6MBI75VA-120-50 1200 ±20 75 385 1.85 75 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 M636 180
6MBI100VA-120-50
1200 ±20 100 520 1.75 100 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 M636 180
6MBI100VB-120-50
1200 ±20 100 520 1.75 100 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 M633 300
6MBI150VB-120-50
1200 ±20 150 770 1.75 150 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 M633 300
6MBI180VB-120-50
1200 ±20 150 835 1.85 200 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 M633 300
6MBI180VB-120-55
1200 ±20 150 1075 1.85 200 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 M633 300
6MBI50VW-120-50
1200 ±20 50 280 1.85 50 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 M647 200
6MBI75VW-120-50
1200 ±20 75 385 1.85 75 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 M647 200
6MBI100VW-120-50
1200 ±20 100 520 1.75 100 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 M647 200
6MBI100VX-120-50
1200 ±20 100 520 1.75 100 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 M648 300
6MBI150VX-120-50
1200 ±20 150 770 1.75 150 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 M648 300
6MBI180VX-120-50
1200 ±20 150 835 1.85 200 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 M648 300
6MBI180VX-120-55
1200 ±20 150 1075 1.85 200 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 M648 300
6MBI225V-120-50 1200 ±20 225 1070 1.85 225 0.55 - 1.05 - 0.11 - M629 950
6MBI300V-120-50 1200 ±20 300 1600 1.75 300 0.55 - 1.05 - 0.11 - M629 950
6MBI450V-120-50 1200 ±20 450 2250 1.75 450 0.55 - 1.05 - 0.11 - M629 950
6MBI550V-120-50 1200 ±20 550 2500 1.85 600 0.55 - 1.05 - 0.11 - M629 950
6MBI300V-170-50 1700 ±20 300 1665 2.00 300 0.90 - 1.30 - 0.10 - M629 950
6MBI450V-170-50 1700 ±20 450 2500 2.00 450 0.90 - 1.30 - 0.10 - M629 950
注 :EconoPACKTM、EconoPACKTM+は InfineonTechnology 社の登録商標です。
6MBI180VB-120-55、6MBI180VX-120-55 は低熱抵抗パッケージ適用
Note: EconoPACKTM、andEconoPACKTM+ are registered trademarks of Infi neon Technology AG, Germany.
6MBI180VB-120-55, 6MBI180VX-120-55; Premium type (Low Thermal Impedance Version)
VCE (sat): at Tj=25℃, Chip
■IGBTモジュールVシリーズ IGBTModulesVseries
5
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
Vシリーズ 小容量PIM（コンバータ部・ブレーキ部内蔵）600V,1200Vクラス
V series Compact PIM/Built-in converter and brake 600,1200 volts class
VCE (sat), VFM : at Tj=25℃, Chip
■IGBTモジュールVシリーズ IGBTModulesVseries
型   式 インバータ部 Inverter[IGBT]
ブレーキ部 Brake [IGBT+FWD]
コンバータ部 Converter[Diode]
パッケージ
質量 
Device type VCES ICPCVCE(sat) VCES ICVRRM VRRM IOVFM IFSM
Package
Net
Cont. Typ.Cont. Cont. Typ. mass
Volts Amps. Watts Volts Volts Amps. Volts Volts Amps. Volts Amps. Grams
7MBR10VKA060-50
600 10 65 1.70 600 10 600 800 10 0.95 360 M726 25
7MBR15VKA060-50
600 15 80 1.70 600 15 600 800 15 1.00 360 M726 25
7MBR20VKA060-50
600 20 90 1.70 600 20 600 800 20 1.05 360 M726 25
7MBR30VKA060-50
600 30 115 1.70 600 30 600 800 30 1.15 360 M726 25
7MBR50VKB060-50
600 50 180 1.60 600 50 600 800 50 1.25 580 M727 45
7MBR10VKC060-50
600 10 65 1.70 600 10 600 800 10 0.95 360 M728 25
7MBR15VKC060-50
600 15 80 1.70 600 15 600 800 15 1.00 360 M728 25
7MBR20VKC060-50
600 20 90 1.70 600 20 600 800 20 1.05 360 M728 25
7MBR30VKC060-50
600 30 115 1.70 600 30 600 800 30 1.15 360 M728 25
7MBR50VKD060-50
600 50 180 1.60 600 50 600 800 50 1.25 580 M729 45
7MBR10VKA120-50
1200 10 110 1.85 1200 10 1200 1600 10 0.95 245 M726 25
7MBR15VKA120-50
1200 15 135 1.90 1200 15 1200 1600 15 1.00 245 M726 25
7MBR15VKB120-50
1200 15 135 1.90 1200 15 1200 1600 15 1.00 245 M727 45
7MBR25VKB120-50
1200 25 180 1.85 1200 25 1200 1600 25 1.00 370 M727 45
7MBR35VKB120-50
1200 35 215 1.85 1200 35 1200 1600 35 1.05 370 M727 45
7MBR10VKC120-50
1200 10 110 1.85 1200 10 1200 1600 10 0.95 245 M728 25
7MBR15VKC120-50
1200 15 135 1.90 1200 15 1200 1600 15 1.00 245 M728 25
7MBR15VKD120-50
1200 15 135 1.90 1200 15 1200 1600 15 1.00 245 M729 45
7MBR25VKD120-50
1200 25 180 1.85 1200 25 1200 1600 25 1.00 370 M729 45
7MBR35VKD120-50
1200 35 215 1.85 1200 35 1200 1600 35 1.05 370 M729 45
6
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
■IGBTモジュールVシリーズ IGBTModulesVseries
Vシリーズ ２個組 600V,1200V,1700Vクラス
V series 2 in 1 package 600,1200 1700 volts class
型   式 VCES VGES ICPCVCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイムSwitching time
パッケージ
質量
Device type Cont. Typ. ICton toff tf Package Net mass
Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max.
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. Grams
2MBI100VA-060-50
600 ±20 100 330 1.60 100 0.65 - 0.60 - 0.04 - M263 180
2MBI150VA-060-50
600 ±20 150 480 1.60 150 0.65 - 0.60 - 0.04 - M263 180
2MBI200VA-060-50
600 ±20 200 640 1.60 200 0.65 - 0.60 - 0.04 - M263 180
2MBI300VB-060-50
600 ±20 300 1360 1.60 300 0.65 - 0.60 - 0.07 - M274 240
2MBI400VB-060-50
600 ±20 400 1970 1.60 400 0.65 - 0.60 - 0.07 - M274 240
2MBI400VD-060-50
600 ±20 400 1970 1.60 400 0.65 - 0.60 - 0.07 - M275 370
2MBI600VD-060-50
600 ±20 600 2940 1.60 600 0.75 - 0.75 - 0.07 - M275 370
2MBI600VE-060-50
600 ±20 600 2940 1.60 600 0.75 - 0.75 - 0.07 - M277 470
2MBI75VA-120-50 1200 ±20 75 390 1.85 75 0.60 - 0.60 - 0.04 - M263 180
2MBI100VA-120-50
1200 ±20 100 555 1.85 100 0.60 - 0.60 - 0.04 - M263 180
2MBI150VA-120-50
1200 ±20 150 785 1.85 150 0.60 - 0.60 - 0.04 - M263 180
2MBI150VB-120-50
1200 ±20 150 1070 1.85 150 0.60 - 0.80 - 0.08 - M274 240
2MBI200VB-120-50
1200 ±20 200 1500 1.75 200 0.60 - 0.80 - 0.08 - M274 240
2MBI200VH-120-50
1200 ±20 200 1110 1.75 200 0.60 - 0.80 - 0.08 - M276 370
2MBI225VN-120-50
1200 ±20 225 1070 1.85 225 0.55 - 1.05 - 0.11 - M254 350
2MBI225VJ-120-50
1200 ±20 225 1070 1.85 225 0.55 - 1.05 - 0.11 - M260 360
2MBI300VD-120-50
1200 ±20 300 2200 1.85 300 0.60 - 0.80 - 0.08 - M275 370
2MBI300VH-120-50
1200 ±20 300 1600 1.75 300 0.60 - 0.80 - 0.08 - M276 370
2MBI300VE-120-50
1200 ±20 300 2200 1.85 300 0.60 - 0.80 - 0.08 - M277 470
2MBI300VN-120-50
1200 ±20 300 1595 1.75 300 0.55 - 1.05 - 0.11 - M254 350
2MBI300VJ-120-50
1200 ±20 300 1595 1.75 300 0.55 - 1.05 - 0.11 - M260 360
2MBI400VD-120-50
1200 ±20 400 3330 1.75 400 0.60 - 0.80 - 0.08 - M275 370
2MBI450VH-120-50
1200 ±20 450 2400 1.80 450 0.60 - 0.80 - 0.08 - M276 370
2MBI450VE-120-50
1200 ±20 450 3350 1.80 450 0.60 - 0.80 - 0.08 - M277 470
2MBI450VN-120-50
1200 ±20 450 2270 1.75 450 0.55 - 1.05 - 0.11 - M254 350
2MBI450VJ-120-50
1200 ±20 450 2270 1.75 450 0.55 - 1.05 - 0.11 - M260 360
2MBI600VE-120-50
1200 ±20 600 4800 1.75 600 0.60 - 0.80 - 0.08 - M277 470
2MBI600VN-120-50
1200 ±20 600 3750 1.85 600 0.55 - 1.05 - 0.11 - M254 350
2MBI600VJ-120-50
1200 ±20 600 3750 1.85 600 0.55 - 1.05 - 0.11 - M260 360
2MBI600VG-120P 1200 ±20 600 TBD TBD 600 TBD - TBD - TBD - M256 1500
2MBI800VG-120P 1200 ±20 800 TBD TBD 800 TBD - TBD - TBD - M256 1500
2MBI1200VG-120P
1200 ±20 1200 TBD TBD 1200 TBD - TBD - TBD - M256 1500
2MBI75VA-170-50 1700 ±20 75 555 2.00 75 1.25 - 1.30 - 0.15 - M263 180
2MBI100VA-170-50
1700 ±20 100 665 2.00 100 1.25 - 1.30 - 0.15 - M263 180
2MBI150VH-170-50
1700 ±20 150 1110 2.00 150 0.95 - 1.05 - 0.14 - M276 370
2MBI200VH-170-50
1700 ±20 200 1250 2.00 200 1.15 - 1.05 - 0.14 - M276 370
2MBI300VH-170-50
1700 ±20 300 1805 2.00 300 1.15 - 1.05 - 0.14 - M276 370
2MBI300VN-170-50
1700 ±20 300 1665 2.00 300 0.90 - 1.30 - 0.10 - M254 350
2MBI450VN-170-50
1700 ±20 450 2500 2.00 450 0.90 - 1.30 - 0.10 - M254 350
2MBI550VN-170-50
1700 ±20 550 3750 2.15 550 1.00 - 1.30 - 0.10 - M254 350
2MBI550VJ-170-50
1700 ±20 550 3750 2.15 550 1.00 - 1.30 - 0.10 - M260 360
2MBI600VG-170E 1700 ±20 600 4410 2.00 600 2.28 - 2.07 - 0.58 - M256 1500
2MBI600VT-170E 1700 ±20 600 4280 2.00 600 1.51 - 2.07 - 0.58 - M278 900
2MBI800VG-170E 1700 ±20 800 5760 2.00 800 2.41 - 2.13 - 0.55 - M256 1500
2MBI800VT-170E 1700 ±20 800 5370 2.00 800 2.00 - 2.13 - 0.55 - M278 900
2MBI1200VG-170E
1700 ±20 1200 7500 2.00 1200 2.76 - 2.29 - 0.33 - M256 1500
2MBI1200VT-170E 1700 ±20 1200 7040 2.00 1200 2.14 - 2.29 - 0.33 - M278 900
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip
7
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
■IGBTモジュールVシリーズ IGBTModulesVseries
Vシリーズ ２個組 PrimePACKTM 1200V,1700Vクラス
V series 2 in 1 package PrimePACKTM 1200,1700 volts class
型   式 VCES VGES ICPCVCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイムSwitching time
パッケージ
質量
Device type Cont. Typ. ICton toff tf Package Net mass
Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max.
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. Grams
2MBI600VXA-120E-50
1200 ±20 600 3350 1.75 600 1.00 - 1.20 - 0.15 - M271 850
2MBI600VXA-120E-54
1200 ±20 600 3350 1.75 600 1.00 - 1.20 - 0.15 - M271 850
2MBI900VXA-120E-50
1200 ±20 900 5100 1.75 900 1.00 - 1.20 - 0.15 - M271 850
2MBI900VXA-120E-54
1200 ±20 900 5100 1.75 900 1.00 - 1.20 - 0.15 - M271 850
2MBI900VXA-120P-50
1200 ±20 900 5100 1.65 900 1.00 - 1.20 - 0.15 - M271 850
2MBI900VXA-120P-54
1200 ±20 900 5100 1.65 900 1.00 - 1.20 - 0.15 - M271 850
2MBI1400VXB-120P-50
1200 ±20 1400 7650 1.65 1400 1.00 - 1.20 - 0.15 - M272 1250
2MBI1400VXB-120P-54
1200 ±20 1400 7650 1.65 1400 1.00 - 1.20 - 0.15 - M272 1250
2MBI650VXA-170E-50
1700 ±20 650 4150 2.00 650 1.25 - 1.55 - 0.15 - M271 850
2MBI650VXA-170E-54
1700 ±20 650 4150 2.00 650 1.25 - 1.55 - 0.15 - M271 850
2MBI1000VXB-170E-50
1700 ±20 1000 6250 2.00 1000 1.25 - 1.55 - 0.15 - M272 1250
2MBI1000VXB-170E-54
1700 ±20 1000 6250 2.00 1000 1.25 - 1.55 - 0.15 - M272 1250
2MBI1400VXB-170E-50
1700 ±20 1400 8820 2.15 1400 1.25 - 1.55 - 0.15 - M272 1250
2MBI1400VXB-170E-54
1700 ±20 1400 8820 2.15 1400 1.25 - 1.55 - 0.15 - M272 1250
2MBI1400VXB-170P-50
1700 ±20 1400 8820 1.90 1400 1.35 - 1.80 - 0.20 - M272 1250
2MBI1400VXB-170P-54
1700 ±20 1400 8820 1.90 1400 1.35 - 1.80 - 0.20 - M272 1250
注 :PrimePACKTM は InfineonTechnology 社の登録商標です。
-54…Vsat 及び VF のランクをラベルに表示
Note: PrimePACKTM is registered trademark of Infi neon Technology AG, Germany.
-54···Attached to the lavel that discribed Vsat & VF classifi cation
Vシリーズ １個組 1200V,1700Vクラス
V series 1 in 1 package 1200,1700 volts class
型   式 VCES VGES ICPCVCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイムSwitching time
パッケージ
質量
Device type Cont. Typ. ICton toff tf Package Net mass
Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max.
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. Grams
1MBI400V-120-50 1200 ±20 400 2410 1.75 400 0.60 - 1.10 - 0.14 - M153 380
1MBI400VF-120-50
1200 ±20 400 3330 1.75 400 0.60 - 1.10 - 0.14 - M153 380
1MBI600V-120-50 1200 ±20 600 3000 1.75 600 0.70 - 0.90 - 0.10 - M153 380
1MBI600VF-120-50
1200 ±20 600 4680 1.75 600 0.70 - 0.90 - 0.10 - M153 380
1MBI900V-120-50 1200 ±20 900 4280 1.90 900 0.70 - 0.85 - 0.10 - M153 380
1MBI1200VC-120P
1200 ±20 1200 TBD TBD 1200 TBD - TBD - TBD - M151 1500
1MBI1600VC-120P
1200 ±20 1600 TBD TBD 1600 TBD - TBD - TBD - M151 1500
1MBI2400VC-120P
1200 ±20 2400 TBD TBD 2400 TBD - TBD - TBD - M151 1500
1MBI2400VD-120P
1200 ±20 2400 TBD TBD 2400 TBD - TBD - TBD - M152 2300
1MBI3600VD-120P
1200 ±20 3600 TBD TBD 3600 TBD - TBD - TBD - M152 2300
1MBI1200VC-170E
1700 ±20 1200 8820 2.00 1200 2.18 - 2.20 - 0.45 - M151 1500
1MBI1200VR-170E
1700 ±20 1200 8570 2.00 1200 1.51 - 2.20 - 0.45 - M155 900
1MBI1600VC-170E
1700 ±20 1600 11700 2.00 1600 2.28 - 2.17 - 0.40 - M151 1500
1MBI1600VR-170E
1700 ±20 1600 10710 2.00 1600 1.83 - 2.17 - 0.40 - M155 900
1MBI2400VC-170E
1700 ±20 2400 15000 2.00 2400 2.63 - 2.41 - 0.38 - M151 1500
1MBI2400VR-170E
1700 ±20 2400 14010 2.00 2400 2.51 - 2.41 - 0.38 - M155 900
1MBI2400VD-170E
1700 ±20 2400 17640 2.00 2400 2.30 - 2.22 - 0.43 - M152 2300
1MBI2400VS-170E
1700 ±20 2400 16120 2.00 2400 2.09 - 2.22 - 0.43 - M156 1300
1MBI3600VD-170E
1700 ±20 3600 22380 2.00 3600 2.27 - 2.67 - 0.31 - M152 2300
1MBI3600VS-170E
1700 ±20 3600 21120 2.00 3600 2.70 - 2.66 - 0.32 - M156 1300
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip
VCE (sat): at Tj=25℃, Chip
8
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
■高速IGBTモジュール HighSpeedIGBTModules
高速 2個組 1200Vクラス  
High Speed 2 in 1 package 1200 volts class
型   式 VCES VGES ICPCVCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイムSwitching time
パッケージ
質量
Device type Cont. Typ. ICton toff tf Package Net mass
Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max.
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. Grams
2MBI100HB-120-50
1200 ±20 100 1040 3.10 100 - - 0.30 0.60 0.05 0.20 M233 240
2MBI150HH-120-50
1200 ±20 150 1390 3.20 150 - - 0.30 0.60 0.05 0.20 M249 370
2MBI200HH-120-50
1200 ±20 200 1790 3.10 200 - - 0.30 0.60 0.05 0.20 M249 370
■IGBTモジュールVシリーズ IGBTModulesVseries
Vシリーズ アドバンスドNPC ３レベル回路用 600V,1200Vクラス
V series for Advanced NPC 3-level Circuits 600,1200 volts class（Advanced Neutral-Point-Clamped）
型   式 T1, T2 T3, T4 パッケージ 質量
Device type VCES ICPCVCE(sat) (VGE=15V) VCES ICPCVCE(sat) (VGE=15V) Package Net mass
Cont. Typ. ICCont. Typ. IC
Volts Amps. Watts Volts Amps. Volts Amps. Watts Volts Amps.
4MBI400VG-060R-50
600 400 1135 1.60 400 600 400 1560 2.45 400 M403 460
4MBI300VG-120R-50
1200 300 1250 1.85 300 600 300 1250 2.45 300 M403 460
▲
4MBI450VB-120R1-50
1200 450 TBD TBD 450 900 450 TBD TBD 450 TBD TBD
▲
4MBI650VB-120R1-50
1200 650 TBD TBD 650 900 650 TBD TBD 650 TBD TBD
▲
4MBI900VB-120R1-50
1200 900 TBD TBD 900 900 900 TBD TBD 900 TBD TBD
▲
12MBI50VN-120-50
1200 50 235 1.85 50 600 50 230 TBD 50 M1203 302
▲
12MBI50VX-120-50
1200 50 235 1.85 50 600 50 230 TBD 50 M1202 304
▲
12MBI75VN-120-50
1200 75 320 1.85 75 600 75 305 TBD 75 M1203 302
▲
12MBI75VX-120-50
1200 75 320 1.85 75 600 75 305 TBD 75 M1202 304
12MBI100VN-120-50
1200 100 430 1.75 100 600 100 400 2.45 100 M1203 302
12MBI100VX-120-50
1200 100 430 1.75 100 600 100 400 2.45 100 M1202 304
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip
▲ 開発中 Under development
高速 チョッパー 1200Vクラス
High Speed Chopper 1200 volts class
型   式 VCES VGES ICPCVCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイムSwitching time
パッケージ
質量
Device type Cont. Typ. ICton toff tf Package Net mass
Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max.
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. Grams
▲
1MBI200HH-120L-50
1200 20 200 1390 3.10 200 0.2 0.5 0.3 0.7 0.05 0.2 M249 370
▲
1MBI300HH-120L-50
1200 20 300 2090 3.20 300 0.2 0.5 0.3 0.7 0.05 0.2 M249 370
▲
1MBI400HH-120L-50
1200 20 400 2500 3.10 400 0.2 0.6 0.4 0.7 0.05 0.2 M249 370
▲ 開発中 Under development
Vシリーズ チョッパー PrimePACKTM 1200V,1700Vクラス
V series Chopper  PrimePACKTM 1200V,1700 volts class
型   式 VCES VGES ICPCVCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイムSwitching time
パッケージ
質量
Device type Cont. Typ. ICton toff tf Package Net mass
Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max.
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. Grams
1MBI1400VXB-120PL-54
1200 ±20 1400 7650 1.65 1400 1.00 - 1.20 - 0.15 - M272 1250
1MBI1400VXB-120PH-54
1200 ±20 1400 7650 1.65 1400 1.00 - 1.20 - 0.15 - M272 1250
1MBI650VXA-170EL-50
1700 ±20 650 1700 2.00 650 1.25 - 1.55 - 0.15 - M271 850
1MBI650VXA-170EL-54
1700 ±20 650 1700 2.00 650 1.25 - 1.55 - 0.15 - M271 850
1MBI650VXA-170EH-50
1700 ±20 650 1700 2.00 650 1.25 - 1.55 - 0.15 - M271 850
1MBI650VXA-170EH-54
1700 ±20 650 1700 2.00 650 1.25 - 1.55 - 0.15 - M271 850
1MBI1000VXB-170EL-50
1700 ±20 1000 1700 2.00 1000 1.25 - 1.55 - 0.15 - M272 1250
1MBI1000VXB-170EL-54
1700 ±20 1000 1700 2.00 1000 1.25 - 1.55 - 0.15 - M272 1250
1MBI1000VXB-170EH-50
1700 ±20 1000 1700 2.00 1000 1.25 - 1.55 - 0.15 - M272 1250
1MBI1000VXB-170EH-54
1700 ±20 1000 1700 2.00 1000 1.25 - 1.55 - 0.15 - M272 1250
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip
注 :PrimePACKTM は InfineonTechnology 社の登録商標です。
-54…Vsat 及び VF のランクをラベルに表示
Note: PrimePACKTM is registered trademark of Infi neon Technology AG, Germany.
-54···Attached to the lavel that discribed Vsat & VF classifi cation
VCE (sat): at Tj=25℃, Chip
9
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
■IGBTモジュールUシリーズ IGBTModulesUseries
Uシリーズ PIM（コンバータ部・ブレーキ部内蔵） EconoPIMTM 600V,1200Vクラス 
U series PIM/Built-in converter and brake EconoPIMTM 600,1200 volts class
注 :EconoPIMTM、EconoPACKTM、EconoPACKTM+は InfineonTechnology 社の登録商標です。
Note: EconoPIMTM, EconoPACKTM and EconoPACKTM+ are registered trademarks of Infi neon Technology AG, Germany.
*1 RoHS 対応品（-50）は開発中  RoHScompliantversion(-50)isunderdevelopment.
Uシリーズ ６個組 EconoPACKTM, EconoPACKTM+ 600V,1200V,1700Vクラス 
U series 6 in 1 package EconoPACKTM and EconoPACKTM+ 600,1200,1700 volts class
型   式 インバータ部 Inverter[IGBT]
ブレーキ部 Brake [IGBT+FWD]
コンバータ部 Converter[Diode]
パッケージ
質量 
Device type VCES ICPCVCE(sat) VCES ICVRRM VRRM IOVFM IFSM
Package
Net
Cont. Typ.Cont. Cont. Typ. mass
Volts Amps. Watts Volts Volts Amps. Volts Volts Amps. Volts Amps. Grams
7MBR30U2A060-50
600 30 133 1.85 600 20 600 800 30 1.1 210 M711 180
7MBR50U2A060-50
600 50 187 1.85 600 20 600 800 50 1.1 350 M711 180
7MBR75U2B060-50
600 75 255 1.85 600 30 600 800 75 1.1 525 M712 300
7MBR100U2B060-50
600 100 378 1.85 600 50 600 800 100 1.1 700 M712 300
7MBR25UA120-50
1200 25 115 2.1 1200 25 1200 1600 25 1.1 260 M711 180
7MBR35UA120-50
1200 35 160 1.95 1200 25 1200 1600 35 1.25 260 M711 180
7MBR50UA120-50
1200 50 205 2.0 1200 25 1200 1600 50 1.4 260 M711 180
7MBR75U4B120-50
1200 75 275 2.2 1200 35 1200 1600 75 1.3 520 M712 300
7MBR100U4B120-50
1200 100 390 2.1 1200 50 1200 1600 100 1.4 520 M712 300
型   式 VCES VGES ICPCVCE(sat) (VGE=15V)
スイッチングタイム
Switching time (Max.)
パッケージ 質量
Device type Cont. Typ. ICton toff tf Package Net mass
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. μsec. μsec. μsec. Grams
6MBI75U2A-060-50
600 ±20 75 255 1.85 75 1.2
1.2
0.45 M636 180
6MBI100U2B-060-50
600 ±20 100 380 1.85 100 1.2 1.2 0.45 M633 300
6MBI150U2B-060-50
600 ±20 150 500 1.80 150 1.2 1.2 0.45 M633 300
6MBI35U4A-120-50
1200 ±20 35 205 1.9 35 1.2 1.0 0.3 M636 180
6MBI50U4A-120-50
1200 ±20 50 275 1.9 50 1.2 1.0 0.3 M636 180
6MBI75U4A-120-50
1200 ±20 75 390 1.9 75 1.2 1.0 0.3 M636 180
6MBI100U4B-120-50
1200 ±20 100 520 1.9 100 1.2 1.0 0.3 M633 300
6MBI150U4B-120-50
1200 ±20 150 735 1.9 150 1.2 1.0 0.3 M633 300
6MBI225U4-120-50
1200 ±20 225 1040 1.9 225 1.2 1.0 0.3 M629 950
6MBI300U4-120-50
1200 ±20 300 1385 1.9 300 1.2 1.0 0.3 M629 950
6MBI450U4-120-50
1200 ±20 450 2080 1.9 450 1.2 1.0 0.3 M629 950
6MBI100U4B-170 *1
1700 ±20 100 520 2.25 100 1.2 1.5 0.3 M633 300
6MBI150U4B-170 *1
1700 ±20 150 735 2.25 150 1.2 1.5 0.3 M633 300
6MBI225U4-170 1700 ±20 225 1040 2.25 225 1.2 1.5 0.3 M629 950
6MBI300U4-170 1700 ±20 300 1385 2.25 300 1.2 1.5 0.3 M629 950
6MBI450U4-170 1700 ±20 450 2080 2.25 450 1.2 1.5 0.3 M629 950
VCE (sat), VFM: at Tj=25°C, Chip
VCE (sat): at Tj=25°C, Chip
10
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
Uシリーズ ２個組 600V,1200V,1700Vクラス
U series 2 in 1 package 600,1200,1700 volts class
■IGBTモジュールUシリーズ IGBT Modules U series
型   式 VCES VGES ICPCVCE(sat) (VGE=15V)
スイッチングタイム
Switching time (Max.)
パッケージ 質量
Device type Cont. Max. ICton toff tf Package Net mass
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. μsec. μsec. μsec. Grams
2MBI150U2A-060-50
600 ±20 150 500 2.1 150 1.2
1.2
0.45 M232 180
2MBI200U2A-060-50
600 ±20 200 660 2.1 200 1.2 1.2 0.45 M232 180
2MBI300U2B-060-50
600 ±20 300 1000 2.1 300 1.2 1.2 0.45 M233 240
2MBI400U2B-060-50
650 ±20 400 1250 2.1 400 1.2 1.2 0.45 M233 240
2MBI600U2E-060 650 ±20 600 2400 2.1 600 1.2 1.2 0.45 M247 470
2MBI75U4A-120 1200 ±20 75 400 2.05 75 1.2 1.0 0.3 M232 180
2MBI100U4A-120-50
1200 ±20 100 540 2.05 100 1.2 1.0 0.3 M232 180
2MBI150U4A-120-50
1200 ±20 150 735 2.05 150 1.2 1.0 0.3 M232 180
2MBI200U4B-120-50
1200 ±20 200 1040 2.05 200 1.2 1.0 0.3 M233 240
2MBI200U4H-120-50
1200 ±20 200 1040 2.05 200 1.2 1.0 0.3 M249 370
2MBI225U4N-120-50
1200 ±20 225 1040 2.05 225 1.2 1.0 0.3 M254 350
2MBI225U4J-120-50
1200 ±20 225 1040 2.05 225 1.2 1.0 0.3 M250 360
2MBI300U4D-120-50
1200 ±20 300 1470 2.05 300 1.2 1.0 0.3 M235 370
2MBI300U4E-120 1200 ±20 300 1810 2.05 300 1.2 1.0 0.3 M247 470
2MBI300U4H-120-50
1200 ±20 300 1470 2.05 300 1.2 1.0 0.3 M249 370
2MBI300U4N-120-50
1200 ±20 300 1385 2.05 300 1.2 1.0 0.3 M254 350
2MBI300U4J-120-50
1200 ±20 300 1385 2.05 300 1.2 1.0 0.3 M250 360
2MBI400U4H-120-50
1200 ±20 400 2045 2.05 400 1.2 1.0 0.3 M249 370
2MBI450U4E-120 1200 ±20 450 2715 2.05 450 1.2 1.0 0.3 M247 470
2MBI450U4N-120-50
1200 ±20 450 2080 2.05 450 1.2 1.0 0.3 M254 350
2MBI450U4J-120-50
1200 ±20 450 2080 2.05 450 1.2 1.0 0.3 M250 360
2MBI600U4G-120 1200 ±20 600 2840 2.05 600 1.35 0.8 0.2 M256 1500
2MBI800U4G-120 1200 ±20 800 3900 2.05 800 1.35 0.8 0.2 M256 1500
2MBI1200U4G-120 1200 ±20 1200 4960 2.05 1200 1.35 0.8 0.2 M256
1500
2MBI100U4H-170-50
1700 ±20 100 540 2.4 100 1.2 1.5 0.3 M249 370
2MBI150U4H-170-50
1700 ±20 150 780 2.4 150 1.2 1.5 0.3 M249 370
2MBI200U4H-170-50
1700 ±20 200 1040 2.4 200 1.2 1.5 0.3 M249 370
2MBI225U4N-170-50
1700 ±20 225 1040 2.45 225 1.2 1.5 0.3 M254 350
2MBI300U4H-170-50
1700 ±20 300 1470 2.4 300 1.2 1.5 0.3 M249 370
2MBI300U4N-170-50
1700 ±20 300 1385 2.45 300 1.2 1.5 0.3 M254 350
2MBI400U4H-170-50
1700 ±20 400 2045 2.4 400 1.2 1.5 0.3 M249 370
2MBI450U4N-170-50
1700 ±20 450 2080 2.45 450 1.2 1.5 0.3 M254 350
2MBI600U4G-170 1700 ±20 600 2840 2.4 600 4.0 2.0 0.7 M256 1500
2MBI800U4G-170 1700 ±20 800 3900 2.4 800 4.0 2.0 0.7 M256 1500
2MBI1200U4G-170 1700 ±20 1200 4960 2.4 1200 4.0 2.0 0.7 M256 1500
11
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
■IGBTモジュールUシリーズ IGBT Modules U series
Uシリーズ １個組 1200V,1700V,3300Vクラス
U series 1 in 1 package 1200,1700,3300 volts class
型   式 VCES VGES ICPCVCE(sat) (VGE=15V)
スイッチングタイム
Switching time (Max.)
パッケージ 質量
Device type Cont. Max. ICton toff tf Package Net mass
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. μsec. μsec. μsec. Grams
1MBI300U4-120 1200 ±20 300 1540 2.05 300 1.20 1.00 0.30 M127 380
1MBI400U4-120 1200 ±20 400 2155 2.05 400 1.20 1.00 0.30 M127 380
1MBI600U4-120 1200 ±20 600 2905 2.05 600 1.20 1.00 0.30 M127 380
1MBI800U4B-120 1200 ±20 800 4805 2.05 800 1.20 1.00 0.30 M138 530
1MBI1200U4C-120 1200 ±20 1200 5680 2.05 1200 2.00 1.60 0.40 M151 1500
1MBI1600U4C-120 1200 ±20 1600 7810 2.05 1600 2.00 1.60 0.40 M151 1500
1MBI2400U4D-120 1200 ±20 2400 10000 2.05 2400 2.00 1.60 0.40 M152 2300
1MBI3600U4D-120 1200 ±20 3600 15620 2.05 3600 2.00 1.60 0.40 M152 2300
1MBI1200U4C-170 1700 ±20 1200 5680 2.40 1200 4.00 2.00 0.70 M151 1500
1MBI1600U4C-170 1700 ±20 1600 7810 2.40 1600 4.00 2.00 0.70 M151 1500
1MBI2400U4D-170 1700 ±20 2400 10000 2.40 2400 4.00 2.00 0.70 M152 2300
1MBI3600U4D-170 1700 ±20 3600 15620 2.40 3600 4.00 2.00 0.70 M152 2300
1MBI800UG-330 3300 ±20 800 9600 2.28 800 3.40 2.40 0.40 M155 900
1MBI1000UG-330 3300 ±20 1000 10400 2.46 1000 2.50 2.00 0.50 M155 900
1MBI1200UE-330 3300 ±20 1200 14700 2.28 1200 3.40 2.40 0.40 M156 1300
1MBI1500UE-330 3300 ±20 1500 15600 2.46 1500 3.10 2.60 0.50 M156 1300
Uシリーズ チョッパー 600V,1200Vクラス
U series Chopper 600,1200 volts class
型   式 VCES VGES ICPCVCE(sat) (VGE=15V)
スイッチングタイム
Switching time (Max.)
パッケージ 質量
Device type Cont. Max. ICton toff tf Package Net mass
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. μsec. μsec. μsec. Grams
1MBI300U2H-060L-50
600 ±20 300 1000 2.45 300 1.20 1.20 0.45 M259 360
1MBI50U4F-120L-50
1200 ±20 50 400 2.15 50 1.20 1.00 0.30 M262 180
1MBI75U4F-120L-50
1200 ±20 75 400 2.20 75 1.20 1.00 0.30 M262 180
1MBI100U4F-120L-50
1200 ±20 100 540 2.20 100 1.20 1.00 0.30 M262 180
1MBI200U4H-120L-50
1200 ±20 200 1040 2.25 200 1.20 1.00 0.30 M259 360
12
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
■V-IPMシリーズ V-IPMseries（IntelligentPowerModules）
下アームアラーム出力機能付 600V,1200Vクラス
With N-side alarm output function 600,1200 volts class
上下アームアラーム機能付 600V,1200Vクラス
With P and N-side alarm function 600,1200 volts class
型   式 インバータ部 Inverter
ブレーキ部Brake
制御部 Control
パッケージ
質量 
Device type VCES ICVCE(sat) VCES ICVCC IOC[INV] VUV TjOH Alarm
Package
Net
Cont. Typ. Cont. Typ. Min. Min.
OC(typ.)
UV(typ.)
TjOH(typ.)
mass
Volts Amps. Volts Volts Amps. Volts Amps. Volts ℃ms ms ms Grams
6MBP20VAA060-50 600 20 1.4 - - 15 30 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P629
80
6MBP30VAA060-50 600 30 1.4 - - 15 45 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P629 80
6MBP50VAA060-50 600 50 1.4 - - 15 75 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P629 80
6MBP10VAA120-50 1200 10 1.7 - - 15 15 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P629 80
6MBP15VAA120-50 1200 15 1.7 - - 15 23 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P629 80
6MBP25VAA120-50 1200 25 1.7 - - 15 38 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P629 80
型   式 インバータ部 Inverter
ブレーキ部Brake
制御部 Control
パッケージ
質量 
Device type VCES ICVCE(sat) VCES ICVCC IOC[INV] VUV TjOH Alarm
Package
Net
Cont. Typ. Cont. Typ. Min. Min.
OC(typ.)
UV(typ.)
TjOH(typ.)
mass
Volts Amps. Volts Volts Amps. Volts Amps. Volts ℃ms ms ms Grams
6MBP50VBA060-50 600 50 1.4 - - 15 75 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P626
100
6MBP50VDA060-50 600 50 1.4 - - 15 75 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
6MBP75VBA060-50 600 75 1.4 - - 15 113 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P626 100
6MBP75VDA060-50 600 75 1.4 - - 15 113 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
6MBP100VDA060-50 600 100 1.4 - - 15 150 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
6MBP150VDA060-50 600 150 1.4 - - 15 225 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
6MBP200VDA060-50 600 200 1.4 - - 15 300 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
6MBP200VEA060-50 600 200 1.25 - - 15 300 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950
6MBP300VEA060-50 600 300 1.25 - - 15 450 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950
6MBP400VEA060-50 600 400 1.25 - - 15 600 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950
7MBP50VDA060-50 600 50 1.4 600 30 15 75 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
7MBP75VDA060-50 600 75 1.4 600 50 15 113 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
7MBP100VDA060-50 600 100 1.4 600 50 15 150 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
7MBP150VDA060-50 600 150 1.4 600 75 15 225 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
7MBP200VDA060-50 600 200 1.4 600 100 15 300 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
7MBP200VEA060-50 600 200 1.25 600 100 15 300 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950
7MBP300VEA060-50 600 300 1.25 600 150 15 450 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950
7MBP400VEA060-50 600 400 1.25 600 200 15 600 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950
6MBP25VBA120-50 1200 25 1.7 - - 15 38 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P626 100
6MBP25VDA120-50 1200 25 1.7 - - 15 38 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
6MBP35VBA120-50 1200 35 1.7 - - 15 53 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P626 100
6MBP35VDA120-50 1200 35 1.7 - - 15 53 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
6MBP50VBA120-50 1200 50 1.7 - - 15 75 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P626 100
6MBP50VDA120-50 1200 50 1.7 - - 15 75 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
6MBP75VDA120-50 1200 75 1.7 - - 15 113 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
6MBP100VDA120-50 1200 100 1.7 - - 15 150 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
6MBP100VEA120-50 1200 100 1.7 - - 15 150 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950
6MBP150VEA120-50 1200 150 1.7 - - 15 225 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950
6MBP200VEA120-50 1200 200 1.7 - - 15 300 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950
7MBP25VDA120-50 1200 25 1.7 1200 15 15 38 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
7MBP35VDA120-50 1200 35 1.7 1200 15 15 53 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
7MBP50VDA120-50 1200 50 1.7 1200 25 15 75 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
7MBP75VDA120-50 1200 75 1.7 1200 35 15 113 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
7MBP100VDA120-50 1200 100 1.7 1200 50 15 150 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290
7MBP100VEA120-50 1200 100 1.7 1200 50 15 150 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950
7MBP150VEA120-50 1200 150 1.7 1200 75 15 225 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950
7MBP200VEA120-50 1200 200 1.7 1200 100 15 300 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950
13
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
■小容量IPMシリーズ FujiIPM"Compact"series（IntelligentPowerModules）
下アームアラーム出力機能付 600Vクラス
With N-side alarm output function 600 volts class
型   式 インバータ部 Inverter 制御部 Control
パッケージ
質量
Device type VCES ICVCE(sat) VCCL Boot-
Input signal
保護機能 Protection function
Package
Net
Cont. VCCH strap
Acive logic
UV OC
Vtemp
TOH Alarm出力
mass
VB(*) Diode
and Voltage
VCCL ※1※2※2
VFO fault output
Typ. Typ. level VCCH
Volts Amps. Volts Volts VB(*)
Grams
6MBP15VRA060-50
600 15 1.80 15 Built-in
High(3.3/5V)
P&N-side
N-side N-side
-
N-side(UV,OC)
P633 9.3
6MBP15VRB060-50
600 15 1.80 15 Built-in
High(3.3/5V)
P&N-side
N-side -
N-side(125±10℃)
N-side(UV,OC,TOH)
P633 9.3
6MBP15VRC060-50
600 15 1.80 15 Built-in
High(3.3/5V)
P&N-side
N-side N-side
N-side(125±10℃)
N-side(UV,OC)
P633 9.3
▲
6MBP20VSA060-50
600 20 1.44 15 Built-in
High(3.3/5V)
P&N-side
N-side N-side
-
N-side(UV,OC)
P633A 9.3
▲
6MBP20VSC060-50
600 20 1.44 15 Built-in
High(3.3/5V)
P&N-side
N-side N-side
N-side(125±10℃)
N-side(UV,OC)
P633A 9.3
▲
6MBP30VSA060-50
600 30 1.42 15 Built-in
High(3.3/5V)
P&N-side
N-side N-side
-
N-side(UV,OC)
P633A 9.3
▲
6MBP30VSC060-50
600 30 1.42 15 Built-in
High(3.3/5V)
P&N-side
N-side N-side
N-side(125±10℃)
N-side(UV,OC)
P633A 9.3
▲ 開発中 Under development ※1 外部電流検出方式
※1 External current ditection
※2 LVIC内での温度検出
※2 Temperature detection in LVIC
14
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
■ディスクリートIGBTVシリーズ DiscreteIGBTsVseries
■ 型式の見方 Naming system for Fuji discrete IGBTs
6th gen. IGBT in fi eld-stop technorogy and trench-gate structure with Ultra fast FWD
600Vクラス 600 volts class
1200Vクラス 1200 volts class
型   式
スイッチング
逆並列 絶対最大定格 Maximum Ratings
VCE(sat)
Eon Eoff Qg VF
パッケージ
質量
Device type 周波数
ダイオード
VCES ICICP tsc PD
(VGE=15V)
(Rg=10Ω) Package Net
Switching
Anti-Parallel
Tc=100°C
IGBT Typ. typ. typ. typ. IFmass
frequency Diode Volts
Amps. Amps.
μsec. Watts Volts mJ mJ nC Volts
Amps.
Grams
FGW30N60VD Low 内蔵Yes 600 30 60 10 230 1.6 1.2 0.7 225 1.5 25
TO-247-P2
6.0
FGW35N60H High - 600 35 105 5 230 1.5 0.9 0.85 210 - -
TO-247-P2
6.0
FGW35N60HD High 内蔵Yes 600 35 105 5 230 1.5 0.9 0.85 210 2.0 15
TO-247-P2
6.0
FGW50N60H High - 600 50 150 5 360 1.5 1.4 1.7 305 - -
TO-247-P2
6.0
FGW50N60HD High 内蔵Yes 600 50 150 5 360 1.5 1.4 1.7 305 2.0 25
TO-247-P2
6.0
▲FGW50N60HC High 内蔵Yes 600 50 150 5 360 1.5 1.5 1.7 305 2.3 50
TO-247-P2
6.0
FGW50N60VD Low 内蔵Yes 600 50 100 10 360 1.6 2.4 1.4 360 1.5 35
TO-247-P2
6.0
FGW75N60H High - 600 75 225 5 500 1.5 3.0 4.2 460 - -
TO-247-P2
6.0
FGW75N60HD High 内蔵Yes 600 75 225 5 500 1.5 3.0 4.2 460 2.0 35
TO-247-P2
6.0
▲FGW75N60VD Low 内蔵Yes 600 75 150 10 500 1.6 3.5 2.1 520 1.5 50
TO-247-P2
6.0
型   式
スイッチング
逆並列 絶対最大定格 Maximum Ratings
VCE(sat)
Eon Eoff Qg VF
パッケージ
質量
Device type 周波数
ダイオード
VCES ICICP tsc PD
(VGE=15V)
(Rg=10Ω) Package Net
Switching
Anti-Parallel
Tc=100°C
IGBT Typ. typ. typ. typ. IFmass
frequency Diode Volts
Amps. Amps.
μsec. Watts Volts mJ mJ nC Volts
Amps.
Grams
FGW15N120H High - 1200 15 45 5 155 1.8 0.6 0.8 140 - -
TO-247-P2
6.0
FGW15N120HD High 内蔵Yes 1200 15 45 5 155 1.8 0.6 0.8 140 2.2 12
TO-247-P2
6.0
FGW15N120VD Low 内蔵Yes 1200 15 30 10 155 1.85 1.1 0.8 150 1.7 15
TO-247-P2
6.0
FGW25N120VD Low 内蔵Yes 1200 25 50 10 260 1.85 2.2 1.4 235 1.7 25
TO-247-P2
6.0
FGW30N120H High - 1200 30 90 5 260 1.8 1.6 1.5 230 - -
TO-247-P2
6.0
FGW30N120HD High 内蔵Yes 1200 30 90 5 260 1.8 1.6 1.5 230 2.2 20
TO-247-P2
6.0
FGW40N120H High - 1200 40 120 5 340 1.8 2.8 1.8 300 - -
TO-247-P2
6.0
FGW40N120HD High 内蔵Yes 1200 40 120 5 340 1.8 2.8 1.8 300 2.2 30
TO-247-P2
6.0
FGW40N120VD Low 内蔵Yes 1200 40 80 10 340 1.85 4.3 2.2 320 1.7 30
TO-247-P2
6.0
F G W 35 N 60 HD
社名
Company
機種コード
Device code
パッケージコード
Package type
定格電流
Current
極性
Polarity
定格電圧
Voltage
シリーズ
Series
Fuji G IGBT W TO-247 ×1 N N-ch 60 600V H HighSpeedVw/oFWD
120 1200V HC
HighSpeedVwithFWD
HD
VD VserieswithFWD
▲ 開発中 Under development
■ 等価回路 Equivalent circuit
コレクタ
Collector
エミッタ
Emitter
ゲート
Gate
コレクタ
Collector
エミッタ
Emitter
ゲート
Gate
（a）ダイオード内蔵
withDiode
（b）ダイオードなし
withoutDiode
15
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
■特長  Features
ドライブ回路、保護機能内蔵
 ・光絶縁
 （信号入力、IGBT チップ温度モニター、
異常検出時アラーム出力）
・短絡保護、過熱保護、制御電圧低下保護
鉛フリー
Easytouse
・Opticalisolated
 (signalinput,IGBT'stemperaturemonitor,alarmoutput)
・Detectionandprotection
 (short-circuit,over-temperature,under-voltage)
LeadFreePackage
■
HEV用IGBTIPMの特長 FeaturesofIGBTIPMforHybridElectricVehicle
■特性 Characteristics
型   式 VCES IC(Cont) VCE(sat) VFパッケージ
Device type Volts Amps. Typ. Volts Typ. Volts Package
▲2MBP600UN-120V 1200 600 2.00 2.20 P401
（Tj=25℃）
▲ 開発中 Under development
16
集積回路/Integrated Circuits
2
■AC/DC 電源制御用 IC の特長 FeaturesofAC/DCPowerSupplycontrolICs
低待機電力対応PWM制御IC  GreenModePWM-ICs
■特長  Features
500V/750V 耐圧起動回路内蔵
低待機電力に有利な軽負荷時スイッチング周波数低減
各種保護機能（過電圧/ ブラウンアウト/2 段階過電力）が充実
周波数拡散機能により、低 EMI ノイズ実現
Internal start-up circuit with a 500V / 750V rating
Linearly reduced switching frequency at light load for low standby
power Many protection functions;Over voltage / Brown out / two
stage Over power etc.
Low EMI noise by frequency diffusion
■効率  Efficiency
低待機電力 ICFA5680効率データ
Efficiency Data: Green Mode PWM-IC FA5680
· Input Voltage: 80VAC to 264VAC
· Output Voltage: 19VDC
· Output Power: 65W (3.42A)
Load 25% 50% 75% 100% Average
115VAC 90.4% 90.0% 89.2% 88.4% 89.5%
230VAC 90.4% 90.5% 90.2% 89.3% 90.1%
86
87
89
91
90
88
92
0 25 50 75 100
Output Power [䟸]
Efficiency [䟸]
115VAC 230VAC
LimitLine:average87%
 at25,50,75,100%Load
■特長  Features
500V 耐圧起動回路内蔵
低待機電力対応（間欠動作 /周波数低減）
各種保護機能（過電圧 /過負荷など）が充実
Internal start-up circuit with a 500V rating
Green Mode function; Intermittent Switching / Linearly reduced switchingfrequency
Many protection functions; Over voltage / Over load protection etc.
低待機電力対応擬似共振制御IC  GreenModeQuasi-resonantICs
■特長  Features
幅広い電力範囲に対応（75W 〜 1kW）
力率 0.99 以上を実現
各種保護機能（FB ピンオープンショート / 過電圧など）が充実
Correspondence to a wide power range; 75W to 1kW
Power Factor ≥ 0.99
Many protection functions; FB pin open short protection/Over voltage etc.
力率改善制御IC  PowerFactorCorrectionICs
17
集積回路/Integrated Circuits 2
■特長  Features
ワールドワイドの広範囲入力にて、1 コンバータによる LLC 電流共振電源システムの構成が可能
ハイサイド駆動回路内蔵
共振はずれ防止機能、各種保護（過電流、過電圧、過負荷、過熱、BI/BO）機能内蔵
低待機電力対応（間欠動作）
LLC resonant power supply by single converter is available in world-wide input.
Built in High-side Driver
Function to avoid capacitive region operation. Protection function :OCP,OVP,OLP,OTP,BI/BO
Stanby Mode function; Intermittent Switching
電流共振IC  CurrentResonantICs
400
350
300
250
200
150
100
50
0
80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280
Vin(Vac)
Input power at standby
Input Power (mW)
0mW 30mW
42mW 60mW
18
集積回路/Integrated Circuits
2
■AC/DC 電源制御用 IC AC/DCPowerSupplycontrolICs
󱾀低待機電力対応PWM制御IC（電流モード）  GreenmodePWM-ICs(Currentmode)
回路方式
Circuit
type
型式
Type
Name
最大
デューティ
Duty
入力電圧
Recommend
input voltage
動作周
波数
Frequency
電流検出
Current
sense
過負荷保護
Over load
protection
過電力保護
Over Power
Protection
過電圧保護
Over
voltage
protection
500V/750V
起動回路
500V/750V
Start up
circuit
低待機
電力機能
Green
mode
function
パッケージ
Package
備考
Remarks
PWM
ブラウンアウト
あり
With
Brown
out
FA5546N
80%
11 - 24V
60kHz マイナス
検出
Negative
voltage
sense
自動復帰
Auto-
Recovery 2段階
2Stage
ラッチ
Latch
内蔵
Built-in
（500V）
リニア周波数
低減
Linearly
reduced
switching
frequency
8pin
SOP
FA5547N
タイマーラッチ
Timer-latch
FA5628N
85%
65kHz
自動復帰
Auto-
Recovery 1段階
1Stage
内蔵
Built-in
（750V）
FA5627N
タイマーラッチ
Timer-latch
FA8A00N
83%
12 - 24V プラス
検出
Positive
voltage
sense
自動復帰
Auto-
Recovery 2段階
2Stage
(OPP ratio
1:1.4) 内蔵
Built-in
（500V）
リニア周波数
低減 +
間欠動作
Linearly
reduced
switching
requencyand
Intermittent
X-Cap
放電機能
X-Cap
discharge
function
FA8A01N
タイマーラッチ
Timer-latch
遅延（Delay）:
70ms
FA8A27N 10 - 28V
タイマーラッチ
Timer-latch
遅延（Delay）:
860ms
2段階
2Stage
(OPP ratio
1:1.8)
PWM
ブラウンアウト
なし
Without
Brown out
FA5526N
80% 10 - 26V
130kHz プラス
検出
Positive
voltage
sense
タイマーラッチ
Timer-latch
1段階
1Stage
ラッチ
Latch 内蔵
Built-in
（500V）
リニア周波数
低減
Linearly
reduced
switching
frequency
8pin
SOP
FA5527N 100kHz
FA5528N 60kHz
FA5536N 130kHz 自動復帰
Auto-
Recovery
自動復帰
Auto-
Recovery
FA5537N 100kHz
FA5538N 60kHz
FA5637N
85%
11 - 24V 65kHz
マイナス
検出
Negative
voltage
sense
タイマーラッチ
Timer-latch
ラッチ
Latch
内蔵
Built-in
(750V)
FA5639N 10 - 24V 100kHz
FA5680N
11 - 24V
65kHz
自動復帰
Auto-
Recovery
リニア周波数
低減 +
間欠動作
Linearly
reduced
switching
requency
and
Intermittent
FA5681N
タイマーラッチ
Timer-latch
FA8A60N
83%
10 - 24V プラス
検出
Positive
voltage
sense
自動復帰
Auto-
Recovery
1段階
1Stage
内蔵
Built-in
（500V）
リニア周波数
低減 +
間欠動作
Linearly
reduced
switching
frequency
and
Intermittent
FA8A61N
タイマーラッチ
Timer-latch
FA8A70N
自動復帰
Auto-
Recovery
X-Cap
放電機能
X-Cap
discharge
function
FA8A71N
タイマーラッチ
Timer-latch
FA8A12N 12 - 24V
自動復帰
Auto-
Recovery
2段階
2Stage
X-Cap
放電機能
X-Cap
discharge
function
19
集積回路/Integrated Circuits 2
󱾀低待機電力対応PWM-IC系列（ブラウンアウトあり）  GreenmodePWM-ICswithBrownOutfunction
󱾀低待機電力対応PWM-IC系列（ブラウンアウトなし）  GreenmodePWM-ICswithoutBrownOutfunction
󱾀低待機電力対応PWM-IC代表型式ブロック図  BlockdiagramofGreenmode（mainmodel）
FA5528N
低待機電力PWMIC
Green Mode PWM IC
ブラウンアウト機能あり
With Brown Out function
電流検出：マイナス検出
Current senes : Negative
1段階 過電力保護
1 Stage OPP
2段階 過電力保護
2 Stage OPP
動作周波数
fsw: 65kHz
過負荷保護（OLP）：
自動復帰
Auto-recovery
過負荷保護（OLP）：
タイマーラッチ
Timer-latch
動作周波数
fsw: 60kHz
電流検出：プラス検出
Current sense : Positive
FA5628N FA5627N
過負荷保護（OLP）：
自動復帰
Auto-recovery
過負荷保護（OLP）：
タイマーラッチ
Timer-latch
FA5546N FA5547N
2段階 過電力保護
2 Stage OPP
OPP ratio 1:1.4
2段階 過電力保護
2 Stage OPP
OPP ratio 1:1.8
動作周波数
fsw: 65kHz
過負荷保護（OLP）：
自動復帰
Auto-recovery
過負荷保護（OLP）：
タイマーラッチ
Timer-latch
動作周波数
fsw: 65kHz
FA8A00N FA8A01N
OLP Delay:
70ms
OLP Delay:
70ms
OLP Delay:
200ms
OLP Delay:
200ms
OLP Delay:
70ms
OLP Delay:
70ms
過負荷保護（OLP）：
タイマーラッチ
Timer-latch
OLP Delay:
860ms
FA8A27N
低待機電力PWM IC
Green Mode PWM IC
ブラウンアウト機能なし
Without Brown Out function
2段階 過電力保護
2 Stage OPP
1段階 過電力保護
1 Stage OPP
電流検出：プラス検出
Current sense: Positive
過負荷保護（OLP）：
自動復帰
Auto-recovery
過負荷保護（OLP）：
タイマーラッチ
Timer-latch
過負荷保護（OLP）：
自動復帰
Auto-recovery
過負荷保護（OLP）：
タイマーラッチ
Timer-latch
過負荷保護（OLP）：
タイマーラッチ
Timer-latch
過負荷保護（OLP）：
自動復帰
Auto-recovery
過負荷保護（OLP）：
タイマーラッチ
Timer-latch
リニア周波数低減+間欠動作
Linearly reduced frequency
and Intermittent
リニア周波数低減+間欠動作
Linearly reduced frequency
and Intermittent
リニア周波数低減+間欠動作
Linearly reduced frequency
and Intermittent
リニア周波数低減
Linearly reduced frequency
リニア周波数低減
Linearly reduced frequency
電流検出：プラス検出
Current sense : Positive
電流検出：マイナス検出
Current sense : Negative
X-Cap放電機能
X-Cap discharge
X-Cap放電機能
X-Cap discharge
X-Cap放電機能
X-Cap discharge
動作周波数
fsw: 130kHz
動作周波数
fsw: 100kHz
動作周波数
fsw: 60kHz
動作周波数
fsw: 100kHz
動作周波数
fsw: 65kHz
動作周波数
fsw: 65kHz
動作周波数
fsw: 65kHz
FA8A12NFA8A71NFA8A61NFA8A70NFA8A60NFA5526NFA5527NFA5528NFA5639NFA5637NFA5681NFA5680N
FA5680N
※ OPP：OverPowerProtection
20
集積回路/Integrated Circuits
2
󱾀汎用PWM制御IC GeneralPWM-ICs
回路方式
Circuit
type
型式
Type
Name
制御方式
Control
mode
最大
デューティ
Duty
入力電圧
Recommend
input voltage
動作周波数
Frequency
電流検出
Current
sense
過負荷保護
Over load
protection
過電圧保護
Over
voltage
protection
低待機
電力機能
Green
mode
function
パッケージ
Package
備考
Remarks
PWM
FA13842P/N
電流
モード
Current
mode
96%
10 - 25V
外部調整
Adjustable
プラス検出
Positive
voltage
sense
‒‒‒
8pin
DIP/SOP
UVLO
16.5V ON
9.0V OFF
FA13843P/N
UVLO
9.6V ON
9.0V OFF
FA13844P/N
48%
UVLO
16.5V ON
9.0V OFF
FA13845P/N
UVLO
9.6V ON
9.0V OFF
FA3641P/N
電圧
モード
Voltage
mode
70% 10 - 28V
プラス検出
Positive
voltage
sense
タイマー
ラッチ
Timer-latch
ラッチ
Latch
リニア
周波数低減
Linearly
reduced
switching
frequency
FA3647P/N
マイナス検出
Negative
voltage
sense
FA5504P/S 46%
10 - 28V
プラス検出
Positive
voltage
sense ‒
エラーアンプ
内蔵
With ER
amp
FA5510P/N
FA5511P/N 70%
FA5514P/N 46%
マイナス検出
Negative
voltage
sense
FA5515P/N 70%
FA5604N 46%
10 - 30V
マイナス検出
Negative
voltage
sense
自動復帰
Auto-
Recovery
ヒカップ動作 /
停止期間比率
1：7
リニア
周波数低減
Linearly
reduced
switching
frequency
8pin
SOP
UVLO
17.5V ON
9.7V OFF
軽負荷時周波
数低減開始
/復帰FB
電圧
1.8V/1.95V
FA5605N
70%
自動復帰
Auto-
Recovery
ヒカップ動作 /
停止期間比率
1：15
FA5606N
自動復帰
Auto-
Recovery
ヒカップ動作 /
停止期間比率
1：7
UVLO
17.5V ON
9.7V OFF
軽負荷時周波
数低減開始
/
復帰 FB
電圧
1.55V/1.65V
FA5607N ‒
UVLO
17.5V ON
9.7V OFF
21
集積回路/Integrated Circuits 2
󱾀汎用PWM制御IC系列 GeneralPWM-ICs
󱾀汎用PWM-IC代表型式ブロック図  BlockdiagramofGeneralPWM-ICs（mainmodel）
FA13842P/N FA5604N
汎用PWMIC
General PWM IC
低待機電力機能
Green mode function
ボルテージモード
Voltage mode
OCL：+検出
: -detection
Dmax=70%
FA3641P/N
汎用PWMIC
General PWM IC
FA5606N
過負荷ヒカップ動作比率
OLP HICCUP RATE
1:7
OCL：-検出
: -detection
FA5604N
Dmax=46%
過負荷ヒカップ動作比率
OLP HICCUP RATE
1:7
過負荷保護(OLP)
:自動復帰
: Auto-recovery
FA5605N
過負荷ヒカップ動作比率
OLP HICCUP RATE
1:15
過負荷保護(OLP)
:自動復帰
: Auto-recovery
FA3647P/N
過負荷保護(OLP)
:タイマーラッチ
: Timer-latch
OCL：-検出
: -detection
ボルテージモード
Voltage mode
カレントモード
Current mode
FA13843P/N
UVLO
: 9.6V ON
9.0V OFF
FA13845P/N
UVLO
: 9.6V ON
9.0V OFF
FA5510P/N
OCL：+検出
: -detection
Dmax=70%
FA5511P/N
OCL：+検出
: -detection
Dmax=96%
FA13842P/N
UVLO
: 16.5V ON
9.0V OFF
OCL：+検出
: -detection
FA5607N
過負荷保護
(OLP)
:自動復帰
: Auto-recovery
FA5515P/N
Dmax=48%
FA13844P/N
UVLO
: 16.5V ON
9.0V OFF
OCL：+検出
: -detection
Dmax=46%
FA5504P/S
エラーアンプ 内 臓
With ER amp
OCL：+検出
: -detection
FA5514P/N
OCL：-検出
: -detection
OCL：-検出
: -detection
過負荷保護
(OLP)
:タイマーラッチ
: Timer-latch
Voltage Controlled
Oscillator
Overload
Sensing
Output current
limit function
FB(2)
5V
VF(7) RT(1)
ONE
SHOT
䋭0.17V
IS(3)
OUTPUT
EN
OUT(5)
UVLO
5V Reg.
Internal
supply
5V Reg.
Check
17.5V/9.7V
CS(8)
ON/OFF
0.75V/0.60V
OSC & counter
(For Hiccup)
GND(4)
15.5V
Dmax= 46%
VCC(6)
3.5/3.3V
S
RQB
Q
S
RQB
Q
PWM
7.3V
UVLO
Latch
S
RQB
Q
3.6V
37.5V
10k㱅
1M㱅
10pF
80㱅
22
集積回路/Integrated Circuits
2
󱾀低待機電力対応擬似共振制御IC GreenmodeQuasi-resonantICs
回路方式
Circuit
type
型式
Type
Name
制御方式
Control
mode
入力電圧
Recommend
input voltage
最大周波数
Maximum
frequency
過負荷保護
Over load
protection
過電圧保護
Over
voltage
protection
過電圧検出
Over voltage
sense
500V 起動回
路
500V Start
up circuit
低待機
電力機能
Green mode
function
ﾊﾟｯｹｰｼﾞ
Package
備考
Remarks
擬似共振
Quasi-
resonant
FA5570N
電流モード
Current
mode
10-28V
UVLO
18V ON
8V OFF
120kHz
自動復帰
Auto-Recovery
––
内蔵
Built-in
間欠動作
Intermittent
Switching
8pin
SOP
FA5571N
ラッチ
Latch
ZCD
FA5572N
タイマーラッチ
Timer-latch
FA5573N
自動復帰
Auto-Recovery
リニア
周波数低減
Linearly reduced
switching
frequency
FA5574N
タイマーラッチ
Timer-latch
FA5577N
自動復帰
Auto-Recovery
VCC
FA5640N 11 - 26V
UVLO
14V ON
8V OFF
オン−オフ幅
検出による
ボトムスキッ
プ数制御
Control
ofbottom
skipsbyon-
offwidth
detection
自動復帰
Auto-Recovery
ZCD
間欠動作
Intermittent
Switching
FA5641N
最小周波数制
限機能
Min. frequency
limitation
FA5642N
11 - 26V
UVLO
10V ON
8V OFF
FA5643N
11 - 26V
UVLO
14V ON
8V OFF
最小周波数制
限機能
Min.frequency
limitation
IS 端子ラッチ
停止機能
Latchstop
functionofIS
pin
FA5644N
タイマーラッチ
Timer-latch
FA5648N
自動復帰
Auto-Recovery
高周波動作向け
ForHighSW
frequency
23
集積回路/Integrated Circuits 2
󱾀低待機電力対応擬似共振制御IC系列  GreenmodeQuasi-resonantICs
󱾀低待機電力対応擬似共振IC代表型式ブロック図  BlockdiagramofQuasi-resonantICs（mainmodel）
FA5574NFA5577NFA5573NFA5572NFA5571NFA5570NFA5644NFA5642NFA5648NFA5643NFA5641NFA5640N
低待機電力：間欠動作
Green Mode: Intermittent
低待機電力：周波数低減
Green Mode: Reduced ferquency
疑似共振制御IC
Quasi-resonant IC
過電圧検出：ZCD
OV sense: ZCD
過電圧検出：VCC
OV sense: VCC
過電圧検出：ZCD
OV sense: ZCD
過電圧検出：ZCD
OV sense: ZCD
過電圧検出：ZCD
OV sense: ZCD
過電圧保護無し：
No overvoltage
protection
IS端子ラッチ機能：
Latch stop function of IS pin
過負荷保護（OLP）:
自動復帰
Auto-recovery
過負荷保護（OLP）:
自動復帰
Auto-recovery
過負荷保護（OLP）:
タイマーラッチ
Timer-latch
過負荷保護（OLP）:
タイマーラッチ
Timer-latch
過負荷保護（OLP）:
自動復帰
Auto-recovery
過負荷保護（OLP）:
タイマーラッチ
Timer-latch
最小周波数制限機能：
Min. frequency limitation
UVLO: 14.0V ON
8.0V OFF
UVLO: 10.0V ON
8.0V OFF
UVLO: 14.0V ON
8.0V OFF
UVLO: 18.0V ON
8.0V OFF
UVLO: 18.0V ON
8.0V OFF
UVLO: 18.0V ON
8.0V OFF
UVLO: 18.0V ON
8.0V OFF
高周波動作向け：
For High Sw frequency
最大周波数: 120kHz
Max. frequency: 120kHz
オン・オフ幅検出によるボトムスキップ数制御
Control of bottom skips by on-off width detection
低待機電力：間欠動作
Green Mode: Intermittent
FA5640N
㻥㼒㼗㼗㼒㼐
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㻶
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㻋㻗㻑㻘䃒㼖㻌
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㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
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㻲㻹㻳
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻽㻦㻧
㼈㼑㼅
㻲㻯㻳
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻵㼈㼖㼈㼗
㻲㼉㼉㻃㼗㼌㼐㼈㼕㻃
㻋㻕䃒㼖㻌
㻵㻕
㻬㼑㼓㼘㼗㻃
㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
mode select
signal
VinH
24k
Resistance ratio
MP1 on/off
91.3%/100%
84.1%/100%
30k
㻚㻑㻘㻹
㻔㻃㼖㼋㼒㼗
㻋㻕㻜㻓㼑㼖㻌
㼈㼑㼅
set
㻥㼒㼗㼗㼒㼐㻃㻶㼎㼌㼓㻃
㼆㼒㼑㼗㼕㼒㼏
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㻋㻕㻗䃒㼖㻌
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㻓㻑㻘㻹
VinH 㻓㻑㻗㻘㻹
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㻵㼈㼖㼗㼄㼕㼗㻃㻷㼌㼐㼈㼕
㻕㻘䃒㼖
㻓㻑㻗㻘㻹
VinH
㻓㻑㻖㻘㻹
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㻓㻑㻘㻘㻹
㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜
㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜
㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑
㻎
㻐
150k
VinH
㻓㻑㻔㻘㻹
VinH 㻓㻑㻔㻓㻹
㻹㼗㼋㻬㻶㻃㼄㼗㻃㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜
MP1
24
集積回路/Integrated Circuits
2
󱾀力率改善制御IC  PowerfactorcorrectionICs
󱾀電流共振IC  CurrentResonantICs
回路方式
Circuit
type
型式
Type
Name
制御方式
Control
mode
最大
デューティ
Duty
入力電圧
Recommend
input voltage
UVLO
Under-
voltage
lockout
電流検出
Current
sense
動作
周波数
Frequency
ゼロ電流
検出
Zero Current
Detection
最大
周波数
Maximum
frequency
FB オープン
ショート
保護
FB open
short
protection
過電圧保護
Over
voltage
protection
パッケージ
Package
備考
Remarks
力率改善
PFC
FA5601N
臨界モード
CRM – 10 - 26V
13.0V ON
9.0V OFF
プラス検出
Positive
voltage
sense
自励方式
Self-
oscillation
補助巻線
Auxiliary
winding
外部調整
Adjustable
内蔵
Built-in
パルス幅制御
電圧制限
Voltage-Limit
by Pulse
width
8pin
SOP
FA5590N
9.6V ON
9.0V OFF
マイナス検出
Negative
voltage
sense
電流検出
Current
sence
FA5591N
13.0V ON
9.0V OFF
FA5695N
パルス幅制御
電圧制限
＋電圧制限
Voltage-Limit
by Pulse
width and
Voltage-Limit
2重OVP
Dual
OVP
FA5696N
9.6V ON
9.0V OFF
FA5502P/M
連続モード
CCM 94%
10 - 28V
16.5V ON
8.9V OFF
マイナス検出
Negative
voltage
sense
外部調整
Adjustable
–
150kHz – 電圧制限
Voltage-Limit
16pin
DIP/SOP
FA5612N
10 - 26V
9.6V ON
9.0V OFF
マイナス検出
Negative
voltage
sense
外部選択
Choice
65/60kHz/
jitter
(50-70kHz)
–内蔵
Built-in
パルス幅制御
電圧制限
Voltage-Limit
by Pulse
width
8pin
SOP
FA5613N
13.0V ON
9.0V OFF
電流共振 FA5760N
Current
Resonant
電圧モード
Voltage
mode
– 10 - 24V
12.0V ON
8.9V OFF
プラス検出
Positive
voltage
sense
自励方式
Self-
oscillation
– 200kHz –
タイマーラッチ
Timer-latch
16pin
SOP
ブラウン
アウト
機能内蔵
With
Brown out
25
集積回路/Integrated Circuits 2
󱾀力率改善制御IC代表型式ブロック図 BlockdiagramofPowerfactorcorrectionICs（mainmodel）
󱾀電流共振IC型式ブロック図 BlockdiagramofCurrentResonantIC
FA5590N/FA5591N
FA5760N
FA5613N
COMP
FB
RT
IS
Erramp
RTZC
VCC
REF
OUT
GND
ZCD
Comp
TIMER
RAMP
OSC
SP
OVP
SP
OVP
3
2.63V
PWM
Comp
Soft
Start
SP
UVLO
Delay
SP
Dynamic
OVP
+
-
䠃
1.5uA
+
-
2.5V
䠄
0.3V
+
-
2.73V/ 2.61V
+
-
-0.6V
䠇
+
-
+
-
-10mV
OVP
Comp
Short
Comp
䠆
Q
Q
S
R
F.F.
䠊
+
-
UVLO
Comp
5.0V
9.6V/ 9.0V(FA5590)
13.0V/ 9.0V(FA 559 1)
28V
䠉
䠈
Driver
UVLO
S
R
+
-
㻹㻦㻦
㻩㻥
㻦㻶
㻷
㻴
㻴㻥
㻵
㻵㼈㼊㻑㻃㻘㻹
㻷㻩㻩
㻘㻹
+
-
+
-
㻵㻨㻪㼂㻸㻹㻯㻲
㻬㼆㼋㼊㼂㼆㼖
㻋㼙㼄㼕㼌㼄㼅㼏㼈㻌
㻬㻶
㻹㻦㻦㻲㻱㻒
㻹㻦㻦㻲㻩㻩
㻯㻲
㻹㻫
㻶㼗㼄㼕㼗㻐 㼘㼓
㻦㼌㼕㼆 㼘㼌㼗
㻯㼈㼙㼈㼏㻐㻶㼋㼌 㼉㼗
㻶㼌㼊㼑㼄㼏㻒㻱㼒㼌㼖㼈
㻶㼈㼓㼄㼕 㼄㼗㼌㼒㼑
㻳㼘㼏㼖㼈
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㻵
㻸㻹
㼇㼈㼗㼈㼆㼗
㻧㼕㼌㼙㼈 㼕 㻫㻲
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㻹㻦㻦
㻧㼕㼌㼙㼈㼕
㻹㻥
㻪㻱㻧
㻵㻨㻩
㻥㼏㼒㼆㼎㻃㻧㼌㼄㼊㼕㼄㼐
㻬㼇㼌㼖㼂㼆㼖
㻋㼙㼄㼕㼌㼄㼅 㼏㼈㻌 +
-
+
-
㻹㻺
㻹㻦㻶㻲㻱㻒
㻹㻦㻶㻲㻩㻩
㻹㻷㻫㻬 㻶㻤㻳
㻒㻹㻷㻫㻲㻶㻥㻳
㻤㼕㼐㻐㼖㼋㼒㼕㼗㻃 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗
㻹㻦㻦㼂㻸㻹㻯㻲
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+
-
+
-
+
-
㻹㻥㻫
㻒㻹㻥㻯㻃
㻹㻦㻦 㻥㻶㻷
+
-
㻹㼗㼋㼂㼒㼋㼓
㻘㻹
㻹㼍㻲㻫
㻯㻤㻷㻦㻫
㻹㻦㻦㻫
㻹㻦㻦
㻷㻶㻧
㻲㻹㻳
+
-
㻖㻓㻓㼘㼖㻃
㼗㼌㼐㼈㼕 㻵
㻸㻹㻯㻲
㻯㼄㼗㼆㼋㻃㼆 㼌㼕㼆㼘㼌㼗
㻫㼌㼊㼋㻐㼖㼌㼇㼈㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗
+
-
㻹㼗㼋㼂㼅㼒
㻹㼗㼋㼂㼋㼙
㻹㻫㻲㻹㻳
㻥㻲㻃㼗㼌㼐㼈 㼕
㻋㻚㻓㼐㼖㻌
+
-
㻷㼌㼐㼌㼑㼊㻃
㼄㼇㼍㼘㼖㼗㼐㼈㼑㼗
㻲㻯㻳
㻚㻘㼐㼖㻒㻖㻓㻓㼐㼖
㻬㼑㼓㼘㼗㻃
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㼇㼈㼗㼈㼆㼗
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㻒㻕㻓㻓㻹㼄㼆
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㻦㻶㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗
㻘㻹
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㼓㼏㼘㼖㻃㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗
㼓㼏㼘㼖㻃㼆㼘㼕㼕㼈㼑㼗㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗
㼐㼌㼑㼘㼖㻃㼆㼘㼕㼕㼈㼑㼗㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗
㻷㻴
㻵
㻷㻴
㻵
㻹㻲㻦㻳㻒
㻹㻲㻦㻰
+
-
㼗㼇㻯㻤㻵
㻔㻓㻓㼘㼖
㻲㻦㻳
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㻹㻶㻷 㻲㻩㻩
㻦㼋㼄㼕 㼊㼈㻃
㼇㼈㼏㼄㼜
㻥㻲
㻥㻲㼆㼒㼐㼓
㻶㼗㼒㼓㻃㼖㼚㼌㼗㼆㼋㼌㼑㼊
㻥㻬㻤㻶㻫
㻥㻬㻤㻶㻯
㻷㻵㻰
㼓㼕㼒㼗㼈㼆 㼗
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗
㻹㻩㻥㻲㻱㻒
㻹㻩㻥㻲㻩㻩
+
-
㻦㻶㻦㻯㻳
㻹㻦㻶㻦㻯㻳㻫㻒
㻹㻦㻶㻦㻯㻳㻯
㻘㻹
㻘㻹
㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻰
㻒㻹㻷㻫㻲㻶㻥㻰
㻹㻹㻺㻳
㻹㻹㻺㻰
㻹㻦㻲
㻲㻶㻦
㼒㼑㼂㼗㼕㼊
㼕㼈㼖㼈㼗
+
-
㻹㻲㻯㻳
+
-
㻹㻷㻫㻯㻤㻷
㻹㻬㻶㻃㼏㼈㼙㼈㼏㻃
㼄㼇㼍㼘㼖㼗㼐㼈㼑㼗
㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻰
㻹㻷㻫㻬㻶㻥㻰
㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻳
㻹㻷㻫㻬㻶㻥㻳
㻳㻪㻶
㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗
UVLO
Multiplier
O.V.P.
O.C.P
Gate
Driver
FB
VIN
Detector
IL
Detector
IS
VCC
ERR. AMP
OUT
Dinamic O.V.P.
Static O.V.P.
FB
OSC
+
ᣉᩋᶭ⬗
GND
UV
SP
12k 28k
VCMP
PWM COMP
ICMP
2.5M
SP
UV
VD
VD
State
Set
5.0V
VDET
VREF Internal Bias : 5V
0.3V
CUR. AMP
2.5V 0.5V
2.7V
G
G
G
28V
3
8
2
1
4
7
5
6
󱾀力率改善制御IC系列 PowerfactorcorrectionICs
8 pin 8 pin
マイナス検出
Negative voltage sense
マイナス検出
Negative voltage sense
ゼロ電流検出端子無し
Without ZCD sense pin
発振周波数 外部選択
60/65kHz/jitter (50-70kHz)
Choice
プラス検出
Positive voltage sense
FA5601N
8 pin
ゼロ電流検出端子有り
With ZCD sense pin
UVLO
：13.0VON
9.0VOFF
16 pin
FA5502P/M
発振周波数 外部調整
15-150kHz
Adjustable
UVLO
㸯16.5V ON
8.9V OFF
UVLO
：9.6VON
9.0VOFF
UVLO
：13.0VON
9.0VOFF
UVLO
：13.0VON
9.0VOFF
FA5613N
PFC IC
力率改善制御IC
臨界モード
CRM Mode
連続モード
CCM Mode
二重OVP
DualOVPfunction
FA5696N
二重OVP
DualOVPfunction
UVLO
：9.6VON
9.0VOFF
FA5612N
FA5590N FA5591N FA5695N
󱾀電流共振IC CurrentResonantIC
Current Resonant IC
電流共振IC
Voltage mode
電圧モード
Positive voltage sense
プラス検出
Functiontoavoidcapativeregionoperation
共振はずれ防止機能内蔵
FA5760N
16pin
26
集積回路/Integrated Circuits
2
回路方式
Circuit
type
型式
Type name
絶対最大定格 Absolute maximum ratings 電気的特性 Electrical characteristics
ハイサイド対
地電圧
High side
fl oatingsupply
voltage
入力電圧
Maximum
supply voltage
出力電流
Output
current
source / sink
最大動作周
波数
Maximum
input
frequency
論理入力
電圧
Logic"1" / "0"
Input voltage
level (typ.)
入出力遅延
時間
Turn-on
and turn-off
propagation
delay (typ.)
電源電圧低
下保護
VCC and VBS
supply
under-voltage
threshold (typ.)
入力系統数
Number
of Input
terminal
パッケージ
Package
ハーフ
ブリッジ
Half-bridge
FA5650N
830V 30V -1.4A/1.8A
500kHz
Logic"1" 2.1V
Logic"0" 1.1V
125ns positive
going
8.9V
negative
going
8.2V
2
SOP-8
FA5651N
SOP-16
FA5751N
624V 24V
-0.2A/0.35A
Logic"1" 2.1V
Logic"0" 1.3V
125ns
SOP-8
FA5752N
High side
IHO: -0.62A/1.00A
Low side
ILO: -0.56A/0.91A
130ns
■
ハイサイド・ローサイドドライバ IC HighandLowsidedriverIC(HVIC)
■特長
VS 端子の高負電圧耐量により高信頼性を確保
30V までの広範囲電源電圧（FA5650/5651）
3.3V 論理入力に対応
電源電圧低下保護を内蔵
dVs/dt 耐量 50kV/us の高ノイズ耐量
入出力遅延時間は 125ns(typ.) と高速応答
（FA5650/5651/5751）
■ Features
High tolerance to negative transient voltage on VS terminal
Wide range supply voltage up to 30V (FA5650/5651)
3.3V logic compatible
Under-voltage lockout for both channels
Allowable offset supply voltage transient dVs/dt up to 50kV/us
Turn-on and Turn-off propagation delay time typical 125ns
(FA5650/5651/5751)
■用途  Application
モータドライブ、UPS、インバータ蛍光灯、IH クッキングヒータなどの IGBT/ パワー MOSFET 駆動用
IGBT/ Power MOSFET driver for motor drive, UPS, inverter fluorescent lamp and IH cooking heater
■端子配置  PinLayout
■標準応用回路  Typicalapplicationcircuit
■ブロック図（代表型式） Blockdiagram(mainmodel)
FA5651N FA5650N FA5751/52N
HIN
LIN
(NC)
(NC)
(NC)
GND
LO
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
(NC)
VB
HO
VS
(NC)
(NC)
(NC)
(NC)
1
2
3
4
HIN
LIN
GND
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
HIN
LIN
LO
VB
HO
VS
GND
DSP
etc.
1
2
3
4
HIN
LIN
GND
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
VCC
HV
To
LOAD
FA5650N
LIN(2)
Inputvoltage
detectcircuit
Delay=3us
R
Driver
GND(3)
VCC(5)
LO(4)
HIN(1)
Inputvoltage
detectcircuit
Level-Shift
Delay=1.5us
R
Driver
VS(6)
VB(8)
HO(7)
Timing
adjustment
UV
detect
UV
detect
Pulse
genatator
Signal/Noise
Separator
VREG
(5.0V)
27
集積回路/Integrated Circuits 2
型式
Type
Name
制御方式
Control mode
出力数
Output
channel
入力電圧
Recommend
input voltage
動作周波数
Frequency
基準電圧
Reference
Voltage
動作周囲温度
Operating
Ambient
Temperature
出力電流
Output
Current
出力段
MOSFET
Output
MOSFET
パッケージ
Package
昇圧
Boost
ﾌﾗｲﾊﾞｯｸ
Fly back
降圧
Buck
反転
Inverting
FA7700V ●● 1 2.5 - 18V 50k - 1MHz 0.88V -30 −+85℃− −
TSSOP-8
FA7701V ●1 2.5 - 18V 50k - 1MHz 0.88V -30 −+85℃− −
TSSOP-8
FA7703V ●●●● 2 2.5 - 28V 50k - 1MHz 1.0V -30 −+85℃− −
TSSOP-16
SOP-16
FA7704V ●●● 2 2.5 - 18V 50k - 1MHz 1.0V -30 −+85℃− −
TSSOP-16
FA3687V ●●●● 2 2.5 - 18V 300k - 1.5MHz 1.0V -40 −+85℃− −
TSSOP-16
FA7711V ●●●● 3 4.5 - 28V 200k - 800kHz Adjustable -20 −+85℃− −
TSSOP-24
FA7764AN/P
●1 9 - 45V 30k - 400kHz 1.0V -20 −+85℃1.5A 内蔵
Built-In SOP-8E
󱾀DC/DC制御IC系列（MOSFET外付け）  DC/DCPowerSupplycontrolICs(withoutMOSFET)
■DC/DC 電源制御用 IC DC/DCPowerSupplycontrolICs
󱾀DC/DC制御IC DC/DCPowerSupplycontrolICs
1 ch
FA7700V FA7701V FA7703V FA7704V FA7711V
DCDCコンバータ（MOSFET外付け）
DCDC converter(without MOSFET)
Vcc:
2.5 to 18V
Vcc:
2.5 to 28V
Vcc:
4.5 to 28V
2 ch 3 ch
昇圧/Boost
フライバック
/Flyback
降圧/Buck
降圧/Buck
昇圧/Boost
反転/Invert
フライバック
/Flyback
降圧/Buck
昇圧/Boost
フライバック
/Flyback
FA3687V
降圧/Buck
昇圧/Boost
反転/Invert
フライバック
/Flyback
降圧/Buck
昇圧/Boost
反転/Invert
フライバック
/Flyback
Vcc:
2.5 to 18V
DCDCコンバータ
28
集積回路/Integrated Circuits
2
󱾀DC/DC制御IC代表型式ブロック図  BlockdiagramofDC/DCPowerSupplycontrolICs（mainmodel）
FA7711V FA7764AN/P
󱾀DC/DC制御IC系列（MOSFET内蔵）  DC/DCPowerSupplycontrolICs(includedMOSFET)
FA7764AN/P
Vcc:
9to 45V
DCDCコンバータ（MOSFET内蔵）
DCDC converter(includedMOSFET)
1chPch内蔵
降圧/Buck
ё
3:0B &203 6
54
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57
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Reference
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Oscillator
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Er. Amp.
Er.A
mp.
Er. Amp.
1
2
Comp.
Comp.
Comp.
1
2
FB voltage
dtection
④
㻃
VREF
⑱ VCC⑯
㻃
CS3
⑫
㻃
OUT1
⑬
㻃
OUT2
⑤
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SEL2
⑨
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GND①
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CP
IN1-
FB1
IN2-
FB2
RT
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3 3
Soft
PVCC
P ch
drive
N/P ch
drive
N/P ch
drive
PVCC
PGND
PVCC
PGND
PGND
PGND
start
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⑭
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CS2 ⑪CS1
⑮
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OUT3
③
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SEL3
IN1+
⑰
㻃
PVCC
IN3+
IN3-
FB3
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21
24
23
22
②
⑥
⑦
⑧
⑲
⑳
UVLO
Reference
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3 3
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21
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23
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②
⑥
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⑲
⑳
UVLO
29
パワーMOSFET/PowerMOSFETs 3
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Super J-MOS
TM
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Silicon limit
(ref. ISPSD'91 M.Bhatnagar)
Conventional MOSFET
■コンセプト  Concept
スーパージャンクション技術により、従来のパワー MOSFET に比べ、素
子耐圧とオン抵抗（Ron・A) のトレードオフを大幅に改善し、ターンオフ
損失とターンオフ dV/dt とのトレードオフ特性を従来のパワー MOSFET
と同等レベルにする事で、低損失と低ノイズ特性を両立し電源の高効率化、
小型化をサポートします。
We have improved dramatically the trade-off characteristics between the
on-resistance and the breakdown voltage with the Superjunction technol-
ogy. We offer the Super J-MOS which made the low loss and the low noize
compatible by making the trade-off characteristic between a turn-off loss
and turn-off dV/dt into a level equivalent to the conventional MOSFET, As a
result, It contributes to the efficiency increase of a power supply and a min-
iaturization of it.
■特長  Features
低オン抵抗特性
 ・従来 (SuperFAP-E3) 比で Ron・A約 75％低減
低ターンオフ損失特性と低ノイズ特性の両立( 従来と同等レベル）
アバランシェ耐量保証
ゲートしきい値電圧3.0±0.5V保証
低オン抵抗化によるパッケージ小型化
 ・ex)600V/0.28ohm/TO-3P→600V/0.28ohm/TO-220
Lower RDS(on) characteristic
• Ron • A is reduced by about 75% compared to the conventional MOSFET
Maintains both low turn-off loss and low noise
• Same level with conventional MOSFET
Guarantee of avalanche robustness
Narrow band of the gate threshold voltage ( 3.0 ± 0.5V)
Small Package with Same RDS(on)
• ex) 600V/0.28ohm/TO-3P → 600V/0.28ohm/TO-220
■用途  Applications
サーバ、PC、太陽光、UPS、液晶テレビ、照明、標準電源などの PFC 回路・
PWM コンバータ
PFC or PWM converter for Server, PC, Solar, UPS, LCD-TV, Lighting and
Standard power supply
■SuperJ-MOSTMシリーズの特長 FeaturesoftheSuperJ-MOSTMseries
Conventional MOSFET
n+
Drain
n
n+n+
p+
p
Super J-MOSTM
n+n+
p+
p
n+
Drain
n+n+
p+
p
n+n+
p+
pnnn
GateSource GateSource
SuperJ-MOSTM は、富士電機の登録商標です。
Super J-MOSTM is registered trademarks of Fuji Electric.
30
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
3
■特長  Features
ターンオフ損失の低減
・従来比較約 75% 低減
低ゲートチャージ
・従来比較約 60% 低減
高アバランシェ耐量
低オン抵抗化によりパッケージの小型化
・500V/0.4Ω/TO-3P→500V/0.38Ω/TO-220 系
Low Turn-Off Loss
· 75% lower Eoff compared with Conventional type
Low Gate Charge
· 60% lower Qg compared with Conventional type
High Avalanche durability
· Improved Avalanche durability high temp.
Small Package with Same RDS(on)
· ex) 500V/0.4ohm/TO-3P → 500V/0.38ohm/TO-220
■コンセプト  Concept
第二世代擬平面接合技術により、低損失、低ノイズ特性と使い易さ
を両立し、電源セットの設計から製品までのトータル性能向上をサポー
トします。
We offer a higher performance and easy-to-use, easy-to-design planer
type power MOSFET achieved by the second generation "Quasi-Plane-
Junction" Technology. As a result, it contributes to the ecology electronics
by the performance improving efficiency.
■特長  Features
低損失特性と低ノイズ特性の両立
低オン抵抗特性
スイッチング時 dv/dt のゲート抵抗制御性が良い
スイッチング時の VGS のリンギングが小さい
ゲートしきい値電圧幅 ±0.5V
アバランシェ耐量が高く壊れにくいい
Maintains both low power loss and low noise
Lower RDS(on) characteristic
More controllable switching dv/dt by gate resistance
Smaller VGS ringing waveform during switching
Narrow band of the gate threshold voltage ( 3.0 ± 0.5V)
High avalanche durability
■SuperFAP-E3,E3Sシリーズの特長 FeaturesoftheSuperFAP-E3,E3Sseries
低損失・低ノイズ
Lower Emission
Ecology
E3
コンセプト概念図
Concept
使いやすさ
Easy to Design
Easy to use
(power loss, EMI noise)
エコロジー
擬平面接合セル
Quasi-Plane-Junction(QPJ)
擬平面接合技術により、低 Qgd によるスイッチング損失と低オン抵抗特性を実現しました。
We achieved low RDS(on) characteristic and Low Switching loss(Low Qgd) by applying "Quasi-Plane-Junction" Technology.
■SuperFAP-Gシリーズの特長 Features of the SuperFAP-Gseries
31
パワーMOSFET/PowerMOSFETs 3
■系列マップ  Seriesmap
SuperJ-MOS&SuperFAP-Gseries SuperFAP-E3&FAP-E3Sseries
1
10
100
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
最大ドレインソース間電圧VDSS
MaximumDrain-SourceVoltageVDSS(V)
最大連続ドレイン電流ID
MaximumContinuousDrainCurrentID(A)
SuperFAP-G SuperJ-MOS
0
5
10
15
20
25
30
400 500 600 700 800 900 1000
最大ドレインソース間電圧VDSS
MaximumDrain-SourceVoltageVDSS(V)
最大連続ドレイン電流ID
MaximumContinuousDrainCurrentID(A)
SuperFAP-E3SuperFAP-E3S
■型式の見方 NamingSystemforFujiPowerMOSFETProducts
F M V 20 N 60 S1
社名
Company
機種コード
Device code
パッケージコード
Package type
定格電流
Current
極性
Polarity
定格電圧
Voltage
シリーズ
Series
Fuji M
MOSFET
A TO-220F ×1 N N-ch ×1/10 S1 SuperJ-MOSTM(1G)
B D2-pack E SuperFAP-E3
C T-pack(S) ES SuperFAP-E3S
H TO-3P
I T-pack(L)
P TO-220
R TO-3PF
V TO-220F(SLS)
W TO-247
SuperJ-MOSTM は、富士電機の登録商標です。
Super J-MOSTM is registered trademarks of Fuji Electric.
32
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
3
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PDVGS VGS (th) Qg パッケージ 質 量 
Device type Max. typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts nC Grams
▲FMP07N60S1 600 6.5 19.5 0.58 60 30 3.0±0.5 (22) TO-220AB 2.0
▲FMV07N60S1 600 6.5 19.5 0.58 21 30 3.0±0.5 (22) TO-220F(SLS) 2.0
▲FMB07N60S1 600 6.5 19.5 0.58 (60) 30 3.0±0.5 (22) D2-Pack (1.6)
▲FMP08N60S1 600 8 24 0.47 70 30 3.0±0.5 (25) TO-220AB 2.0
▲FMV08N60S1 600 8 24 0.47 25 30 3.0±0.5 (25) TO-220F(SLS) 2.0
▲FMB08N60S1 600 8 24 0.47 (70) 30 3.0±0.5 (25) D2-Pack (1.6)
▲FMP10N60S1 600 10 30 0.38 90 30 3.0±0.5 28 TO-220AB 2.0
▲FMV10N60S1 600 10 30 0.38 32 30 3.0±0.5 28 TO-220F(SLS) 2.0
▲FMB10N60S1 600 10 30 0.38 (90) 30 3.0±0.5 28 D2-Pack (1.6)
▲FMP13N60S1 600 13 39 0.28 120 30 3.0±0.5 35 TO-220AB 2.0
▲FMV13N60S1 600 13 39 0.28 43 30 3.0±0.5 35 TO-220F(SLS) 2.0
▲FMB13N60S1 600 13 39 0.28 (120) 30 3.0±0.5 35 D2-Pack (1.6)
FMP20N60S1 600 20 60 0.19 150 30 3.0±0.5 48 TO-220AB 2.0
FMV20N60S1 600 20 60 0.19 60 30 3.0±0.5 48 TO-220F(SLS) 2.0
FMH20N60S1 600 20 60 0.19 130 30 3.0±0.5 48 TO-3P(Q) 5.0
FMW20N60S1 600 20 60 0.19 130 30 3.0±0.5 48 TO-247-P2 6.0
▲FMB20N60S1 600 20 60 0.19 (150) 30 3.0±0.5 48 D2-Pack (1.6)
FMP30N60S1 600 30 90 0.125 250 30 3.0±0.5 73 TO-220AB 2.0
FMV30N60S1 600 30 90 0.125 90 30 3.0±0.5 73 TO-220F(SLS) 2.0
FMH30N60S1 600 30 90 0.125 220 30 3.0±0.5 73 TO-3P(Q) 5.0
FMW30N60S1 600 30 90 0.125 220 30 3.0±0.5 73 TO-247-P2 6.0
▲FMB30N60S1 600 30 90 0.125 (250) 30 3.0±0.5 73 D2-Pack (1.6)
FMH47N60S1 600 47 141 0.07 390 30 3.0±0.5 125 TO-3P(Q) 5.0
FMW47N60S1 600 47 141 0.07 390 30 3.0±0.5 125 TO-247-P2 6.0
FMW79N60S1 600 68 204 0.04 545 30 3.0±0.5 203 TO-247-P2 6.0
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-onresistance,lowswitchingnoiseandlowswitchingloss
■SuperJ-MOSTMシリーズSuperJ-MOSTMseries
▲ 開発中 Under development
The Super J-MOSTM series products satisfi es the quality assurance level of general consumer use.
If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric.
Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment.
SuperJ-MOSTM シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
SuperJ-MOSTM は、富士電機の登録商標です。
Super J-MOSTM is registered trademarks of Fuji Electric.
33
パワーMOSFET/PowerMOSFETs 3
■SuperFAP-E3シリーズSuperFAP-E3series
低オン抵抗、低ノイズ Low-on resistance and low switching noise
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
記号 Letter symbols
VDSS: ドレイン・ソース電圧 Drain-source voltage
ID : ドレイン電流 Continuous drain current
ID(pulse):パルスドレイン電流 Pulsed drain current
RDS(on):ドレイン・ソース オン抵抗 Drain-source on-state resistance
PD:許容損失電力 Maximum power dissipation
VGS:ゲート・ソース電圧 Gate-source voltage
VGS(th): ゲートしきい値電圧 Gate threshold voltage
Qg:
トータルゲートチャージ量
Total gate charge
SuperFAP-E3シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い合
わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
The Super FAP-E3 series products satisfi es the quality assurance level of general consumer use.
If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric.
Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment.
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD ＊2VGS VGS (th) Qg パッケージ 質 量 
Device type Max.＊1Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts nC Grams
FMP05N50E 500 5 20 1.5 60 30 3±0.5 21 TO-220AB 2.0
FMV05N50E 500 5 20 1.5 21 30 3±0.5 21 TO-220F(SLS) 1.7
FMI05N50E 500 5 20 1.5 60 30 3±0.5 21 T-Pack(L) 1.6
FMC05N50E 500 5 20 1.5 60 30 3±0.5 21 T-Pack(S) 1.6
FMP07N50E 500 6.5 26 0.85 90 30 3±0.5 32 TO-220AB 2.0
FMV07N50E 500 6.5 26 0.85 32 30 3±0.5 32 TO-220F(SLS) 1.7
FMI07N50E 500 6.5 26 0.85 90 30 3±0.5 32 T-Pack(L) 1.6
FMC07N50E 500 6.5 26 0.85 90 30 3±0.5 32 T-Pack(S) 1.6
FMP08N50E 500 7.5 30 0.79 105 30 3±0.5 35 TO-220AB 2.0
FMV08N50E 500 7.5 30 0.79 37 30 3±0.5 35 TO-220F(SLS) 1.7
FMP12N50E 500 12 48 0.52 165 30 3±0.5 60 TO-220AB 2.0
FMV12N50E 500 12 48 0.52 60 30 3±0.5 60 TO-220F(SLS) 1.7
FMI12N50E 500 12 48 0.52 165 30 3±0.5 60 T-Pack(L) 1.6
FMC12N50E 500 12 48 0.52 165 30 3±0.5 60 T-Pack(S) 1.6
FMP16N50E 500 16 64 0.38 225 30 3±0.5 60 TO-220AB 2.0
FMV16N50E 500 16 64 0.38 80 30 3±0.5 60 TO-220F(SLS) 1.7
FMI16N50E 500 16 64 0.38 225 30 3±0.5 60 T-Pack(L) 1.6
FMC16N50E 500 16 64 0.38 225 30 3±0.5 60 T-Pack(S) 1.6
FMH16N50E 500 16 64 0.38 195 30 3±0.5 60 TO-3P(Q) 5.1
FMP20N50E 500 20 80 0.31 270 30 3±0.5 77 TO-220AB 2.0
FMV20N50E 500 20 80 0.31 95 30 3±0.5 77 TO-220F(SLS) 1.7
FMI20N50E 500 20 80 0.31 270 30 3±0.5 77 T-Pack(L) 1.6
FMC20N50E 500 20 80 0.31 270 30 3±0.5 77 T-Pack(S) 1.6
FMH20N50E 500 20 80 0.31 235 30 3±0.5 77 TO-3P(Q) 5.1
FMV23N50E 500 23 92 0.245 130 30 3±0.5 93 TO-220F(SLS) 1.7
FMH23N50E 500 23 92 0.245 315 30 3±0.5 93 TO-3P(Q) 5.1
FMR23N50E 500 23 92 0.245 150 30 3±0.5 93 TO-3PF 6.0
FMH28N50E 500 28 112 0.19 400 30 3±0.5 130 TO-3P(Q) 5.1
FMR28N50E 500 28 112 0.19 200 30 3±0.5 130 TO-3PF 6.0
FMP03N60E 600 3 12 2.3 60 30 3±0.5 21.5 TO-220AB 2.0
FMV03N60E 600 3 12 2.3 21 30 3±0.5 21.5 TO-220F(SLS) 1.7
FMI03N60E 600 3 12 2.3 60 30 3±0.5 21.5 T-Pack(L) 1.6
FMC03N60E 600 3 12 2.3 60 30 3±0.5 21.5 T-Pack(S) 1.6
FMP05N60E 600 5.5 22 1.3 90 30 3±0.5 33 TO-220AB 2.0
FMV05N60E 600 5.5 22 1.3 32 30 3±0.5 33 TO-220F(SLS) 1.7
FMI05N60E 600 5.5 22 1.3 90 30 3±0.5 33 T-Pack(L) 1.6
FMC05N60E 600 5.5 22 1.3 90 30 3±0.5 33 T-Pack(S) 1.6
FMP06N60E 600 6 24 1.2 105 30 3±0.5 35 TO-220AB 2.0
FMV06N60E 600 6 24 1.2 37 30 3±0.5 35 TO-220F(SLS) 1.7
FMP10N60E 600 10 40 0.79 165 30 3±0.5 47 TO-220AB 2.0
FMV10N60E 600 10 40 0.79 60 30 3±0.5 47 TO-220F(SLS) 1.7
FMI10N60E 600 10 40 0.79 165 30 3±0.5 47 T-Pack(L) 1.6
FMC10N60E 600 10 40 0.79 165 30 3±0.5 47 T-Pack(S) 1.6
34
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
3
■SuperFAP-E3シリーズSuperFAP-E3series
低オン抵抗、低ノイズ Low-on resistance and low switching noise（Continued）
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD ＊2VGS VGS (th) Qg パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts nC Grams
FMP11N60E 600 11 44 0.75 180 30 3±0.5 48.5 TO-220AB 2.0
FMV11N60E 600 11 44 0.75 65 30 3±0.5 48.5 TO-220F(SLS) 1.7
FMI11N60E 600 11 44 0.75 180 30 3±0.5 48.5 T-Pack(L) 1.6
FMC11N60E 600 11 44 0.75 180 30 3±0.5 48.5 T-Pack(S) 1.6
FMP13N60E 600 13 52 0.58 225 30 3±0.5 60 TO-220AB 2.0
FMV13N60E 600 13 52 0.58 80 30 3±0.5 60 TO-220F(SLS) 1.7
FMI13N60E 600 13 52 0.58 225 30 3±0.5 60 T-Pack(L) 1.6
FMC13N60E 600 13 52 0.58 225 30 3±0.5 60 T-Pack(S) 1.6
FMP16N60E 600 16 64 0.47 270 30 3±0.5 76 TO-220AB 2.0
FMV16N60E 600 16 64 0.47 95 30 3±0.5 76 TO-220F(SLS) 1.7
FMI16N60E 600 16 64 0.47 270 30 3±0.5 76 T-Pack(L) 1.6
FMC16N60E 600 16 64 0.47 270 30 3±0.5 76 T-Pack(S) 1.6
FMV19N60E 600 19 76 0.365 130 30 3±0.5 105 TO-220F(SLS) 1.7
FMH19N60E 600 19 76 0.365 315 30 3±0.5 105 TO-3P(Q) 5.1
FMR19N60E 600 19 76 0.365 150 30 3±0.5 105 TO-3PF 6.0
FMH23N60E 600 23 92 0.28 400 30 3±0.5 130 TO-3P(Q) 5.1
FMR23N60E 600 23 92 0.28 200 30 3±0.5 130 TO-3PF 6.0
FMV07N65E 650 7 28 1.47 37 30 3±0.5 35 TO-220F(SLS) 1.7
FMV09N65E 650 9 36 0.97 60 30 3±0.5 47 TO-220F(SLS) 1.7
FMV07N70E 700 7 28 1.5 48 30 4±0.5 32 TO-220F(SLS) 1.7
FMH07N70E 700 7 28 1.5 115 30 4±0.5 32 TO-3P(Q) 5.1
FMV09N70E 700 9 36 1.2 60 30 4±0.5 38 TO-220F(SLS) 1.7
FMH09N70E 700 9 36 1.2 145 30 4±0.5 38 TO-3P(Q) 5.1
FMV11N70E 700 11 44 0.85 85 30 4±0.5 50 TO-220F(SLS) 1.7
FMH11N70E 700 11 44 0.85 205 30 4±0.5 50 TO-3P(Q) 5.1
FMV15N70E 700 15 60 0.59 120 30 4±0.5 66 TO-220F(SLS) 1.7
FMV06N80E 800 6 24 2.0 48 30 4±0.5 32 TO-220F(SLS) 1.7
FMH06N80E 800 6 24 2.0 115 30 4±0.5 32 TO-3P(Q) 5.1
FMI06N80E 800 6 24 2.0 135 30 4±0.5 32 T-Pack(L) 1.6
FMC06N80E 800 6 24 2.0 135 30 4±0.5 32 T-Pack(S) 1.6
FMV08N80E 800 8 32 1.6 60 30 4±0.5 38 TO-220F(SLS) 1.7
FMH08N80E 800 8 32 1.6 145 30 4±0.5 38 TO-3P(Q) 5.1
FMI08N80E 800 8 32 1.6 165 30 4±0.5 38 T-Pack(L) 1.6
FMC08N80E 800 8 32 1.6 165 30 4±0.5 38 T-Pack(S) 1.6
FMV10N80E 800 10 40 1.1 85 30 4±0.5 50 TO-220F(SLS) 1.7
FMH10N80E 800 10 40 1.1 205 30 4±0.5 50 TO-3P(Q) 5.1
FMV13N80E 800 13 52 0.78 120 30 4±0.5 66 TO-220F(SLS) 1.7
FMH13N80E 800 13 52 0.78 285 30 4±0.5 66 TO-3P(Q) 5.1
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
35
パワーMOSFET/PowerMOSFETs 3
■SuperFAP-E3シリーズSuperFAP-E3series
低オン抵抗、低ノイズ Low-on resistance and low switching noise（Continued）
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD ＊2VGS VGS (th) Qg パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts nC Grams
FMH06N90E 900 6 24 2.5 115 30 4±0.5 33 TO-3P(Q) 5.1
FMV06N90E 900 6 24 2.5 48 30 4±0.5 33 TO-220F(SLS) 1.7
FMZ06N90E 900 6 24 2.5 135 30 4±0.5 33 T-Pack(L) 2.0
FMI06N90E 900 6 24 2.5 135 30 4±0.5 33 T-Pack(L) 1.6
FMC06N90E 900 6 24 2.5 135 30 4±0.5 33 T-Pack(S) 1.6
FMA06N90E 900 6 24 2.5 48 30 4±0.5 33 TO-220F 1.7
FMH07N90E 900 7 28 2.0 145 30 4±0.5 39 TO-3P(Q) 5.1
FMV07N90E 900 7 28 2.0 60 30 4±0.5 39 TO-220F(SLS) 1.7
FMI07N90E 900 7 28 2.0 165 30 4±0.5 39 T-Pack(L) 1.6
FMC07N90E 900 7 28 2.0 165 30 4±0.5 39 T-Pack(S) 1.6
FMH09N90E 900 9 36 1.4 205 30 4±0.5 50 TO-3P(Q) 5.1
FMV09N90E 900 9 36 1.4 85 30 4±0.5 50 TO-220F(SLS) 1.7
FMR09N90E 900 9 36 1.4 100 30 4±0.5 50 TO-3PF 6.0
FMH11N90E 900 11 44 1.0 285 30 4±0.5 60 TO-3P(Q) 5.1
FMV11N90E 900 11 44 1.0 120 30 4±0.5 60 TO-220F(SLS) 1.7
FMR11N90E 900 11 44 1.0 135 30 4±0.5 60 TO-3PF 6.0
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
36
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
3
SuperFAP-E3S シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
The Super FAP-E3Sseries products satisfi es the quality assurance level of general consumer use.
If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric.
Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment.
■SuperFAP-E3S低QgシリーズSuperFAP-E3SLowQgseries
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD ＊2VGS VGS (th) Qg パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts nC Grams
FMP12N50ES 500 12 48 0.5 180 30 3.7±0.5 41 TO-220AB 2.0
FMV12N50ES 500 12 48 0.5 65 30 3.7±0.5 41 TO-220F(SLS) 1.7
FMI12N50ES 500 12 48 0.5 180 30 3.7±0.5 41 T-Pack(L) 1.6
FMC12N50ES 500 12 48 0.5 180 30 3.7±0.5 41 T-Pack(S) 1.6
FML12N50ES 500 12 48 0.5 180 30 3.7±0.5 41 TFP 1.6
FMP16N50ES 500 16 64 0.38 225 30 3.7±0.5 52 TO-220AB 2.0
FMV16N50ES 500 16 64 0.38 80 30 3.7±0.5 52 TO-220F(SLS) 1.7
FMI16N50ES 500 16 64 0.38 225 30 3.7±0.5 52 T-Pack(L) 1.6
FMC16N50ES 500 16 64 0.38 225 30 3.7±0.5 52 T-Pack(S) 1.6
FMH16N50ES 500 16 64 0.38 195 30 3.7±0.5 52 TO-3P(Q) 5.1
FML16N50ES 500 16 64 0.38 225 30 3.7±0.5 52 TFP 1.6
FMP20N50ES 500 20 80 0.31 270 30 4.2±0.5 57 TO-220AB 2.0
FMV20N50ES 500 20 80 0.31 95 30 4.2±0.5 57 TO-220F(SLS) 1.7
FMI20N50ES 500 20 80 0.31 270 30 4.2±0.5 57 T-Pack(L) 1.6
FMC20N50ES 500 20 80 0.31 270 30 4.2±0.5 57 T-Pack(S) 1.6
FMH20N50ES 500 20 80 0.31 235 30 4.2±0.5 57 TO-3P(Q) 5.1
FML20N50ES 500 20 80 0.31 270 30 4.2±0.5 57 TFP 1.6
FMV21N50ES 500 21 84 0.27 120 30 4.2±0.5 67 TO-220F(SLS) 1.7
FMR21N50ES 500 21 84 0.27 135 30 4.2±0.5 67 TO-3PF 6.0
FMH21N50ES 500 21 84 0.27 285 30 4.2±0.5 67 TO-3P(Q) 5.1
FMV23N50ES 500 23 92 0.245 130 30 4.2±0.5 74 TO-220F(SLS) 1.7
FMR23N50ES 500 23 92 0.245 150 30 4.2±0.5 74 TO-3PF 6.0
FMH23N50ES 500 23 92 0.245 315 30 4.2±0.5 74 TO-3P(Q) 5.1
FMR28N50ES 500 28 112 0.19 200 30 4.2±0.5 92 TO-3PF 6.0
FMH28N50ES 500 28 112 0.19 400 30 4.2±0.5 92 TO-3P(Q) 5.1
FMP06N60ES 600 6 24 1.2 105 30 3.7±0.5 31 TO-220AB 2.0
FMV06N60ES 600 6 24 1.2 37 30 3.7±0.5 31 TO-220F(SLS) 1.7
FMI06N60ES 600 6 24 1.2 105 30 3.7±0.5 31 T-Pack(L) 1.6
FMC06N60ES 600 6 24 1.2 105 30 3.7±0.5 31 T-Pack(S) 1.6
FMP12N60ES 600 12 48 0.75 180 30 4.2±0.5 37 TO-220AB 2.0
FMV12N60ES 600 12 48 0.75 65 30 4.2±0.5 37 TO-220F(SLS) 1.7
FMI12N60ES 600 12 48 0.75 180 30 4.2±0.5 37 T-Pack(L) 1.6
FMC12N60ES 600 12 48 0.75 180 30 4.2±0.5 37 T-Pack(S) 1.6
FML12N60ES 600 12 48 0.75 180 30 4.2±0.5 37 TFP 1.6
FMP13N60ES 600 13 48 0.58 225 30 4.2±0.5 48 TO-220AB 2.0
FMI13N60ES 600 13 48 0.58 225 30 4.2±0.5 48 T-Pack(L) 1.6
FMC13N60ES 600 13 48 0.58 225 30 4.2±0.5 48 T-Pack(S) 1.6
FMH13N60ES 600 13 48 0.58 195 30 4.2±0.5 48 TO-3P(Q) 5.1
FML13N60ES 600 13 48 1.58 225 30 4.2±0.5 48 TFP 1.6
FMP16N60ES 600 16 64 0.47 270 30 4.2±0.5 56 TO-220AB 2.0
FMV16N60ES 600 16 64 0.47 95 30 4.2±0.5 56 TO-220F(SLS) 1.7
FMI16N60ES 600 16 64 0.47 270 30 4.2±0.5 56 T-Pack(L) 1.6
FMC16N60ES 600 16 64 0.47 270 30 4.2±0.5 56 T-Pack(S) 1.6
FMH16N60ES 600 16 64 0.47 235 30 4.2±0.5 56 TO-3P(Q) 5.1
FML16N60ES 600 16 64 0.47 270 30 4.2±0.5 56 TFP 1.6
FMV17N60ES 600 17 68 0.4 120 30 4.2±0.5 68 TO-220F(SLS) 1.7
FMR17N60ES 600 17 68 0.4 135 30 4.2±0.5 68 TO-3PF 6.0
FMH17N60ES 600 17 68 0.4 285 30 4.2±0.5 68 TO-3P(Q) 5.1
FMV19N60ES 600 19 76 0.365 130 30 4.2±0.5 74 TO-220F(SLS) 1.7
FMR19N60ES 600 19 76 0.365 150 30 4.2±0.5 74 TO-3PF 6.0
FMH19N60ES 600 19 76 0.365 315 30 4.2±0.5 74 TO-3P(Q) 5.1
FMR23N60ES 600 23 92 0.28 200 30 4.2±0.5 92 TO-3PF 6.0
FMH23N60ES 600 23 92 0.28 400 30 4.2±0.5 92 TO-3P(Q) 5.1
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
37
パワーMOSFET/PowerMOSFETs 3
■SuperFAP-GシリーズSuperFAP-Gseries
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
SuperFAP-G シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い合
わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
The Super FAP-G series products satisfi es the quality assurance level of general consumer use.
If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric.
Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment.
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD ＊2VGS VGS (th) Qg パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts nC Grams
2SK3598-01 100 29 116 0.062 105 ±30 3 to 5 22 TO-220AB 2.0
2SK3599-01MR 100 29 116 0.062 37 ±30 3 to 5 22 TO-220F 1.7
2SK3600-01L, S 100 29 116 0.062 105 ±30 3 to 5 22 T-pack 1.6
2SK3601-01 100 29 116 0.062 105 ±30 3 to 5 22 TFP 0.8
2SK3771-01MR 100 29 116 0.059 37 ±30 3 to 5 23 TO-220F 1.7
2SK3644-01 100 41 164 0.044 150 ±30 3 to 5 32 TO-220AB 2.0
2SK3645-01MR 100 41 164 0.044 53 ±30 3 to 5 32 TO-220F 1.7
2SK3646-01L, S 100 41 164 0.044 150 ±30 3 to 5 32 T-pack 1.6
2SK3647-01 100 41 164 0.044 150 ±30 3 to 5 32 TFP 0.8
2SK3586-01 100 73 292 0.025 270 ±30 3 to 5 52 TO-220AB 2.0
2SK3587-01MR 100 73 292 0.025 95 ±30 3 to 5 52 TO-220F 1.7
2SK3588-01L, S 100 73 292 0.025 270 ±30 3 to 5 52 T-pack 1.6
2SK3589-01 100 73 292 0.025 270 ±30 3 to 5 52 TFP 0.8
2SK3770-01MR 120 26 104 0.078 37 ±30 3 to 5 26 TO-220F 1.7
2SK3920-01 120 67 268 0.03 270 ±30 3 to 5 52 TO-220AB 2.0
2SK3886-01MR 120 67 268 0.03 95 ±30 3 to 5 52 TO-220F 1.7
2SK3921-01L, S 120 67 268 0.03 270 ±30 3 to 5 52 T-pack 1.6
2SK3922-01 120 67 268 0.03 270 ±30 3 to 5 52 TFP 0.8
2SK3602-01 150 23 92 0.105 105 ±30 3 to 5 21 TO-220AB 2.0
2SK3603-01MR 150 23 92 0.105 37 ±30 3 to 5 21 TO-220F 1.7
2SK3604-01L, S 150 23 92 0.105 105 ±30 3 to 5 21 T-pack 1.6
2SK3605-01 150 23 92 0.105 105 ±30 3 to 5 21 TFP 0.8
2SK3769-01MR 150 23 92 0.1 37 ±30 3 to 5 23 TO-220F 1.7
2SK3648-01 150 33 132 0.07 150 ±30 3 to 5 34 TO-220AB 2.0
2SK3649-01MR 150 33 132 0.07 53 ±30 3 to 5 34 TO-220F 1.7
2SK3650-01L, S 150 33 132 0.07 150 ±30 3 to 5 34 T-pack 1.6
2SK3474-01 150 33 132 0.07 150 ±30 3 to 5 34 TFP 0.8
2SK3537-01MR 150 33 132 0.07 53 ±20 1 to 2.5 46 TO-220F 1.7
2SK3590-01 150 57 228 0.041 270 ±30 3 to 5 52 TO-220AB 2.0
2SK3591-01MR 150 57 228 0.041 95 ±30 3 to 5 52 TO-220F 1.7
2SK3592-01L, S 150 57 228 0.041 270 ±30 3 to 5 52 T-pack 1.6
2SK3593-01 150 57 228 0.041 270 ±30 3 to 5 52 TFP 0.8
2SK3788-01 150 92 368 0.026 410 ±30 3 to 5 80 TO-247 4.9
2SK3789-01R 150 92 368 0.026 210 ±30 3 to 5 80 TO-3PF 6.0
2SK3882-01 150 100 400 0.016 600 ±30 3 to 5 140 TO-247 4.9
2SK3606-01 200 18 72 0.17 105 ±30 3 to 5 21 TO-220AB 2.0
2SK3607-01MR 200 18 72 0.17 37 ±30 3 to 5 21 TO-220F 1.7
2SK3608-01L, S 200 18 72 0.17 105 ±30 3 to 5 21 T-pack 1.6
2SK3609-01 200 18 72 0.17 105 ±30 3 to 5 21 TFP 0.8
2SK3594-01 200 45 180 0.066 270 ±30 3 to 5 51 TO-220AB 2.0
2SK3595-01MR 200 45 180 0.066 95 ±30 3 to 5 51 TO-220F 1.7
2SK3596-01L, S 200 45 180 0.066 270 ±30 3 to 5 51 T-pack 1.6
2SK3597-01 200 45 180 0.066 270 ±30 3 to 5 51 TFP 0.8
2SK3780-01 200 73 292 0.036 410 ±30 3 to 5 80 TO-247 4.9
2SK3781-01R 200 73 292 0.036 210 ±30 3 to 5 80 TO-3PF 6.0
2SK3883-01 200 100 400 0.02 600 ±30 3 to 5 140 TO-247 4.9
低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge
38
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
3
■SuperFAP-GシリーズSuperFAP-Gseries
低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge（Continued）
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD ＊2VGS VGS (th) Qg パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts nC Grams
2SK3870-01 230 40 160 0.076 270 ±30 3 to542 TO-220AB 2.0
2SK3871-01MR 230 40 160 0.076 270 ±30 3 to542 TO-220F 1.7
2SK3872-01L, S 230 40 160 0.076 270 ±30 3 to542 T-pack 1.6
2SK3610-01 250 14 56 0.26 105 ±30 3 to521 TO-220AB 2.0
2SK3611-01MR 250 14 56 0.26 37 ±30 3 to521 TO-220F 1.7
2SK3612-01L, S 250 14 56 0.26 105 ±30 3 to521 T-pack 1.6
2SK3613-01 250 14 56 0.26 105 ±30 3 to521 TFP 0.8
FMA18N25G 250 18 72 0.19 48 ±30 3 to 5 26 TO-220F 1.7
FMV24N25G 250 24 96 0.13 65 ±30 3 to 5 36 TO-220F(SLS) 1.7
2SK3554-01 250 37 148 0.1 270 ±30 3 to544 TO-220AB 2.0
2SK3555-01MR 250 37 148 0.1 95 ±30 3 to544 TO-220F 1.7
2SK3556-01L, S 250 37 148 0.1 270 ±30 3 to544 T-pack 1.6
2SK3535-01 250 37 148 0.1 270 ±30 3 to544 TFP 0.8
2SK3651-01R 250 37 148 0.1 115 ±30 3 to544 TO-3PF 6.0
2SK3778-01 250 59 236 0.053 410 ±30 3 to580 TO-247 4.9
2SK3779-01R 250 59 236 0.053 210 ±30 3 to580 TO-3PF 6.0
2SK3884-01 250 96 400 0.03 600 ±30 3 to5140 TO-247 4.9
2SK3873-01 280 56 224 0.061 410 ±30 3 to580 TO-247 4.9
2SK3874-01R 280 56 224 0.061 210 ±30 3 to580 TO-3PF 6.0
2SK3580-01MR 300 15 60 0.28 48 ±30 3.5 to4.5 23 TO-220F 1.7
2SK3772-01 300 32 128 0.13 270 ±30 3 to 5 44.5 TO-220AB 2.0
2SK3773-01MR 300 32 128 0.13 95 ±30 3 to544.5 TO-220F 1.7
2SK3774-01L, S 300 32 128 0.13 270 ±30 3 to544.5 T-pack 1.6
2SK3775-01 300 32 128 0.13 270 ±30 3 to544.5 TFP 0.8
2SK3776-01 300 53 212 0.072 410 ±30 3 to580 TO-247 4.9
2SK3777-01R 300 53 212 0.072 210 ±30 3 to580 TO-3PF 6.0
2SK3885-01 300 86 344 0.04 600 ±30 3 to5140 TO-247 4.9
2SK3725-01 450 3 12 2.5 50 ±30 3 to 5 10.5 TO-220AB 2.0
2SK3726-01MR 450 3 12 2.5 17 ±30 3 to 5 10.5 TO-220F 1.7
2SK3916-01 450 4.3 17.2 1.6 21 ±30 3 to 5 13 TO-220AB 2.0
2SK3917-01MR 450 4.3 17.2 1.6 21 ±30 3 to 5 13 TO-220F 1.7
2SK3914-01 450 6 24 1.2 90 ±30 3 to 5 15.5 TO-220AB 2.0
2SK3915-01MR 450 6 24 1.2 32 ±30 3 to 5 15.5 TO-220F 1.7
2SK3514-01 450 10 40 0.65 135 ±30 3 to522 TO-220AB 2.0
2SK3515-01MR 450 10 40 0.65 48 ±30 3 to522 TO-220F 1.7
2SK3516-01L, S 450 10 40 0.65 135 ±30 3 to522 T-pack 1.6
2SK3692-01 450 17 68 0.38 225 ±30 3 to 5 33 TO-220AB 2.0
2SK3693-01MR 450 17 68 0.38 80 ±30 3 to 5 33 TO-220F 1.7
2SK3694-01L, S 450 17 68 0.38 225 ±30 3 to 5 33 T-pack 1.6
2SK4040-01 450 17 68 0.38 225 ±30 3 to 5 33 TFP 0.8
39
パワーMOSFET/PowerMOSFETs 3
■SuperFAP-GシリーズSuperFAP-Gseries
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge（Continued）
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD ＊2VGS VGS (th) Qg パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts nC Grams
2SK3985-01 500 3.6 14.4 2.3 60 ±30 3 to 5 13 TO-220AB 2.0
2SK3986-01MR 500 3.6 14.4 2.3 21 ±30 3 to 5 13 TO-220F 1.7
2SK3987-01L, S 500 3.6 14.4 2.3 60 ±30 3 to 5 13 T-pack 1.6
2SK3517-01 500 6 24 1.5 90 ±30 3 to515 TO-220AB 2.0
2SK3518-01MR 500 6 24 1.5 32 ±30 3 to515 TO-220F 1.7
2SK3519-01 500 9 36 0.85 135 ±30 3 to520 TO-220AB 2.0
2SK3520-01MR 500 9 36 0.85 48 ±30 3 to520 TO-220F 1.7
2SK4004-01MR 500 9 36 0.85 48 ±30 2.5 to 3.5 24 TO-220F 1.7
2SK3521-01L, S 500 9 36 0.85 135 ±30 3 to520 T-pack 1.6
2SK3931-01 500 11 44 0.70 165 ±30 3 to525 TO-220AB 2.0
2SK3932-01MR 500 11 44 0.70 60 ±30 3 to525 TO-220F 1.7
2SK3933-01L, S 500 11 44 0.70 165 ±30 3 to525 T-pack 1.6
2SK3468-01 500 14 56 0.52 195 ±30 3 to530 TO-220AB 2.0
2SK3469-01MR 500 14 56 0.52 70 ±30 3 to530 TO-220F 1.7
2SK3512-01L, S 500 14 56 0.52 195 ±30 3 to530 T-pack 1.6
2SK3504-01 500 16 64 0.46 225 ±30 3 to533 TO-220AB 2.0
2SK3505-01MR 500 16 64 0.46 80 ±30 3 to533 TO-220F 1.7
2SK3581-01L, S 500 16 64 0.46 225 ±30 3 to533 T-pack 1.6
2SK3682-01 500 19 76 0.38 270 ±30 3 to532 TO-220AB 2.0
2SK3683-01MR 500 19 76 0.38 95 ±30 3 to532 TO-220F 1.7
2SK3684-01L, S 500 19 76 0.38 270 ±30 3 to532 T-pack 1.6
2SK3685-01 500 19 76 0.38 235 ±30 3 to532 TO-247 4.9
FML19N50G 500 19 76 0.38 270 ±30 3 to 5 32 TFP 0.8
2SK3522-01 500 25 100 0.26 335 ±30 3 to554 TO-247 4.9
2SK3523-01R 500 25 100 0.26 160 ±30 3 to554 TO-3PF 6.0
2SK3680-01 500 51 208 0.11 600 ±30 3 to5118 TO-247 4.9
2SK3988-01 600 3 12 3.3 60 ±30 3 to 5 13 TO-220AB 2.0
2SK3989-01MR 600 3 12 3.3 21 ±30 3 to 5 13 TO-220F 1.7
2SK3990-01L, S 600 3 12 3.3 60 ±30 3 to 5 13 T-pack 1.6
40
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
3
■SuperFAP-GシリーズSuperFAP-Gseries
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge（Continued）
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD ＊2VGS VGS (th) Qg パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts nC Grams
2SK3690-01 600 4.5 18 2.3 80 ±30 3 to515 TO-220AB 2.0
2SK3691-01MR 600 4.5 18 2.3 28 ±30 3 to515 TO-220F 1.7
2SK3524-01 600 8 32 1.2 135 ±30 3 to520 TO-220AB 2.0
2SK3525-01MR 600 8 32 1.2 48 ±30 3 to520 TO-220F 1.7
2SK3526-01L, S 600 8 32 1.2 135 ±30 3 to520 T-pack 1.6
2SK3887-01 600 9 36 1.0 165 ±30 3 to525 TO-220AB 2.0
2SK3888-01MR 600 9 36 1.0 60 ±30 3 to525 TO-220F 1.7
2SK3889-01L, S 600 9 36 1.0 165 ±30 3 to525 T-pack 1.6
2SK3501-01 600 12 48 0.75 195 ±30 3 to530 TO-220AB 2.0
2SK3502-01MR 600 12 48 0.75 70 ±30 3 to530 TO-220F 1.7
2SK3513-01L, S 600 12 48 0.75 195 ±30 3 to530 T-pack 1.6
2SK3450-01 600 13 52 0.65 225 ±30 3 to534 TO-220AB 2.0
2SK3451-01MR 600 13 52 0.65 80 ±30 3 to534 TO-220F 1.7
2SK3753-01R 600 13 52 0.65 95 ±30 3 to534 TO-3PF 6.0
2SK3686-01 600 16 64 0.57 270 ±30 3 to533 TO-220AB 2.0
2SK3687-01MR 600 16 64 0.57 97 ±30 3 to533 TO-220F 1.7
2SK3688-01L, S 600 16 64 0.57 270 ±30 3 to533 T-pack 1.6
2SK3689-01 600 16 64 0.57 235 ±30 3 to533 TO-247 4.9
2SK3527-01 600 21 84 0.37 335 ±30 3 to554 TO-247 4.9
2SK3528-01R 600 21 84 0.37 160 ±30 3 to554 TO-3PF 6.0
2SK3681-01 600 43 172 0.16 600 ±30 3 to5118 TO-247 4.9
2SK3673-01MR 700 10 40 1.18 80 ±30 3 to525 TO-220F 1.7
2SK3677-01MR 700 12 48 0.93 95 ±30 3 to531 TO-220F 1.7
2SK3891-01R 700 17 68 0.6 170 ±30 3 to546 TO-3PF 6.0
2SK3529-01 800 7 28 1.9 195 ±30 3 to521.5 TO-220AB 2.0
2SK3530-01MR 800 7 28 1.9 70 ±30 3 to521.5 TO-220F 1.7
41
パワーMOSFET/PowerMOSFETs 3
低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge（Continued）
■SuperFAP-GシリーズSuperFAP-Gseries
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
高速ダイオード内蔵 Built-in FRED
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD ＊2VGS VGS (th) Qg パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts nC Grams
2SK3727-01 900 2.2 8.8 8.0 75 ±30 3.5 to4.5 8.3 TO-220AB 2.0
2SK3728-01MR 900 2.2 8.8 8.0 26 ±30 3.5 to4.5 8 TO-220F 1.7
2SK3981-01 900 2.6 10.4 6.4 90 ±30 3 to 5 13 TO-220AB 2.0
2SK3982-01MR 900 2.6 10.4 6.4 32 ±30 3 to 5 13 TO-220F 1.7
2SK3983-01L, S 900 2.6 10.4 6.4 90 ±30 3 to 5 13 T-pack 1.6
2SK3698-01 900 3.7 14.8 4.3 120 ±30 3.5 to4.5 13 TO-220AB 2.0
2SK3699-01MR 900 3.7 14.8 4.3 43 ±30 3.5 to4.5 13 TO-220F 1.7
2SK3531-01 900 6 24 2.5 195 ±30 3 to521.5 TO-220AB 2.0
2SK3532-01MR 900 6 24 2.5 70 ±30 3 to521.5 TO-220F 1.7
2SK3676-01L, S 900 6 24 2.5 195 ±30 3 to521.5 T-pack 1.6
2SK4005-01MR 900 6 24 2.5 70 ±30 2.5 to 3.5 25 TO-220F 1.7
2SK3533-01 900 7 28 2.0 225 ±30 3 to525 TO-220AB 2.0
2SK3534-01MR 900 7 28 2.0 80 ±30 3 to525 TO-220F 1.7
2SK3674-01L, S 900 7 28 2.0 225 ±30 3 to525 T-pack 1.6
2SK3675-01 900 7 28 2.0 195 ±30 3 to525 TO-247 4.9
2SK3678-01 900 9 36 1.58 270 ±30 3 to531 TO-220AB 2.0
2SK3679-01MR 900 9 36 1.58 95 ±30 3 to531 TO-220F 1.7
2SK4006-01L, S 900 9 36 1.58 270 ±30 3 to 5 31 T-pack 1.6
2SK3549-01 900 10 40 1.4 270 ±30 3 to534.5 TO-247 4.9
2SK3550-01R 900 10 40 1.4 130 ±30 3 to537 TO-3PF 6.0
2SK3875-01 900 13 52 1.0 355 ±30 3 to546 TO-247 4.9
2SK3876-01R 900 13 52 1.0 170 ±30 3 to546 TO-3PF 6.0
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD ＊2VGS VGS (th) Qg パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts nC Grams
2SK3913-01MR 250 14 56 0.28 37 ±30 3 to522 TO-220F 1.7
2SK3923-01 250 14 56 0.28 105 ±30 3 to522 TO-220AB 2.0
2SK3924-01L, S 250 14 56 0.28 105 ±30 3 to522 T-pack 1.6
2SK3925-01 250 34 136 0.11 270 ±30 3 to556 TO-220AB 2.0
2SK3926-01MR 250 34 136 0.11 95 ±30 3 to556 TO-220F 1.7
2SK3927-01L, S 250 34 136 0.11 270 ±30 3 to556 T-pack 1.6
2SK3695-01 500 13 52 0.55 195 ±30 3 to528 TO-220AB 2.0
2SK3696-01MR 500 13 52 0.55 70 ±30 3 to528 TO-220F 1.7
2SK3928-01 600 11 44 0.8 195 ±30 3 to530 TO-220AB 2.0
2SK3929-01MR 600 11 44 0.8 70 ±30 3 to530 TO-220F 1.7
2SK3930-01L, S 600 11 44 0.8 195 ±30 3 to530 T-pack 1.6
2SK3697-01 600 42 168 0.17 600 ±30 3 to5105 TO-247 4.9
42
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
3
低オン抵抗、高ゲート耐圧 Low-on resistance and high gate capability
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
■中耐圧トレンチシリーズTrenchPowerMOSFET
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD ＊2VGS VGS (th) パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts Grams
FMP80N10T2 100 80 320 0.0128 270 +30/-20 2 to 4 TO-220AB 2.0
FMA80N10T2 100 80 320 0.0128 95 +30/-20 2 to 4 TO-220F 1.7
FMI80N10T2 100 80 320 0.0128 270 +30/-20 2 to 4 T-pack(L) 1.6
FMC80N10T2 100 80 320 0.0128 270 +30/-20 2 to 4 T-pack(S) 1.6
FMP65N15T2 150 65 260 0.0245 270 +30/-20 2 to 4 TO-220AB 2.0
FMA65N15T2 150 65 260 0.0245 95 +30/-20 2 to 4 TO-220F 1.7
FMI65N15T2 150 65 260 0.0245 270 +30/-20 2 to 4 T-pack(L) 1.6
FMC65N15T2 150 65 260 0.0245 270 +30/-20 2 to 4 T-pack(S) 1.6
FMP49N20T2 200 49 196 0.047 270 +30/-20 2 to 4 TO-220AB 2.0
FMA49N20T2 200 49 196 0.047 95 +30/-20 2 to 4 TO-220F 1.7
FMI49N20T2 200 49 196 0.047 270 +30/-20 2 to 4 T-pack(L) 1.6
FMC49N20T2 200 49 196 0.047 270 +30/-20 2 to 4 T-pack(S) 1.6
中耐圧トレンチシリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問
い合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
The Trench Power MOSFET series products satisfi es the quality assurance level of general consumer use.
If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric.
Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment.
43
パワーMOSFET/PowerMOSFETs 3
アバランシェ耐量保証 Avalanche rated
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
■FAP-IIIシリーズ（Pチャネル）FAP-IIIseries(Pchannel)
■FAP-IIIBシリーズFAP-IIIBseries
超低オン抵抗・高アバランシェ耐量 Ultra low on-state resistance
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD ＊2VGS VGS (th) パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts Grams
2SJ472-01L, S -30 -5 -20 0.4 15 ±16 -1.5 K-pack 0.6
2SJ314-01L, S -60 -5 -20 0.3 20 ±20 -1.5 K-pack 0.6
2SJ473-01L, S -60 -7 -28 0.2 20 ±20 -1.5 K-pack 0.6
2SJ474-01L, S -60 -7 -28 0.2 20 ±20 -1.5 T-pack 1.6
2SJ475-01 -60 -25 -100 0.06 50 ±20 -1.5 TO-220AB 2.0
2SJ476-01L, S -60 -25 -100 0.06 50 ±20 -1.5 T-pack 1.6
2SJ477-01MR -60 -25 -100 0.06 40 ±20 -1.5 TO-220F 1.7
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD ＊2VGS VGS (th) パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts Grams
2SK2806-01 30 35 140 0.02 60 ±16 1.5 TO-220AB 2.0
2SK2807-01L, S 30 35 140 0.02 60 ±16 1.5 T-pack 1.6
2SK2808-01MR 30 35 140 0.02 40 ±16 1.5 TO-220F 1.7
2SK2687-01 30 50 200 0.01 60 ±16 1.5 TO-220AB 2.0
2SK2688-01L, S 30 50 200 0.01 60 ±16 1.5 T-pack 1.6
2SK2689-01MR 30 50 200 0.01 40 ±16 1.5 TO-220F 1.7
2SK3363-01 30 50 200 0.0068 80 ±20 1.5 TO-220AB 2.0
2SK2890-01MR 30 50 200 0.0068 80 ±16 1.5 TO-220F 1.7
2SK2892-01R 30 90 360 0.0055 100 ±16 1.5 TO-3PF 6.0
2SK2891-01 30 100 400 0.0055 125 ±16 1.5 TO-3P 5.5
2SK2893-01 30 100 400 0.004 150 ±16 1.5 TO-3P 5.5
2SK2894-01R 30 100 400 0.004 125 ±16 1.5 TO-3PF 6.0
2SK2895-01 60 45 180 0.012 60 ±20 1.5 TO-220AB 2.0
2SK2896-01L, S 60 45 180 0.012 60 ±20 1.5 T-pack 1.6
2SK2897-01MR 60 45 180 0.012 40 ±20 1.5 TO-220F 1.7
2SK2900-01 60 45 180 0.015 60 ±30 3.0 TO-220AB 2.0
2SK2901-01L, S 60 45 180 0.015 60 ±30 3.0 T-pack 1.6
2SK2902-01MR 60 45 180 0.015 40 ±30 3.0 TO-220F 1.7
2SK3362-01 60 50 200 0.01 80 ±20 1.5 TO-220AB 2.0
2SK2809-01MR 60 50 200 0.01 50 ±20 1.5 TO-220F 1.7
2SK3364-01 60 50 200 0.012 80 ±30 3.0 TO-220AB 2.0
2SK2903-01MR 60 50 200 0.012 80 ±30 3.0 TO-220F 1.7
2SK2905-01R 60 70 280 0.012 100 ±30 3.0 TO-3PF 6.0
2SK2691-01R 60 70 280 0.01 100 ±20 1.5 TO-3PF 6.0
2SK2690-01 60 80 320 0.01 125 ±20 1.5 TO-3P 5.5
2SK2904-01 60 80 400 0.012 125 ±30 3.0 TO-3P 5.5
2SK2898-01 60 100 400 0.007 150 ±20 1.5 TO-3P 5.5
2SK2899-01R 60 100 400 0.007 125 ±20 1.5 TO-3PF 6.0
2SK2906-01 60 100 400 0.008 150 ±30 3.0 TO-3P 5.5
2SK2907-01R 60 100 400 0.008 125 ±30 3.0 TO-3PF 6.0
44
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
3
＊ R
DS (on): VGS=10V
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
自動車用Super FAP-E3S 低Qgシリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
自動車用Super FAP-E3S 低Qg高速ダイオード内蔵シリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
■自動車用トレンチMOSFET Automotive Trench Power MOSFET
■
自動車用SuperFAP-E3S低Qgシリーズ Automotive Super FAP-E3S Low Qg series
■自動車用SuperFAP-E3S低Qg高速ダイオード内蔵シリーズ
Automotive Super FAP-E3S Low Qg Built-in FRED series
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PDVGS VGS (th) パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts Grams
2SK3273-01MR 60 70 280 0.0065 70 +30/-20 3.0 TO-220F 1.7
2SK3270-01 60 80 320 0.0065 135 +30/-20 3.0 TO-220AB 2.0
2SK3272-01L, S 60 80 320 0.0065 135 +30/-20 3.0 T-pack 1.6
2SK3272-01SJ 60 80 320 0.0065 135 +30/-20 3.0 D2-pack 1.6
2SK3271-01 60 100 400 0.0065 155 +30/-20 3.0 TO-3P 5.5
2SK3730-01MR 75 70 280 0.0079 70 ±20 3.0 TO-220F 1.7
2SK3804-01S 75 70 280 0.0085 162 ±20 3.0 T-pack 1.6
2SK4068-01 40 70 280 0.006 115 +30/-20 3.0 TO-247 4.9
2SK4047-01S 60 80 320 0.0065 195 +30/-20 3.0 T-pack 1.6
FMC80N10R6 100 80 320 0.0067 180 +30/-20 3.0 T-Pack 1.6
FMY100N10R6 100 100 400 0.0067 280 +30/-20 3.0 TO-247 6.3
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD ＊2 VGS VGS (th) Qg パッケージ
質 量 
Device type Max. ＊1 typ. Typ. Package
Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts nC Grams
FMY50N30ES 300 50 200 0.072 400 +30/-30 4.2±0.5 97 TO-247 6.4
FMY72N30ES 300 72 288 0.045 570 +30/-30 4.2±0.5 155 TO-247 6.4
FMY24N60ES 600 24 96 0.280 400 +30/-30 4.2±0.5 95 TO-247 6.4
FMY31N60ES 600 31 124 0.200 495 +30/-30 4.2±0.5 125 TO-247 6.4
FMY36N60ES 600 36 144 0.160 570 +30/-30 4.2±0.5 155 TO-247 6.4
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD ＊2 VGS VGS (th) Qg パッケージ
質 量 
Device type Max. ＊1 typ. Typ. Package
Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts nC Grams
FMY47N30ESF 300 47 188 0.085 400 +30/-30 4.2±1.0 96 TO-247 6.4
FMY67N30ESF 300 67 268 0.053 570 +30/-30 4.2±1.0 155 TO-247 6.4
FMY22N60ESF 600 22 88 0.290 400 +30/-30 4.2±1.0 95 TO-247 6.4
FMY30N60ESF 600 30 120 0.210 495 +30/-30 4.2±1.0 125 TO-247 6.4
FMY35N60ESF 600 35 140 0.170 570 +30/-30 4.2±1.0 155 TO-247 6.4
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-onresistance,lowswitchingnoiseandlowswitchingloss
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-onresistance,lowswitchingnoiseandlowswitchingloss
The Automotive Super FAP-E3S Low Qg series of products satisfi es the quality assurance level of general automobile use (conforms to AEC-Q101).
Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment.
Automotive Super FAP-E3S Low Qg Built-in FRED series of products satisfi es the quality assurance level of general automobile use (conforms to AEC-Q101).
Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment.
45
パワーMOSFET/PowerMOSFETs 3
＊1 R
DS (on): VGS=5V
＊2 2ch入り Contains 2 channels
▲ 開発中 Under development
自動車用SuperJ-MOSTMシリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
■自動車用SuperJ-MOSTMシリーズ Automotive Super J-MOSTM series
自己保護機能・診断機能内蔵 Selfprotectionandsafetycheck
＊1 R
DS (on): VCC=12V  ＊2 R
DS (on): VIN=5V  ＊3 2ch入り Contains 2 channels
■自動車用IPSシリーズ
（インテリジェントパワースイッチ）
Automotive IPS series
( Intelligent Power Switches )
■自動車用高機能パワーMOSFET Automotive Intelligent Power MOSFET
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PD V
GS VGS (th) Qg パッケージ
質 量 
Device type Max. typ. Typ. Package
Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts nC Grams
▲FMY47N60S1 600 47 141 0.07 390 30 3.0±0.5 125 TO-247 6.4
▲FMY53N60S1 600 53 159 0.062 480 30 3.0±0.5 164 TO-247 6.4
▲FMY79N60S1 600 68 204 0.04 545 30 3.0±0.5 203 TO-247 6.4
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PDVGS VGS (th) パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1 typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts Grams
F5018 40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6
F5019 40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6
F5020 40 3 - 0.40 10 - - K-pack 0.6
F5033 40 1 - 0.60 1.5 - - SOP-8＊20.2
F5041 40 1 - 0.60 1.5 - - SOP-8＊20.2
F5042 40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6
F5043 40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6
F5048 80 15 27 0.125 43 - - T-pack 1.6
F5055 40 5.9 - 0.14 7.8 - - SSOP-20＊20.3
型   式 VDSS IDID (pulse) RDS (on) PDVGS VGS (th) パッケージ 質 量 
Device type Max. typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω)Watts Volts Volts Grams
F5044H 50 2.5 - 0.12＊11.5 - - SOP-8 0.2
F5045P 50 1 - 0.60＊11.5 - - SOP-8 0.2
F5062H 35 50 - 0.008＊1114 - - PSOP-12 0.4
F5063L 40 1.9 - 0.14＊21.75 - - SOP-8＊30.2
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-onresistance,lowswitchingnoiseandlowswitchingloss
Automotive Super J-MOSTM series of products satisfi es the quality assurance level of general automobile use (conforms to AEC-Q101).
Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment.
SuperJ-MOSTM は、富士電機の登録商標です。
Super J-MOSTM is registered trademarks of Fuji Electric.
46
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
■特長  Features
・接合部温度Ｔｊ =175℃保証を実現
⇒従来品に対して高温側の動作限界温度を向上
・従来の低 IR シリーズに対して、VF は同等で IR は 1/10 以下に低減
⇒熱暴走のリスクを軽減し、高温での高信頼性を実現
・従来の LLD に対し、VF は 10% 低減、IR も 1/10 以下に低減
⇒従来の LLD からの置き換え、もしくは低い耐圧の SBD が使用
可能
· Junction temperature (Tj) of 175°C is guaranteed
 ⇒ Able to operate at a higher temperature than conventional
  products.
· Compared with the conventional low IR series, offers equivalent VF
while IR is reduced to 1/10 or less.
 ⇒ Reduced risk of thermal runaway and enhanced reliability at
  higher temperatures.
· Compared with conventional LLD, VF is reduced by 10%, while IR
is reduced to 1/10 or less.
 ⇒ Can be used to replace existing LLD or lower voltage class SBD.
■SBD,LLD の特長 FeaturesoftheSBD,LLD
SBD(Shottoky-BarrierDiode) UltraLow-IRSBD
LLD(LowLossDiode) SuperLLDseriesforPFCcircuit
■特長  Features
SuperLLD-3（電流連続モード PFC 用）
・従来の SuperLLD 系列の VF-trr トレードオフラインの改善
・従来の電流連続モード用 SuperLLD-1 に対して、更なる高速
化と同時に低ＶＦ化を達成し、MOSFET+DIODE の温度低減
と低損失化が可能
SuperLLD-2,2A（臨界モード PFC 用）
・DCM-PFC 用に最適化した低 VF 特性による低損失化
・ソフトリカバリー性による低ノイズ
Super LLD-3 for CCM-PFC
· Improvement in the VF-trr trade off line of the conventional
type.
· As a result of having balanced shorter trr with a lower VF
than the conventional Super LLD-1 for CCM-PFC, Super LLD
series, the restraint of the temperature rise and low loss of
MOSFET + Diode and the high efficiency of the were made
possible.
Super LLD-2, 2A for DCM-PFC
· Low power loss is achieved by optimization of DCM-PFC of low
VF.
· Low noise depend on soft recovery characteristic.
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SuperLLD1
SuperLLD2
SuperLLD3
trr(ns)10A,-100A/us,100℃
VF(V)10A,100℃
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SuperLLD-3 SuperLLD-1
(600V/10A) (600V/10A)
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DIODE⊿T (℃)
MOSFET⊿T (℃)
Condition : 400W PC Server supply, AC100V f=68.7kHz
MOSFET: 2.0°C down
DIODE: 8.8°C down
■ SuperLLD 系列の VF-trr 特性
VF-trrcharacteristicsofSuperLLDSeries
■ CCM-PFC における SuperLLD-3 の温度低減
TemperaturereductioneffectofSuperLLD-3onCCM-PFC
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UL-IR-SBD LLD
(150V/20A) (200V/20A)
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Condition : 75W standard power supply, AC100V f=125kHz
15.6°C down
■汎用電源における超低 IR-SBD の温度低減
TemperaturereductioneffectofUltraLow-IRSBDon
standardpowersupply.
47
整流ダイオード/RectifierDiodes 4
シングル 1 in one-package
■ショットキーバリアダイオード Schottky-BarrierDiodes(SBD)
記号 Letter symbols
VRRMピーク繰返し逆電圧Repetitive peak reverse voltage
VRSM ピーク非繰返し逆電圧Non-repetitive peak reverse voltage
IO 平均出力電流Average output current
IFSMサージ電流Surge current
Tj接合温度 Junction temperature
Ta 周囲温度 Ambient temperature
Tc ケース温度 Case temperature
Tstg保存温度Storage temperature
VFM順電圧Forward voltage
IRRM逆電流Reverse current
trr逆回復時間Reverse recovery time
Rthj-c熱抵抗 ( 接合ケース間 )Thermal resistance (Junction to case)
Tlリード温度Lead temperature
IF(AV)平均順電流Average forward current
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM IRRM＊3
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
SD882-02 SMD 20 2.0 (Tl=96°C) 70 -55 to +125 0.39 (IF=2.0A) 2 18.0 SD 0.035
SD883-02 SMD 20 3.0 (Tl=103°C) 70 -40 to +125 0.39 (IF=3.0A) 2 18.0 SD 0.035
SD832-03 SMD 30 2.0 (Tl=124°C) 70 -55 to +150 0.46 (IF=2.0A) 1 18.0 SD 0.035
CB803-03 30 2.0 (Tl=133°C) 80 -40 to +150 0.47 (IF=1.5A) 5 10.0 Lead-3 0.3
SD833-03 SMD 30 3.0 (Tl=127°C) 70 -40 to +150 0.46 (IF=3.0A) 1 18.0 SD 0.035
SD834-03 SMD 30 4.0 (Tl=100°C) 70 -55 to +150 0.46 (IF=4.0A) 1 18.0 SD 0.035
ERA82-004 40 0.6 (Ta=45°C) 25 -40 to +150 0.55 (IF=0.6A) 1 10.0 Lead-1 0.18
ERA81-004 40 1.0 (Ta=25°C) 50 -40 to +150 0.55 (IF=1.0A) 2 15.0 Lead-2 0.22
ERA83-004 40 1.0 (Tl=136°C) 50 -40 to +150 0.55 (IF=1.0A) 2 10.0 Lead-1 0.18
SC802-04 SMD 40 1.0 (Tl=136°C)＊440 -40 to +150 0.55 (IF=1.0A) 2 15.0 SC 0.06
SD832-04 SMD 40 2.0 (Tl=120°C) 70 -55 to +150 0.51 (IF=2.0A) 1 18.0 SD 0.035
SD862-04 SMD 40 2.0 (Tl=125°C) 80 -55 to +150 0.59 (IF=2.0A) 0.1 18.0 SD 0.035
ERB83-004 40 2.0 (Tl=130°C) 100 -40 to +150 0.55 (IF=2.0A) 5 10.0 Lead-3 0.3
ERB81-004 40 2.0 (Tl=130°C) 100 -40 to +150 0.55 (IF=2.0A) 5 12.0 Lead-4 0.5
SD883-04 SMD 40 3.0 (Tl=100°C) 70 -40 to +125 0.45 (IF=3.0A) 1 18.0 SD 0.035
SD863-04 SMD 40 3.0(Tl=116°C) 110 - 55 to +150 0.5 9 (IF=3.0A) 0.1 18.0 SD 0.035
SD833-04 SMD 40 3.0 (Tl=122°C) 70 -40 to +150 0.51 (IF=3.0A) 1 18.0 SD 0.035
ERC81-004 40 3.0 (Tl=130°C) 120 -40 to +150 0.55 (IF=3.0A) 5 8.0 Lead-7 1.2
SD834-04 SMD 40 4.0 (Tl=96°C) 70 -55 to +150 0.51 (IF=4.0A) 1 18.0 SD 0.035
ERC81S-004 40 5.0 (Tl=108°C) 140 -40 to +150 0.55 (IF=5.0A) 5 8.0 Lead-7 1.2
ERA83-006 60 1.0 (Tl=136°C) 30 -40 to +150 0.58 (IF=1.0A) 2 10.0 Lead-1 0.18
SC802-06 SMD 60 1.0 (Tl=136°C)＊430 -40 to +150 0.58 (IF=1.0A) 2 15.0 SC 0.06
ERB83-006 60 2.0 (Tl=130°C) 60 -40 to +150 0.58 (IF=2.0A) 5 10.0 Lead-3 0.3
CB863-06 60 2.0 (Tl=131°C) 90 -40 to +150 0.62 (IF=2.0A) 0.1 10.0 Lead-3 0.3
SD863-06 SMD 60 3.0 (Tl=115°C) 60 -55 to +150 0.62 (IF=3.0A) 0.1 18.0 SD 0.035
SD833-06 SMD 60 3.0 (Tl=121°C) 60 -40 to +150 0.58 (IF=2.5A) 1 18.0 SD 0.035
ERC81-006 60 3.0 (Tl=131°C) 80 -40 to +150 0.58 (IF=3.0A) 5 8.0 Lead-7 1.2
ERA85-009 90 1.0 (Tl=131°C) 30 -40 to +150 0.82 (IF=1.0A) 1 10.0 Lead-1 0.18
SC802-09 SMD 90 1.0 (Tl=131°C)＊430 -40 to +150 0.85 (IF=1.0A) 1 15.0 SC 0.06
ERA84-009 90 1.0 (Tl=131°C)＊530 -40 to +150 0.90 (IF=1.0A) 1 15.0 Lead-2 0.22
ERB84-009 90 2.0 (Ta=50°C)＊660 -40 to +150 0.90 (IF=2.0A) 2 12.0 Lead-4 0.5
SD833-09 SMD 90 3.0 (Tl=112°C) 60 -40 to +150 0.85 (IF=3.0A) 1 18.0 SD 0.035
ERC84-009 90 3.0 (Tl=122°C) 80 -40 to +150 0.80 (IF=3.0A) 5 8.0 Lead-7 1.2
SD863-10 SMD 100 3.0 (Tl=105°C) 60 -55 to +150 0.84 (IF=3.0A) 0.1 18.0 SD 0.035
CB863-12 120 2.0 (Tl=124°C) 70 -40 to +150 0.88 (IF=2.0A) 0.08 10.0 Lead-3 0.3
FD867-12 120 3.0 (Tl=115°C) 100 -40 to +150 0.88 (IF=3.0A) 0.12 8.0 Lead-7 1.2
FD868-12 120 4.0 (Tl=106°C) 120 -40 to +150 0.88 (IF=4.0A) 0.15 8.0 Lead-7 1.2
CB863-15 150 2.0 (Tl=116°C) 60 -40 to +150 0.90 (IF=2.0A) 0.08 10.0 Lead-3 0.3
FD867-15 150 3.0 (Tl=113°C) 90 -40 to +150 0.90 (IF=3.0A) 0.12 8.0 Lead-7 1.2
FD868-15 150 4.0 (Tl=102°C) 110 -40 to +150 0.90 (IF=4.0A) 0.15 8.0 Lead-7 1.2
( ) 条件
＊1 抵抗負荷 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 VR=VRRM
＊4 ガラスエポキシ基板に装着,ランド 寸 法15x15mm
＊5 プリント板取り付け (ランド10x10mm)
＊6 20x20mm銅フィンを両側につける場合
( ) Conditions
＊1 Resistive load ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 VR=VRRM
＊4 Mounted to fabric base epoxy resin printed circuits (land 15×15mm)
＊5 P.C board mounting (land 10×10mm)
＊6 Mounted Cu fi ns (20×20mm) on the both lead
F
48
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
シングル 1 in one-package
■ショットキーバリアダイオード Schottky-BarrierDiodes(SBD)
記号 Letter symbols
VRRMピーク繰返し逆電圧Repetitive peak reverse voltage
VRSM ピーク非繰返し逆電圧Non-repetitive peak reverse voltage
IO 平均出力電流Average output current
IFSMサージ電流Surge current
Tj接合温度 Junction temperature
Ta 周囲温度 Ambient temperature
Tc ケース温度 Case temperature
Tstg保存温度Storage temperature
VFM順電圧Forward voltage
IRRM逆電流Reverse current
trr逆回復時間Reverse recovery time
Rthj-c熱抵抗 ( 接合ケース間 )Thermal resistance (Junction to case)
Tlリード温度Lead temperature
IF(AV)平均順電流Average forward current
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM IRRM＊3
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
KS826S04 SMD 40 5.0 (Tc=110℃) 80 -40 to +150 0.55 (IF=5.0A) 5 10 K-pack(S) 0.6
YG811S04R 40 5.0 (Tc=122℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=5.0A) 5 5.0 TO-220F 1.7
YG812S04R 45 10 (Tc=124℃)120 -40 to +150 0.6 (IF=10A) 2 2.5 TO-220F 1.7
YG811S06R 60 5.0 (Tc=127℃) 80 -40 to +150 0.59 (IF=5.0A) 5 5.0 TO-220F 1.7
YG804S06R 60 15 (Tc=99℃)120 -40 to +150 0.63 (IF=15A) 20 2.2 TO-220F 1.7
YG811S09R 90 5.0 (Tc=116℃) 80 -40 to +150 0.9 (IF=4.0A) 5 5.0 TO-220F 1.7
()条件 ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 VR=VRRM
49
整流ダイオード/RectifierDiodes 4
■ショットキーバリアダイオード Schottky-BarrierDiodes(SBD)
()条件   ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. １チップ あたり ＊3 １チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element＊3 per element
＊4VR=VRRM １チップあ たり ＊4 VR=VRRM per element
デュアル 2 in one-package
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
KP883C02 20 7.0 (Tc=89℃) 60 -40 to +125 0.39 (IF=2.5A) 10 10.0 K-pack(P) 0.6
KS883C02 SMD 20 7.0 (Tc=89℃) 60 -40 to +125 0.39 (IF=2.5A) 10 10.0 K-pack(S) 0.6
YG881C02R 20 8.0 (Tc=103℃) 80 -40 to +125 0.39 (IF=2.0A) 10 5.0 TO-220F 1.7
YG882C02R 20 16 (Tc=94℃)120 -40 to +125 0.39 (IF=4.0A) 10 3.5 TO-220F 1.7
YG885C02R 20 30 (Tc=81℃)120 -40 to +125 0.39 (IF=8.0A) 30 2.5 TO-220F 1.7
KP823C03 30 5.0 (Tc=117℃) 60 -40 to +150 0.47 (IF=2.5A) 5 10.0 K-pack(P) 0.6
KS823C03 SMD 30 5.0 (Tc=117℃) 60 -40 to +150 0.47 (IF=2.5A) 5 10.0 K-pack(S) 0.6
YG831C03R 30 6.0 (Tc=127℃) 90 -40 to +150 0.45 (IF=2.0A) 5 5.0 TO-220F 1.7
YG802C03R 30 10 (Tc=126℃)120 -40 to +150 0.47 (IF=4.0A) 5 3.5 TO-220F 1.7
YG832C03R 30 12 (Tc=118℃)120 -40 to +150 0.45 (IF=4.0A) 5 3.5 TO-220F 1.7
YG835C03R 30 25 (Tc=99℃)120 -40 to +150 0.45 (IF=6.0A) 15 2.5 TO-220F 1.7
YG838C03R 30 38 (Tc=85℃)200 -40 to +150 0.45 (IF=12.5A) 10 2.0 TO-220F 1.7
KP823C04 40 5.0 (Tc=107℃) 60 -40 to +150 0.55 (IF=2.5A) 5 10.0 K-pack(P) 0.6
KS823C04 SMD 40 5.0 (Tc=107℃) 60 -40 to +150 0.55 (IF=2.5A) 5 10.0 K-pack(S) 0.6
YG801C04R 40 5.0 (Tc=125℃)100 -40 to +150 0.55 (IF=2.0A) 5 5.0 TO-220F 1.7
YG831C04R 40 6.0 (Tc=122℃) 80 -40 to +150 0.53 (IF=2.0A) 2 5.0 TO-220F 1.7
YG802C04R 40 10 (Tc=110℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=4.0A) 5 3.5 TO-220F 1.7
YG832C04R 40 12 (Tc=112℃)120 -40 to +150 0.53 (IF=4.0A) 3 3.5 TO-220F 1.7
YG803C04R 40 15 (Tc=92℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=7.0A) 3 3.5 TO-220F 1.7
YG805C04R 40 20 (Tc=100℃)120 -40 to +150 0.6 (IF=10A) 15 2.5 TO-220F 1.7
YG835C04R 40 22 (Tc=96℃)120 -40 to +150 0.53 (IF=8.0A) 6 2.5 TO-220F 1.7
YG838C04R 40 30 (Tc=85℃)180 -40 to +150 0.53 (IF=12.5A) 8 2.0 TO-220F 1.7
MS838C04 SMD 40 30 (Tc=111℃)180 -40 to +150 0.53 (IF=12.5A) 8 1.2 TFP 0.8
YG801C06R 60 5.0 (Tc=125℃) 60 -40 to +150 0.58 (IF=2.0A) 5 5.0 TO-220F 1.7
YG802C06R 60 10 (Tc=118℃) 80 -40 to +150 0.58 (IF=4.0A) 5 3.5 TO-220F 1.7
YG803C06R 60 15 (Tc=94℃)100 -40 to +150 0.58 (IF=6.0A) 5 3.0 TO-220F 1.7
YG805C06R 60 20 (Tc=108℃) 80 -40 to +150 0.58 (IF=8.0A) 15 2.5 TO-220F 1.7
MS808C06 SMD 60 30 (Tc=118℃) 150 -40 to +150 0.58 (IF=12.5A) 3 1.2 TFP 0.8
KP823C09 90 5.0 (Tc=100℃) 60 -40 to +150 0.9 (IF=2.0A) 5 10.0 K-pack(P) 0.6
KS823C09 SMD 90 5.0 (Tc=100℃) 60 -40 to +150 0.9 (IF=2.5A) 5 10.0 K-pack(S) 0.6
YG801C09R 90 5.0 (Tc=117℃) 60 -40 to +150 0.9 (IF=2.0A) 2 5.0 TO-220F 1.7
YG802C09R 90 10 (Tc=102℃) 80 -40 to +150 0.9 (IF=4.0A) 5 3.5 TO-220F 1.7
YG801C10R 100 5.0 (Tc=117℃) 60 -40 to +150 0.8 (IF=1.5A) 0.7 5.0 TO-220F 1.7
YG802C10R 100 10 (Tc=102℃) 80 -40 to +150 0.8 (IF=3.0A) 1.2 3.5 TO-220F 1.7
YG805C10R 100 20 (Tc=91℃)100 -40 to +150 0.8 (IF=5.0A) 2.5 2.5 TO-220F 1.7
YG808C10R 100 30 (Tc=80℃)180 -40 to +150 0.8 (IF=10A) 20 2.0 TO-220F 1.7
50
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
■
超低 IR ショットキーバリアダイオード UltraLowIRSchottky-BarrierDiodes
()条件   ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. １チップ あたり ＊3 IF=0.5Io １チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM １チップあ たり ＊4 VR=VRRM per element
デュアル 2 in one-package
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
YG872C10R 100 10 (Tc=146℃)125 -40 to +175 0.82 0.015 3.5 TO-220F 1.7
YA872C10R 100 10 (Tc=158℃)125 -40 to +175 0.82 0.015 2.0 TO-220AB 2.0
YG875C10R 100 20 (Tc=131℃)145 -40 to +175 0.86 0.020 2.5 TO-220F 1.7
YA875C10R 100 20 (Tc=144℃)145 -40 to +175 0.86 0.020 1.75 TO-220AB 2.0
YG878C10R 100 30 (Tc=122℃)160 -40 to +175 0.86 0.030 2.0 TO-220F 1.7
YA878C10R 100 30 (Tc=142℃)160 -40 to +175 0.86 0.030 1.25 TO-220AB 2.0
YG872C12R 120 10 (Tc=143℃)125 -40 to +175 0.84 0.015 3.5 TO-220F 1.7
YA872C12R 120 10 (Tc=158℃)125 -40 to +175 0.84 0.015 2.0 TO-220AB 2.0
YG875C12R 120 20 (Tc=127℃)145 -40 to +175 0.88 0.020 2.5 TO-220F 1.7
YA875C12R 120 20 (Tc=144℃)145 -40 to +175 0.88 0.020 1.75 TO-220AB 2.0
YG878C12R 120 30 (Tc=116℃)160 -40 to +175 0.88 0.030 2.0 TO-220F 1.7
YA878C12R 120 30 (Tc=141℃)160 -40 to +175 0.88 0.030 1.25 TO-220AB 2.0
YG872C15R 150 10 (Tc=144℃)125 -40 to +175 0.86 0.015 3.5 TO-220F 1.7
YA872C15R 150 10 (Tc=157℃)125 -40 to +175 0.86 0.015 2.0 TO-220AB 2.0
YG875C15R 150 20 (Tc=130℃)145 -40 to +175 0.89 0.020 2.5 TO-220F 1.7
YA875C15R 150 20 (Tc=143℃)145 -40 to +175 0.89 0.020 1.75 TO-220AB 2.0
YG878C15R 150 30 (Tc=120℃)160 -40 to +175 0.89 0.030 2.0 TO-220F 1.7
YA878C15R 150 30 (Tc=140℃)160 -40 to +175 0.89 0.030 1.25 TO-220AB 2.0
YG872C20R 200 10 (Tc=143℃)125 -40 to +175 0.89 0.015 3.5 TO-220F 1.7
YA872C20R 200 10 (Tc=157℃)125 -40 to +175 0.89 0.015 2.0 TO-220AB 2.0
YG875C20R 200 20 (Tc=127℃)145 -40 to +175 0.93 0.020 2.5 TO-220F 1.7
YA875C20R 200 20 (Tc=141℃)145 -40 to +175 0.93 0.020 1.75 TO-220AB 2.0
YG878C20R 200 30 (Tc=116℃)160 -40 to +175 0.93 0.030 2.0 TO-220F 1.7
YA878C20R 200 30 (Tc=138℃)160 -40 to +175 0.93 0.030 1.25 TO-220AB 2.0
51
整流ダイオード/RectifierDiodes 4
シングル 1 in one-package
■
低 IR ショットキーバリアダイオード LowIRSchottky-BarrierDiodes
デュアル 2 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 IF=0.5Io1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM per element
()条件 ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2  ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 IF=Io ＊4 VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 IF=Io ＊4 VR=VRRM
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
YG864S06R 60 15 (Tc=101℃) 160 -40 to +150 0.74 0.20 3.5 TO-220F 1.7
YG861S12R 120 5 (Tc=104℃) 75 -40 to +150 0.88 0.15 5.0 TO-220F 1.7
YG861S15R 150 5 (Tc=94℃) 75 -40 to +150 0.90 0.15 5.0 TO-220F 1.7
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
YG862C04R 45 10 (Tc=129℃)125 -40 to +150 0.61 0.15 3.5 TO-220F 1.7
YA862C04R 45 10 (Tc=138℃)125 -40 to +150 0.61 0.15 2.0 TO220AB 2.0
TS862C04R SMD 45 10 (Tc=138℃)125 -40 to +150 0.61 0.15 2.0 T-pack(S) 1.6
YG865C04R 45 20 (Tc=115℃)145 -40 to +150 0.63 0.175 2.5 TO-220F 1.7
YA865C04R 45 20 (Tc=126℃)145 -40 to +150 0.63 0.175 1.75 TO220AB 2.0
TS865C04R SMD 45 20 (Tc=126℃)145 -40 to +150 0.63 0.175 1.75 T-pack(S) 1.6
MS865C04 SMD 45 20 (Tc=125℃)145 -40 to +150 0.63 0.175 1.75 TFP 0.8
YG868C04R 45 30 (Tc=105℃)160 -40 to +150 0.63 0.20 2.0 TO-220F 1.7
YA868C04R 45 30 (Tc=122℃)160 -40 to +150 0.63 0.20 1.25 TO220AB 2.0
TS868C04R SMD 45 30 (Tc=122℃)160 -40 to +150 0.63 0.20 1.25 T-pack(S) 1.6
MS868C04 SMD 45 30 (Tc=122℃)160 -40 to +150 0.63 0.20 1.25 TFP 0.8
YG869C04R 45 40 (Tc=112℃)190 -40 to +150 0.61 0.20 1.2 TO-220F 1.7
YA869C04R 45 40 (Tc=120℃)190 -40 to +150 0.61 0.20 1.0 TO220AB 2.0
TP869C04R 45 40 (Tc=120℃) 190 -40 to +150 0.61 0.20 1.0 T-pack(P) 1.6
YG862C06R 60 10 (Tc=124℃)125 -40 to +150 0.68 0.15 3.5 TO-220F 1.7
YA862C06R 60 10 (Tc=136℃)125 -40 to +150 0.68 0.15 2.0 TO220AB 2.0
TS862C06R SMD 60 10 (Tc=136℃)125 -40 to +150 0.68 0.15 2.0 T-pack(S) 1.6
YG865C06R 60 20 (Tc=109℃)145 -40 to +150 0.74 0.175 2.5 TO-220F 1.7
YA865C06R 60 20 (Tc=122℃)145 -40 to +150 0.74 0.175 1.75 TO220AB 2.0
TS865C06R SMD 60 20 (Tc=122℃)145 -40 to +150 0.74 0.175 1.75 T-pack(S) 1.6
YG868C06R 60 30 (Tc=101℃)160 -40 to +150 0.74 0.20 2.0 TO-220F 1.7
YA868C06R 60 30 (Tc=119℃)160 -40 to +150 0.74 0.20 1.25 TO220AB 2.0
TS868C06R SMD 60 30 (Tc=119℃)160 -40 to +150 0.74 0.20 1.25 T-pack(S) 1.6
YG869C06R 60 40 (Tc=105℃)190 -40 to +150 0.70 0.20 1.2 TO-220F 1.7
YA869C06R 60 40 (Tc=114℃)190 -40 to +150 0.70 0.20 1.0 TO220AB 2.0
TP869C06R 60 40 (Tc=114℃)190 -40 to +150 0.70 0.20 1.0 T-pack(P) 1.6
YG862C08R 80 10 (Tc=109℃)125 -40 to +150 0.76 0.15 3.5 TO-220F 1.7
YA862C08R 80 10 (Tc=126℃)125 -40 to +150 0.76 0.15 2.0 TO-220AB 2.0
TS862C08R SMD 80 10 (Tc=126℃)125 -40 to +150 0.76 0.15 2.0 T-pack(S) 1.6
MS862C08 SMD 80 10 (Tc=115℃)125 -40 to +150 0.76 0.15 3.0 TFP 0.8
YG865C08R 80 20 (Tc=89℃)145 -40 to +150 0.76 0.175 2.5 TO-220F 1.7
YA865C08R 80 20 (Tc=107℃)145 -40 to +150 0.76 0.175 1.75 TO-220AB 2.0
TS865C08R SMD 80 20 (Tc=107℃)145 -40 to +150 0.76 0.175 1.75 T-pack(S) 1.6
MS865C08 SMD 80 20 (Tc=108℃)145 -40 to +150 0.76 0.175 1.75 TFP 0.8
YG868C08R 80 30 (Tc=72℃)160 -40 to +150 0.76 0.20 2.0 TO-220F 1.7
YA868C08R 80 30 (Tc=105℃)160 -40 to +150 0.76 0.20 1.25 TO-220AB 2.0
TS868C08R SMD 80 30 (Tc=105℃)160 -40 to +150 0.76 0.20 1.25 T-pack(S) 1.6
YG869C08R 80 40 (Tc=86℃)190 -40 to +150 0.71 0.20 1.2 TO-220F 1.7
YA869C08R 80 40 (Tc=98℃)190 -40 to +150 0.71 0.20 1.0 TO220AB 2.0
TP869C08R 80 40 (Tc=98℃) 190 -40 to +150 0.71 0.20 1.0 T-pack(P) 1.6
52
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
デュアル 2 in one-package
■
低 IR ショットキーバリアダイオード LowIRSchottky-BarrierDiodes
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 IF=0.5Io1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM per element  
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
YG862C10R 100 10 (Tc=118℃)125 -40 to +150 0.86 0.15 3.5 TO-220F 1.7
YA862C10R 100 10 (Tc=132℃)125 -40 to +150 0.86 0.15 2.0 TO-220AB 2.0
TS862C10R SMD 100 10 (Tc=132℃)125 -40 to +150 0.86 0.15 2.0 T-pack(S) 1.6
YG865C10R 100 20 (Tc=103℃)145 -40 to +150 0.86 0.175 2.5 TO-220F 1.7
YA865C10R 100 20 (Tc=117℃)145 -40 to +150 0.86 0.175 1.75 TO-220AB 2.0
TS865C10R SMD 100 20 (Tc=117℃)145 -40 to +150 0.86 0.175 1.75 T-pack(S) 1.6
MS865C10 SMD 100 20 (Tc=117℃)145 -40 to +150 0.86 0.175 1.75 TFP 0.8
YG868C10R 100 30 (Tc=91℃)160 -40 to +150 0.86 0.20 2.0 TO-220F 1.7
YA868C10R 100 30 (Tc=113℃)160 -40 to +150 0.86 0.20 1.25 TO-220AB 2.0
TS868C10R SMD 100 30 (Tc=113℃)160 -40 to +150 0.86 0.20 1.25 T-pack(S) 1.6
TP868C10R 100 30 (Tc=113℃)160 -40 to +150 0.86 0.20 1.25 T-pack(P) 1.6
MS868C10 SMD 100 30 (Tc=114℃)160 -40 to +150 0.86 0.20 1.2 TFP 0.8
PA868C10R 100 30 (Tc=107℃)160 -40 to +150 0.86 0.20 1.5 TO-3P(Q) 5.1
YG869C10R 100 40 (Tc=94℃)190 -40 to +150 0.82 0.20 1.2 TO-220F 1.7
YA869C10R 100 40 (Tc=105℃)190 -40 to +150 0.82 0.20 1.0 TO-220AB 2.0
TP869C10R 100 40 (Tc=105℃)190 -40 to +150 0.82 0.20 1.0 T-pack(P) 1.6
YG852C12R 120 10 (Tc=113℃) 55 -40 to +150 0.93 0.15 3.5 TO-220F 1.7
YA852C12R 120 10 (Tc=128℃)55 -40 to +150 0.93 0.15 2 TO-220AB 2.0
YG862C12R 120 10 (Tc=122℃)75 -40 to +150 0.88 0.15 3.00 TO-220F 1.7
YA862C12R 120 10 (Tc=137℃)75 -40 to +150 0.88 0.15 1.20 TO-220AB 2.0
TP862C12R 120 10 (Tc=137℃)75 -40 to +150 0.88 0.15 1.50 T-pack(P) 1.6
TS862C12R SMD 120 10 (Tc=137℃)75 -40 to +150 0.88 0.15 1.50 T-pack(S) 1.6
YG855C12R 120 20 (Tc=94℃)95 -40 to +150 0.98 0.175 2.5 TO-220F 1.7
YA855C12R 120 2 0 (Tc=111℃) 95 -40 to +150 0.98 0.175 1.75 TO-220AB 2.0
YG865C12R 120 20 (Tc=116℃)150 -40 to +150 0.88 0.15 1.75 TO-220F 1.7
YA865C12R 120 20 (Tc=126℃)150 -40 to +150 0.88 0.15 1.25 TO-220AB 2.0
PH865C12 120 20 (Tc=126℃)150 - 40 to +150 0.88 0.15 1.50 TO-247 4.9
TP865C12R 120 20 (Tc=126℃)150 -40 to +150 0.88 0.15 1.25 T-pack(P) 1.6
TS865C12R SMD 120 20 (Tc=126℃)150 -40 to +150 0.88 0.15 1.25 T-pack(S) 1.6
MS865C12 SMD 120 20 (Tc=126℃)150 -40 to +150 0.88 0.15 1.25 TFP 0.8
YG858C12R 120 30 (Tc=80℃) 110 -40 to +150 1.01 0.2 2 TO-220F 1.7
YA858C12R 120 30 (Tc=106℃)110 -40 to +150 1.01 0.2 1.25 TO-220AB 2.0
TP858C12R 120 30 (Tc=106℃) 110 -40 to +150 1.01 0.2 1.25 T-pack(P) 1.6
YG868C12R 120 30 (Tc=116℃)190 -40 to +150 0.88 0.20 1.20 TO-220F 1.7
YA868C12R 120 30 (Tc=122℃)190 -40 to +150 0.88 0.20 1.00 TO-220AB 2.0
PH868C12 120 30 (Tc=122℃)190 -40 to +150 0.88 0.20 1.20 TO-247 4.9
TS868C12R SMD 120 30 (Tc=122℃)190 -40 to +150 0.88 0.20 1.00 T-pack(S) 1.6
MS868C12 SMD 120 30 (Tc=115℃)190 -40 to +150 0.88 0.20 1.20 TFP 0.8
YG869C12R 120 40 (Tc=95℃)190 -40 to +150 0.95 0.20 1.20 TO-220F 1.7
YA869C12R 120 40 (Tc=104℃)190 -40 to +150 0.95 0.20 1.00 TO-220AB 2.0
53
整流ダイオード/RectifierDiodes 4
■
低 IR ショットキーバリアダイオード LowIRSchottky-BarrierDiodes
デュアル 2 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 IF=0.5Io1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM per element
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
YG852C15R 150 10 (Tc=104℃) 55 -40 to +150 0.96 0.15 3.5 TO-220F 1.7
YA852C15R 150 10 (Tc=124℃) 55 -40 to +150 0.96 0.15 2 TO-220AB 2.0
YG862C15R 150 10 (Tc=117℃)75 -40 to +150 0.90 0.15 3.00 TO-220F 1.7
YA862C15R 150 10 (Tc=134℃)75 -40 to +150 0.90 0.15 1.50 TO-220AB 2.0
TP862C15R 150 10 (Tc=134℃)75 -40 to +150 0.90 0.15 1.50 T-pack(P) 1.6
TS862C15R SMD 150 10 (Tc=134℃)75 -40 to +150 0.90 0.15 1.50 T-pack(S) 1.6
YG855C15R 150 20 (Tc=86℃) 95 -40 to +150 1.01 0.175 2.5 TO-220F 1.7
YA855C15R 150 20 (Tc=105℃) 95 -40 to +150 1.01 0.175 1.75 TO-220AB 2.0
YG865C15R 150 20 (Tc=101℃)150 -40 to +150 0.90 0.15 1.75 TO-220F 1.7
PH865C15 150 20 (Tc=109℃)150 -40 to +150 0.90 0.15 1.50 TO-247 4.9
PG865C15R 150 20 (Tc=80℃)150 -40 to +150 0.90 0.15 2.50 TO-3PF 6.0
YA865C15R 150 20 (Tc=115℃)150 -40 to +150 0.90 0.15 1.25 TO-220AB 2.0
TP865C15R 150 20 (Tc=115℃)150 -40 to +150 0.90 0.15 1.25 T-pack(P) 1.6
TS865C15R SMD 150 20 (Tc=115℃)150 -40 to +150 0.90 0.15 1.25 T-pack(S) 1.6
MS865C15 SMD 150 20 (Tc=115℃)150 -40 to +150 0.90 0.15 1.25 TFP 0.8
YG858C15R 150 30 (Tc=61℃) 110 -40 to +150 1.13 0.2 2 TO-220F 1.7
YA858C15R 150 30 (Tc=94℃) 110 -40 to +150 1.13 0.2 1.25 TO-220AB 2.0
YG868C15R 150 30 (Tc=113℃)190 -40 to +150 0.90 0.20 1.20 TO-220F 1.7
YA868C15R 150 30 (Tc=119℃)190 -40 to +150 0.90 0.20 1.00 TO-220AB 2.0
TS868C15R SMD 150 30 (Tc=119℃)190 -40 to +150 0.90 0.20 1.00 T-pack(S) 1.6
MS868C15 SMD 150 30 (Tc=113℃)190 -40 to +150 0.90 0.20 1.20 TFP 0.8
PA868C15R 150 30 (Tc=129℃)190 -40 to +150 0.90 0.20 1.20 TO-3P 5.5
PH868C15 150 30 (Tc=129℃)190 -40 to +150 0.90 0.20 1.20 TO-247 4.9
YG869C15R 150 40 (Tc=90℃)190 -40 to +150 0.97 0.20 1.20 TO-220F 1.7
YA869C15R 150 40 (Tc=100℃)190 -40 to +150 0.97 0.20 1.00 TO-220AB 2.0
54
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
■スーパー LLDII( 臨界モード PFC 回路用 )SuperLLDII(CriticalmodePFC)
シングル 1 in one-package
デュアル 2 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms  
＊3 VR=VRRM
＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 VR=VRRM1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element    ＊3 VR=VRRM per element
＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊4 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM IRRM＊3trr＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
YA951S6R 600 5 (Tc=95℃)45 -40 to +150 1.45 (IF=5A) 8 0.065 7.0 TO-220AB 2.0
YG951S6R 600 5 (Tc=80℃)45 -40 to +150 1.45 (IF=5A) 8 0.065 9.0 TO-220F 1.7
YA971S6R 600 8 (Tc=116℃)70 -40 to +150 1.55 (IF=8A) 10 0.05 2.5 TO-220AB 2.0
YG971S6R 600 8 (Tc=89℃)70 -40 to +150 1.55 (IF=8A) 10 0.05 4.5 TO-220F 1.7
YA952S6R 600 10 (Tc=90℃)80 -40 to +150 1.45 (IF=10A) 10 0.07 4.0 TO-220AB 2.0
YG952S6R 600 10 (Tc=75℃)80 -40 to +150 1.45 (IF=10A) 10 0.07 5.0 TO-220F 1.7
YA972S6R 600 10 (Tc=115℃) 100 -40 to +150 1.55 (IF=10A) 10 0.05 2.0 TO-220AB 2.0
YG972S6R 600 10 (Tc=89℃) 100 -40 to +150 1.55 (IF=10A) 10 0.05 3.5 TO-220F 1.7
YG971S8R 800 5 (Tc=93℃)60 -40 to +150 2.2 (IF=5A) 10 0.05 4.5 TO-220F 1.7
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM IRRM＊3trr＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
YA952C6R 600 10 (Tc=103℃)45 -40 to +150 1.45 (IF=5A) 8 0.065 3.0 TO-220AB 2.0
TS952C6R SMD 600 10 (Tc=103℃)45 -40 to +150 1.45 (IF=5A) 8 0.065 3.0 T-pack(S) 1.6
YG952C6R 600 10 (Tc=80℃)45 -40 to +150 1.45 (IF=5A) 8 0.065 4.5 TO-220F 1.7
YA955C6R 600 20 (Tc=97℃)80 -40 to +150 1.45 (IF=10A) 10 0.07 1.75 TO-220AB 2.0
TS955C6R SMD 600 20 (Tc=97℃)80 -40 to +150 1.45 (IF=10A) 10 0.07 1.75 T-pack(S) 1.6
YG955C6R 600 20 (Tc=60℃)80 -40 to +150 1.45 (IF=10A) 10 0.07 3.0 TO-220F 1.7
PA955C6R 600 20 (Tc=84℃)80 -40 to +150 1.45 (IF=10A) 10 0.07 2.2 TO-3P(Q) 5.1
YA975C6R 600 20 (Tc=106℃) 100 -40 to +150 1.55 (IF=10A) 10 0.05 1.25 TO-220AB 2.0
YG975C6R 600 20 (Tc=89℃) 100 -40 to +150 1.55 (IF=10A) 10 0.05 1.75 TO-220F 1.7
PH975C6 600 20 (Tc=97℃)100 -40 to +150 1.55 (IF=10A) 10 0.05 1.5 TO-247 4.9
55
整流ダイオード/RectifierDiodes 4
デュアル 2 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms  ＊3 VR=VRRM
＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
■
スーパー LLDIII( 連続モード PFC 回路用 )SuperLLDIII(ContinuousmodePFC)
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM IRRM＊3trr＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
YA981S6R 600 8 (Tc=99℃)40 -40 to +150 3.0 (IF=8A) 25 0.026 2.5 TO-220AB 2.0
YG981S6R 600 8 (Tc=58℃)40 -40 to +150 3.0 (IF=8A) 25 0.026 4.5 TO-220F 1.7
YA982S6R 600 10 (Tc=99℃)50 -40 to +150 3.0 (IF=10A) 30 0.028 2.0 TO-220AB 2.0
YG982S6R 600 10 (Tc=60℃)50 -40 to +150 3.0 (IF=10A) 30 0.028 3.5 TO-220F 1.7
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM IRRM＊3trr＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
YA982C6R 600 16 (Tc=88℃)40 -40 to +150 3.0 (IF=8A) 25 0.026 1.5 TO-220AB 2.0
TS982C6R SMD 600 16 (Tc=88℃)40 -40 to +150 3.0 (IF=8A) 25 0.026 1.5 T-pack(S) 1.6
YG982C6R 600 16 (Tc=68℃)40 -40 to +150 3.0 (IF=8A) 25 0.026 2 TO-220F 1.7
YA985C6R 600 20 (Tc=86℃)50 -40 to +150 3.0 (IF=10A) 30 0.028 1.25 TO-220AB 2.0
TS985C6R SMD 600 20 (Tc=86℃)50 -40 to +150 3.0 (IF=10A) 30 0.028 1.25 T-pack(S) 1.6
YG985C6R 600 20 (Tc=60℃)50 -40 to +150 3.0 (IF=10A) 30 0.028 1.75 TO-220F 1.7
PH985C6 600 20 (Tc=73℃)50 -40 to +150 3.0 (IF=10A) 30 0.028 1.5 TO-247 4.9
PG985C6R 600 20 (Tc=47℃)50 -40 to +150 3.0 (IF=10A) 30 0.028 2.0 TO-3PF 6.0
シングル 1 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2(センタータップ平均出力電流)
＊1 50Hz
Square wave duty 1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 VR=VRRM 1チップあたり
＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 VR=VRRM per element
＊4 IF=0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A ＊4 IF=0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A
56
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
デュアル 2 in one-package
■低損失超高速ダイオード Low-LossFastRecoveryDiodes(LLD)
シングル 1 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz
Square wave duty 1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 IF=Io ＊4VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms  ＊3 IF=Io ＊4 VR=VRRM
＊5 IF=0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A ＊5 IF=0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 IF=0.5Io1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM per element
＊5IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
KP926S2 200 5 (Tc=106℃)70 -40 to +150 0.95 100 0.035 10.0 K-pack(P) 0.6
KS926S2 SMD 200 5 (Tc=106℃)70 -40 to +150 0.95 100 0.035 10.0 K-pack(S) 0.6
YG911S2R 200 5 (Tc=134℃)50 -40 to +150 0.95 100 0.035 3.5 TO-220F 1.7
YG912S2R 200 10 (Tc=116℃)80 -40 to +150 0.98 200 0.035 3.5 TO-220F 1.7
YG911S3R 300 5 (Tc=128℃)40 -40 to +150 1.2 100 0.035 3.5 TO-220F 1.7
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
ERA91-02 200 0.5 (Ta=60°C) 10 -40 to +150 0.95 50 0.035 10.0 Lead-1 0.18
ERA92-02 200 1.0 (Ta=25°C) 25 -40 to +150 1.05 50 0.035 10.0 Lead-1 0.18
SC902-2 SMD 200 1.0 (Ta=25°C) 25 -40 to +150 1.05 50 0.035 15.0 SC 0.06
ERB91-02 200 1.0 (Ta=50°C) 20 -40 to +150 0.95 50 0.035 10.0 Lead-3 0.22
ERB93-02 200 1.5 (Ta=40°C) 25 -40 to +150 0.95 100 0.035 10.0 Lead-6 0.4
ERC91-02 200 3.0 (Ta=25°C) 50 -40 to +150 0.95 100 0.035 8.0 Lead-7 1.2
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
KP923C2 200 5 (Tc=103℃)50 -40 to +150 0.95 100 0.035 10.0 K-pack(P) 0.6
KS923C2 SMD 200 5 (Tc=103℃)50 -40 to +150 0.95 100 0.035 10.0 K-pack(S) 0.6
YG901C2R 200 5 (Tc=120℃)25 -40 to +150 0.95 100 0.035 5.0 TO-220F 1.7
YG902C2R 200 10 (Tc=115℃)50 -40 to +150 0.95 100 0.035 3.5 TO-220F 1.7
YG906C2R 200 20 (Tc=102℃)80 -40 to +150 0.98 200 0.035 2.5 TO-220F 1.7
MS906C2 SMD 200 20 (Tc=105℃)80 -40 to +150 0.98 200 0.035 2.0 TFP 0.8
YG901C3R 300 5 (Tc=105℃)25 -40 to +150 1.2 100 0.035 5.0 TO-220F 1.7
YG902C3R 300 10 (Tc=101℃)40 -40 to +150 1.2 100 0.035 3.5 TO-220F 1.7
YG906C3R 300 20 (Tc=109℃)80 -40 to +150 1.2 200 0.035 1.5 TO-220F 1.7
TS906C3R SMD 300 20 (Tc=123℃)80 -40 to +150 1.2 200 0.035 1.0 T-pack(S) 1.6
MS906C3 SMD 300 20 (Tc=95℃)80 -40 to +150 1.2 200 0.035 2.0 TFP 0.8
57
整流ダイオード/RectifierDiodes 4
シングル 1 in one-package
■低損失超高速低ノイズダイオード 
Low-LossFastSoftRecoveryDiodes(LLD)
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 IF=Io＊4VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 IF=Io per element ＊4 VR=VRRM
＊5IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
デュアル 2 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 IF=0.5Io1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM per element
＊5IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
KS986S3 SMD 300 5 (Tc=128℃)90 -40 to +150 1.3 20 0.04 3.5 K-pack(S) 0.6
KS986S4 SMD 400 5 (Tc=125℃)80 -40 to +150 1.45 20 0.05 3.5 K-pack(S) 0.6
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
YG982C3R 300 10 (Tc=112℃)90 -40 to +150 1.3 20 0.04 3 TO-220F 1.7
YA982C3R 300 10 (Tc=128℃)90 -40 to +150 1.3 20 0.04 1.75 TO-220AB 2.0
TS982C3R SMD 300 10 (Tc=128℃)90 -40 to +150 1.3 20 0.04 1.75 T-pack(S) 1.6
YG985C3R 300 20 (Tc=105℃)110 -40 to +150 1.3 35 0.04 1.75 TO-220F 1.7
YA985C3R 300 20 (Tc=118℃)110 -40 to +150 1.3 35 0.04 1.25 TO-220AB 2.0
TS985C3R SMD 300 20 (Tc=118℃)110 -40 to +150 1.3 35 0.04 1.25 T-pack(S) 1.6
MS985C3 SMD 300 20 (Tc=118℃)110 -40 to +150 1.3 35 0.04 1.25 TFP 0.8
PG985C3R 300 20 (Tc=73℃)110 -40 to +150 1.3 35 0.04 3 TO-3PF 6.0
YG982C4R 400 10 (Tc=107℃)80 -40 to +150 1.45 20 0.05 3 TO-220F 1.7
YA982C4R 400 10 (Tc=125℃)80 - 40 to +150 1.45 20 0.05 1.75 TO-220AB 2.0
TS982C4R SMD 400 10 (Tc=125℃)80 - 40 to +150 1.45 20 0.05 1.75 T-pack(S) 1.6
YG985C4R 400 20 (Tc=100℃)100 -40 to +150 1.45 35 0.05 1.75 TO-220F 1.7
YA985C4R 400 20 (Tc=114℃)100 - 40 to +150 1.45 35 0.05 1.25 TO-220AB 2.0
TS985C4R SMD 400 20 (Tc=114℃)100 -40 to +150 1.45 35 0.05 1.25 T-pack(S) 1.6
MS985C4 SMD 400 20 (Tc=114℃)100 -40 to +150 1.45 35 0.05 1.25 TFP 0.8
PG985C4R 400 20 (Tc=64℃)100 -40 to +150 1.45 35 0.05 3 TO-3PF 6.0
58
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
シングル / デュアル 1 in one-package/2 in one-package
■低損失超高速ダイオード Low-LossFastRecoveryDiodes(LLD)
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり
＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A ＊4 VR=VRRM per element  ＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A
＊6 シングル品  ＊6 1 in one-package
シングル / デュアル 1 in one-package/2 in one-package
■ショットキーバリアダイオード Schottky-BarrierDiodes(SBD)
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり
＊5 シングル 品 ＊4 VR=VRRM per element  ＊5 1 in one-package
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
ERC80-004R ＊540 5 (Tc=122℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=5.0A) 5 5.0 TO-220AB 2.0
PA886C02R 20 30 (Tc=105℃)150 -40 to +125 0.4 (IF=12.5A) 50 1.2 TO-3P 5.5
ESAB82-004R 40 5 (Tc=126℃)100 -40 to +150 0.55 (IF=2.0A) 5 5.0 TO-220AB 2.0
TP802C04R 40 10 (Tc=116℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=4.0A) 5 3.0 T-pack(P) 1.6
TS802C04R SMD 40 10 (Tc=116℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=4.0A) 5 3.0 T-pack(S) 1.6
ESAC82-004R 40 10 (Tc=116℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=4.0A) 5 3.0 TO-220AB 2.0
TS805C04R SMD 40 20 (Tc=110℃)120 -40 to +150 0.6 (IF=10A) 15 2.0 T-pack(S) 1.6
ESAC83-004R 40 20 (Tc=119℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=8.0A) 15 1.5 TO-3P 5.5
ESAD83M-004RR 40 30 (Tc=105℃)150 -40 to +150 0.55 (IF=12.5A) 20 1.7 TO-3PF 6.0
ESAD83-004R 40 30 (Tc=118℃)150 -40 to +150 0.55 (IF=12.5A) 20 1.2 TO-3P 5.5
ESAC63-004R 45 20 (Tc=109℃)120 -40 to +150 0.6 (IF=10A) 15 2.0 TO-220AB 2.0
ESAC83M-006RR 60 20 (Tc=108℃)120 -40 to +150 0.58 (IF=8.0A) 15 2.5 TO-3PF 6.0
ESAC63-006R 60 20 (Tc=118℃)120 -40 to +150 0.58 (IF=8.0A) 15 2.0 TO-220AB 2.0
ESAD83M-006RR 60 30 (Tc=106℃)120 -40 to +150 0.58 (IF=12.5A) 20 1.7 TO-3PF 6.0
TS808C06R SMD 60 30 (Tc=115℃)120 -40 to +150 0.58 (IF=12.5A) 20 1.2 T-pack(S) 1.6
ESAD83-006R 60 30 (Tc=119℃)120 -40 to +150 0.58 (IF=12.5A) 20 1.2 TO-3P 5.5
TS802C09R SMD 90 10 (Tc=109℃)80 -40 to +150 0.9 (IF=4.0A) 5 3.0 T-pack(S) 1.6
ESAC85-009R 90 10 (Tc=109℃)80 -40 to +150 0.9 (IF=4.0A) 5 3.0 TO-220AB 2.0
ESAD85M-009RR 90 25 (Tc=105℃)100 -40 to +150 0.9 (IF=10A) 15 1.7 TO-3PF 6.0
ESAD85-009R 90 25 (Tc=118℃)100 -40 to +150 0.9 (IF=10A) 20 1.2 TO-3P 5.5
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
ESAB92-02R 200 5 (Tc=120℃)25 -40 to +150 0.95 (IF=2.5A) 100 0.035 5.0 TO-220AB 2.0
TP901C2R 200 5 (Tc=120℃)25 -40 to +150 0.95 (IF=2.5A) 100 0.035 5.0 T-pack(P) 1.6
TP902C2R 200 10 (Tc=125℃)50 -40 to +150 0.95 (IF=5A) 100 0.035 2.5 T-pack(P) 1.6
TS902C2R SMD 200 10 (Tc=125℃)50 -40 to +150 0.95 (IF=5A) 100 0.035 2.5 T-pack(S) 1.6
ESAC92-02R 200 10 (Tc=125℃)50 -40 to +150 0.95 (IF=5A) 100 0.035 2.5 TO-220AB 2.0
ESAC93-02R 200 12 (Tc=123℃)60 -40 to +150 0.95 (IF=6A) 100 0.035 2.2 TO-3P 5.5
ESAC93M-02RR 200 12 (Tc=116℃)60 -40 to +150 0.95 (IF=6A) 100 0.035 2.7 TO-3PF 6.0
ESAD92M-02RR 200 20 (Tc=108℃)100 -40 to +150 0.95 (IF=10A) 200 0.04 2.0 TO-3PF 6.0
TP906C2R 200 20 (Tc=110℃)80 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 200 0.035 2.0 T-pack(P) 1.6
TS906C2R SMD 200 20 (Tc=110℃)80 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 200 0.035 2.0 T-pack(S) 1.6
ESAD92-02R 200 20 (Tc=115℃)100 -40 to +150 0.95 (IF=10A) 200 0.04 1.5 TO-3P 5.5
TP902C3R 300 10 (Tc=115℃)40 -40 to +150 1.2 (IF=5A) 100 0.035 2.5 T-pack(P) 1.6
TS902C3R SMD 300 10 (Tc=115℃)40 -40 to +150 1.2 (IF=5A) 100 0.035 2.5 T-pack(S) 1.6
ESAC93M-03RR 300 12 (Tc=104℃)50 -40 to +150 1.2 (IF=6A) 100 0.035 2.7 TO-3PF 6.0
ESAD92-03R 300 20 (Tc=110℃)80 -40 to +150 1.2 (IF=10A) 200 0.04 1.5 TO-3P 5.5
ESAD92M-03RR 300 20 (Tc=96℃)80 -40 to +150 1.2 (IF=10A) 200 0.04 2.0 TO-3PF 6.0
PA905C4R 400 20 (Tc=107℃)70 -40 to +150 1.5 (IF=10A) 500 0.05 1.5 TO-3P 5.5
PG905C4RR 400 20 (Tc=93℃)70 -40 to +150 1.5 (IF=10A) 500 0.05 2.0 TO-3PF 6.0
YG912S6RR ＊6600 10 (Tc=93℃)100 -40 to +150 1.7 (IF=10A) 100 0.05 3.5 TO-220F 1.7
PA905C6RR 600 20 (Tc=106℃)100 -40 to +150 1.7 (IF=10A) 100 0.05 1.2 TO-3P 5.5
59
整流ダイオード/RectifierDiodes 4
デュアル 2 in one-package
■低 IR 高速ダイオード Low-IRFastRecoveryDiodes
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
FDLA20C20 200 20 (Tc=117℃)100 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 20 0.045 1.75 TO-220F 1.7
FDLP20C20 200 20 (Tc=126℃)100 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 20 0.045 1.25 TO-220AB 2.0
FDLC20C20 SMD 200 20 (Tc=126℃)100 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 20 0.045 1.25 T-pack(S) 1.6
FDLH20C20 200 20 (Tc=122℃)100 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 20 0.045 1.5 TO-3P(Q) 5.1
FDLR20C20 200 20 (Tc=112℃)100 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 20 0.045 2.0 TO-3PF 6.0
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり
＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A ＊4 VR=VRRM per element  ＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A
60
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
シングル 1 in one-package
シングル 1 in one-package
デュアル 2 in one-package
デュアル 2 in one-package
■600V超高速ダイオード UltraFastRecoveryDiodes
■1200V低ノイズ高速ダイオード SoftRecoveryFastRecoveryDiodes
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃
Max. Volts
Max.μAμsec. ℃/W Grams
FDRP15S60L 600 15 (Tc=98°C) 110 -40 to +150 2.6 250 0.031 1.6 TO-220AB 2.0
FDRW15S60L 600 15 (Tc=85°C) 110 -40 to +150 2.6 250 0.031 2.0 TO-247 4.9
FDRP25S60L 600 25 (Tc=86°C) 125 -40 to +150 2.6 250 0.033 1.2 TO-220AB 2.0
FDRW25S60L 600 25 (Tc=86°C) 125 -40 to +150 2.6 250 0.033 1.2 TO-247 4.9
FDRW35S60L 600 35 (Tc=91°C) 140 -40 to +150 2.6 250 0.036 0.8 TO-247 4.9
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃
Max. Volts
Max.μAμsec. ℃/W Grams
FDRP12S120J 1200 12 (Tc=100°C) 100 -40 to +150 2.8 250 0.042 1.5 TO-220AB 2.0
FDRW12S120J 1200 12 (Tc=97°C) 100 -40 to +150 2.8 250 0.042 1.6 TO-247 4.9
FDRP20S120J 1200 20 (Tc=98°C) 120 -40 to +150 2.8 250 0.055 1.0 TO-220AB 2.0
FDRW20S120J 1200 20 (Tc=88°C) 120 -40 to +150 2.8 250 0.055 1.2 TO-247 4.9
FDRW30S120J 1200 30 (Tc=89°C) 150 -40 to +150 2.8 250 0.063 0.781 TO-247 4.9
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃
Max. Volts
Max.μAμsec. ℃/W Grams
FDRW50C60L 600 50 (Tc=86°C) 125 -40 to +150 2.6 250 0.033 0.6 TO-247 4.9
FDRW70C60L 600 70 (Tc=91°C) 140 -40 to +150 2.6 250 0.036 0.4 TO-247 4.9
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃
Max. Volts
Max.μAμsec. ℃/W Grams
FDRW40C120J 1200 40 (Tc=98°C) 120 -40 to +150 2.8 250 0.055 0.5 TO-247 4.9
FDRW60C120J 1200 60 (Tc=87°C) 150 -40 to +150 2.8 250 0.063 0.397 TO-247 4.9
( ) 条件         ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. 1 パルス ＊3 IF=Io ＊2 Sine wave, 10ms 1shot ＊3 IF=Io
＊4 VR=VRRM＊5 VR=30V, IF=0.1 Io, -di/dt=200A/us ＊4 VR=VRRM ＊5 VR=30V, IF=0.1 Io, -di/dt=200A/us
( ) 条件         ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. 1 パルス＊3 IF=Io ＊2 Sine wave, 10ms 1shot ＊3 IF=Io
＊4 VR=VRRM ＊5 VR=30V, IF=0.1 Io, -di/dt=200A/us ＊4 VR=VRRM ＊5 VR=30V, IF=0.1 Io, -di/dt=200A/us
( ) 条件         ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz Square wave duty=1/2, Output Current of center tap full wave connection
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり＊3 IF=0.5 Io, 1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms 1shot, Rating per element ＊3 IF=0.5 Io, Rating per element
＊4 VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM, Rating per element
＊5 VR=30V, IF=0.05 Io, -di/dt=200A/us, 1 チップあたり ＊5 VR=30V, IF=0.05 Io, -di/dt=200A/us, Rating per element
( ) 条件         ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz Square wave duty=1/2, Output Current of center tap full wave connection
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり＊3 IF=0.5 Io, 1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms 1shot, Rating per element ＊3 IF=0.5 Io, Rating per element
＊4 VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM, Rating per element
＊5 VR=30V, IF=0.05 Io, -di/dt=200A/us, 1 チップあたり ＊5 VR=30V, IF=0.05 Io, -di/dt=200A/us, Rating per element
61
圧力センサ/PressureSensors 5
■圧力センサ PressureSensors
特長 
・絶対圧測定
・デジタルトリミングによる高精度保証
・広範囲な圧力範囲に対応、フルスケール 100kPa〜300kPa
・センサチップに過電圧保護回路、電磁波遮断回路、サージ
保護回路を備えており、特にサージに関しては、世界的な
国際基準である ISO7637-level4 をクリア
・Vcc、Vout、GND 配線が断線した場合のダイアグ自己
検出機能搭載 
・EPROM の冗長性による高信頼性を確保
Features
• Absolute pressure measurement
• High accuracy with digital trimming
• Wide pressure range, full scale of 100kPa to 300kPa
• Provided with overvoltage protection circuit, EMC filter, and
surge protective device in the sensor chip
• Surge protection conforms to ISO7637-level 4 for automotive
components
• Diagnostic self-detecting function in the event of a wire
opened among Vcc, Vout and GND terminals
• High reliability ensured by EPROM bit redundancy
外形寸法 Dimensions, mm
Direct mounting type
主な製品 Products
Direct mounting type
型   式 最大印加圧力 許容電圧 使用温度 使用圧力 使用電圧 出力電圧範囲 絶対圧・ パッケージ
Device type Max. applied Allowable Operating Operating Operating Output 相対圧 Package
voltage voltage temperature pressure voltage Voltage range
(kPa.abs) (V) (℃)(kPa.abs) (V) (V)
EPL4PC-R3S 500 7 -40 to 125 20 to 106.7 5.0±0.25 0.789 to 4.211 絶対圧 外装
EPL6GC-R3S 500 7 -40 to 125 25 to 242 5.0±0.25 0.5 to 4.5 絶対圧 外装
8.85 ±0.1
0.15 ±0.1
8.6 ±0.1
43.7 ±0.3
16.6 ±0.1
17.5 ±0.2
33.3 ±0.5
(2.47)
(ø8.49)
ø6.7 ±0.1
(ø5)
4 ±0.15
10.19 ±0.1
20.6 ±0.5
12.1
±0.2
9.28 ±0.1
12.47 ±0.1
8.7 ±0.2
25.2
(40°)
2.47 ±0.1
0.15 ±0.1
1
1. Vout
2. Vcc
3. GND
2
3
62
外形図/Dimensions
mm
< 集積回路 / ディスクリートデバイスIntegratedcircuits/Discretedevices>
SOP-8*1
DIP-8
SOP-16(M)
SOP-8E
DIP-16
SOP-16(N)
*1）代表型式（FA8AxxN) のパッケージサイズです。他の IC については
個別アプリケーションノート（仕様書）を参照ください。 *1) This is the package size for the representative device type (FA8AxxN).
For other ICs, please refer to the separate application note (specifi cations).
SSOP-20
0.350.8
7.85
3.6
±0.05
±0.08
±0.2
0.5
PSOP-12
7.5 ±0.1
2.5±0.15
3.9±0.15
0.8 ±0.1
5.15±0.3
7.8 ±0.1
10.3±0.3
2.45max
2.6max
6.3 ±0.1
1.6 -0.1
+0.15
0.4 ±0.13
1
5.1±0.1
0.3+0.075
-0.025
4.1±0.1
0.3 ±0.15
0°~10°
Pin1 Indicator
5.0±0.25
0.2±0.1
3.9±0.2
1.8 Max
0.1±0.1 6.0±0.3
0.65±0.25
0.4±0.1
1.27
0.10
0.25 M
Pin1 Indicator 4.9±0.15
3.9±0.15
6.0±0.2
(3.10)
(2.41)
0°~10°
0.20±0.05
(0.65±0.25)
1.7max
0.18max
0.40±0.1
1.27 0.10
0.25 M
85
14
9.4±0.3
6.5
+0.3
-0.5
3.4±0.2
3.5 Max
4.5 Max
1.5±0.3
0.5±0.1
2.54×3=7.62
0.25±0.1
0°~15°
7.6
2.54
16 9
18
19.4±0.3
7.6±0.2
0.3±0.1
0°~15°
3.4±0.1
7.3±0.5
1.5±0.3
17.78±0.3
0.5±0.1
2.54 TYP
6.5±0.2
4.0±0.3
16 9
18
10.2±0.1
10°–0°
0.40±0.05
0.15±0.05
5.3±0.1
7.8±0.2
0.75±0.1
1.80±0.05
0.10±0.10
0.08 1.27
0.25 M
0.10 N
1.27
0.6+0.65
-0.19
6+0.2
-0.2
9.96+0.1
-0.16
0.35–0.51
Pin1 Indicator
3.9+0.1
-0.1
1.6+0.15
-0.25
1.4+0.2
-0.2
4°+4.0
-4.0
0.2+0.05
-0.03
63
外形図/Dimensions
mm
TSSOP-8
TSSOP-24
TSSOP-16
Lead-1 Lead-2
Lead-3
Lead-6
Lead-4
Lead-7
SC SD
0.575 TYP
0.65
0.22±0.1
0.5±0.2
3.1±0.3
10°–0°
4.4±0.2
6.4±0.3
0.1±0.05
1.30 Max
0.15±0.1
5.0±0.1
4.40±0.05
6.4±0.1
1.10 Max
0.65
7.8±0.1
5.6±0.1
7.6±0.2
1.20 Max
10±0.05
0.17
24
#1 12
0.65 0.27±0.02
1.0±0.1
64
外形図/Dimensions
mm
T-pack(S) T-pack(L): Power MOSFET
T-pack(P): Diode
TFP
10.16±0.2
1.3±0.1
0.84±0.1
2.54［BSC］2.54［BSC］
4.57±0.2
（1.27）
2.69±0.1
0.1+0.15
‑0.1
0.25［BSC］
（10.16）
（8.0）
1.27±0.15
9.15±0.2
15.1±0.5
2.3±0.3
（1.27）
（6.6）
（1.75max.）
9.5 +0.3
−0.5
D2-Pack
K-pack(L)/I-pack: Power MOSFET
K-pack(P)/I-pack: Diode
K-pack(S)/D-pack
65
外形図/Dimensions
mm
TO-220AB
TO-220F
TO-247 TO-247-P2
2Max
0.5 +0.2
0
14.8Max
TO-220F (SLS)
FWD
1. Anode
2. Cathode
3. Anode
5.03±0.15
15.9±0.15
2.23±0.19
3.71±0.29
4.32±0.18
6.17±0.15
20.95±0.15
20.17±0.15
5.62±0.15
5.45±0.254
5.45±0.254
1.98±0.15
2.4±0.15
0.6＋0.09
−0.05
2.03＋0.4
−0.13
3＋0.4
−0.13
1.2±0.13
φ3.61
±0.1
66
外形図/Dimensions
mm
TO-3P
TO-3PL TO-3PF
TO-3P(Q)
67
外形図/Dimensions
mm
< パワーデバイスPowerdevices>
M155
M138M127
M153
M151 M152
40
20
15
20
8-ø7
6-M83-M4
124
45.2
40
20
140
20.25
41.25
79.4
171
13
61.561.5
57
38
28 10
29.5
190
Screwingdepth16max.
Screwingdepth8max.
5
130
114
61.5
18
29.5
6-φ7
3-M4
4-M8 Screwingdepth8max.
Screwingdepth16max.
38
28 10
40
45.2
124
140
20
40
5
20
15
20
48.8
10.55 10.35
4-φ6.5
20
24 20 29
93
108
2-M6
Depth13mmmin.
2-M4
Depth7mmmin.
25
35
6
48
62
2020
93
110
62
80
25
35
7
4-φ6.5
13 21 29
2-M4
Depth7.5mmmin.
2-M8
Depth13.5mmmin.
4-φ6.5
2024 29
48
62
93
108
36
Depth7mmmin.
Depth13mmmin.
2-M4 2-M6
E
C
C
G
E
206
25.7
130
114
61.5
18
29.5
6-φ7
3-M4
4-M8
Screwingdepth8max.
Screwingdepth16max.
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40
45.2
124
140
20
40
5
20
15
20
48.8
10.55 10.35
68
外形図/Dimensions
mm
23 23
525
Tabtypeterminals
(AMPNo.110equivalen)
3-M5
Depth10mmmin.
2-φ5.5
45
30
6
822 5
80
92
28 28
93
108
21
17
48
62
66
6
822.4
30
Tabtypeterminals
(AMPNo.110equivalen)
3-M6
Depth10.5mmmin.
4-φ6.5
4-φ6.5 25 25
93
108
15
30
6
22.4 8 48
62
66
23.5
Tabtypeterminals
(AMPNo.110equivalen)
3-M6
Depth10.5mmmin.
Tabtypeterminals
(AMPNo.110equivalen)
3-M6
Depth10.5mmmin.
110
G2
G1
E2
E1
93
25 25 21.5
14 14 14
4-φ6.5
18 18 18
66
30
8.5
7
15
62
80
1
21.2
M233 M234
M235 M247
M232M156
23
4417
34
23
Tabtypeterminals
(AMPNo.110equivalen)
3-M5
Depth9.5mmmin.
2-φ5.5
80
92
822.3
30
6
40
20
15
20
8-ø7
6-M8
3-M4
124
45.2
40
20
140
20.25
41.25
79.4
171
13
61.561.5
57
38
28 10
29.5
190
Screwingdepth16max.
Screwingdepth
8max.
5
69
外形図/Dimensions
mm
0.1min.
Depth10.5mmmin.
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E1
G1
C1
C2E1
E2
3.7 6
176
48
62
93
108
4-φ6.5
22.4 8
0.5
6
30
Tabtypeterminals
(AMPNo.110equivalent)
3-M6
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150
137
110
4-φ5.5
6220.5
5017
PN
22
6.5
94.5
Depth10.0min.
4-M6
150
137
110
94.5 4-φ5.5 4-M6
Depth10min
62
50
22
23
17
6.5
130
114
55.2
29.5
6-φ7
5753 4040
4-M8
6-M4
38
28 10 30
124
140
15
20
5
3511.5
14 20
16 18
Screwingdepth16max.
Screwingdepth8max.
5
4-φ6.5 14 14 14
28 28 21
G2
G1
E2
E1
62
48
17 66
2525 25
93
108
150
137
110
94.5 4-φ5.5
62
50
22
23
17
6.5
Depth9.8mmmin.
4-M6
Tabtypeterminals
(AMPNo.110equivalen)
3-M6
Depth10.5mmmin.
822.4
3.7
0.5
8
30
M256M254
M260M259
M249 M250
70
外形図/Dimensions
mm
53 14 1111
237
10-φ5.5
M8
Screwingdepth
max.16
M4
Screwingdepth
max.8
18
39 14
12
45
78
6
3
24.5
73
89
39 39 39 39
172
21.5
37
12.5
21
2.5
25.5
38
11
14-φ5.5
14116711
533911 437
11
12
1
2
34 5
6
78910
24.5
73
89
39 39 39 39 39 39
250
21.5
37373718
12.5 21
2.5
25.5
38
M4
Screwingdepth
max.8
M8
Screwingdepth
max.16
93
108
30.5
30.9
Depth10.5min.
3-M6 Tabtypeterminals
C1
C2E1 E2
25 25
E2
G2
E1
G1
23.5
6156
4-φ6.5
(DIN46244-A2.80.5BZequivalent)
48
62
6
45
22.5
7.5
525
(DIN46244-A2.80.5BZequivalent)
Tabtypeterminals
C1E2C2E1
G1
E1
E2
G2
2-φ5.5
3-M5
Depth10mmmin.
30
80
92
6 5
23 23 17
94
34
17 44
23 23
Depth9.5mmmin
3-M5 Tabtypeterminals
(AMPNo.110equivalent)
22.3 8
0.5
30
6
80
Tabtypeterminals
(AMPNo.110equivalent)
Depth9.5mmmin
3-M5
2.7max.
30
6
C1E2
C2E1 G2
E2
E1
G1
23 23
34
17 4422.3 8
80
94
2-φ6.5
2-φ6.5
0.5
M274 M275
M271 M272
M262 M263
71
外形図/Dimensions
mm
28 28 20
93
108
4-φ6.5
15 66
6
30.5
30.9
4
Depth10.5min.
3-M6 Tabtypeterminals
(DIN46244-A2.80.5BZequivalent)
48
62
E2
G2
E1
G1
C1
C2E1 E2
Depth10.5min.
3-M6 TabTypeTerminals
(DIN46244-A2.80.5BZequivalent)
G2
E2
E1
G1
C1
C2E1 E2
2525 21.5
62
80
93
110
15 66
30
7
21.2
8.5
4-φ6.5
8.5
(AMPNo.110equivalent)
Depth:10.5min
C
UNMP T3
G
E
T2
G
E
T1
T4
G
E
G
8.5
30
21.2
4-M5
7
Tabtypeterminals
10.2
62
80
9.59.5
1919
10
16
93
110
4-φ6.5
5 5 9 5 9 5
M403M278
M276 M277
130
114 55.2
29.5
6-φ7
5753
4840
4-M8
6-M4
38
28 10
30
124
140
15
20
5
3511.5
14 20
16 18
Screwingdepth16max.
Screwingdepth8max.
5
72
外形図/Dimensions
mm
（30.11）
122
110
94.5
99.6
8-R2.25
4-φ5.5
62
50
39.9
57.5
20.5
17 (3.5)
1.5
2.5
6.5
1
1
17
21.3
(4.3)
1.5
2.5
6.5
93
107.5
27.6
69.6
2-φ5.5
4-φ6.1
M629
M636
M633
M647
73
外形図/Dimensions
mm
1
39.9
99.6
57.5
(4.3)
2.5 1.5
6.5
17
21.3
110
122
50
62
8-R2.25
4-φ5.5 94.5
93
107.5
4-φ6.1
2-φ5.5
69.6
27.6
93
45
32
11
20.5
17
2.9 1.1
6.5
1
122
110
94.5
99.6
8-R2.25
4-φ5.5
62
50
39.9
57.5
20.5
17
2.9 1.1
6.5
1
3.5
4-φ6.1
2-φ5.5
2.5 1.5
(3.5)
1
4-φ5.5
1
17
21.3
(4.3)
1.5
2.5
6.5
93
107.5
45
69.6
2-φ5.5
32
4-φ6.1
27.6
M721
M648 M711
M712 M719
M720
74
外形図/Dimensions
mm
6ROGHUSLQV
6ROGHUSLQV
62.8
53
48
42.5
33.8
15.5
12 28.1
4-φ2.3
2-4.5×5.0
56.7
62.8
15.5
12
53
48
42.5
51
4-φ2.3 2-4.5×5.0
62.8
53
48
42.5
33.8
16.4
12 28.1
4-φ2.3
2-4.5×5.0
3UHVVILWSLQV
3UHVVILWSLQV
56.7
62.8
16.4
12
53
48
42.5
51
4-φ2.3 2-4.5×5.0
1
39.9
99.6
57.5
(4.3)
2.5 1.5
6.5
17
21.3
110
122
50
62
8-R2.25
4-φ5.5
94.5
M728
M729 M1202
M727
M726
M722
1
39.9
99.6
57.5
(4.3)
2.5 1.5
6.5
17
21.3
110
122
50
62
8-R2.25
4-φ5.5 94.5
75
外形図/Dimensions
mm
15.2415.2415.24
6.77
15.24
15.24
0.8
2.5
77
87
50.2
0.5
UVW
N
P
15913 19
66
18
30.7
4.4
9.5 39
9.5
2
4-φ2
2-φ4.5
31.5
47.3
0.7
70
57.6
20.513.813.812.3
20.8
4.1
18
PWN
14710 15
UV
64
49.5
60
0.5
0.8
4-φ2
2-φ4.5
2.5
19
P1
N1
P2
N2
B
UVW
1
67.4
121
136
142
46 24.5
1.51.5
95 4.5
110
0.5
262634.51.5
24.52323
9
24
27
9.5
11.5
38.5
6-M5
Depth9mmmin.
2-φ2.5
4-φ5.5
0.64
6-M5
M
N
P
VL 71
88
77
5.5
100
86
29
25
47.3
9.5
102
2-φ2.5
4-φ5.5
14 9
7
2-φ2.5
10.9
125
5.9
107.4
2-φ4.5
84
1.85
14.3
212118.35
25222222252
116
1591319
N
P
BUVW
128.5
119.5
6-M4
Depth8.5mmmin.
0.64
M1203
P626
P401
P629
P630 P631
2.5 1.5
(3.5)
1
4-φ5.5
76
外形図/Dimensions
mm
P633
P633A
43
A
DETAILA
35
1.6
3.2
4.2
13
26
14
9.5
3.7
0.15
13
1.2
0.5
2.5
30.4
15.2
4.3
29.4
14.7
14
0.4
InsulatedMetalSubstrate
InsulatedMetalSubstrate
SolderPlating
18x1.778(=32.004)
14x2.54(=35.56)
43
A
DETAILA
18x1.778(=32.004)
14x2.54(=35.56)
35
1.6
3.2
4.2
13
26
14
9.5
3.7
0.15
13
1.2
0.5
2.5
30.4
15.2
4.3
29.4
14.7
14
0.4
InsulatedMetalSubstrate
InsulatedMetalSubstrate
SolderPlating
77
注文単位/Order Quantity
種 類 パッケージ 型 式 最小注文単位
Description Package Type number Min. quantity per order
ショットキーバリアダイオード
φ2.5×3ℓ
ERA82-□□□, ERA83-□□□, ERA85-□□□ 1,000
ﾘｰﾄﾞﾀｲﾌﾟ φ3×5ℓ ERA81-□□□, ERA84-□□□, ERB83-□□□ 500
Schottky-barrier diodes φ4×7.5ℓ ERB81-□□□, ERB84-□□□ 500
Axial lead types φ6.4×7.5ℓ ERC81-□□□, ERC84-□□□ 200
低損失超高速
ダイオード
φ2.5×3ℓ ERA91-□□, ERA92-□□ 1,000
ﾘｰﾄﾞﾀｲﾌﾟ φ3×5ℓ CB903-□□, ERB91-□□ 500
Low-loss fast recovery φ4×7.5ℓ ERB93-□□ 500
diodes φ6.4×7.5ℓ ERC91-□□ 200
Axial lead types
ダイオード TO-220AB 全型式 All types 100
パワーMOSFET TO-220F 100
TFP 1,500
TO-247 100
Diodes TO-3P, TO-3P (Q) 100
Power MOSFETs TO-3PF 100
TO-3PL 50
K-pack（S） 3,000
T-pack（S） 1,000
K-pack（L, P） 500
T-pack（L, P） 100
SD 3,000
SC 1,500
ディスクリートIGBTTO-247-P2 全型式 All types 600
Discrete IGBTs
集積回路 ICs 下記を除く全型式 All types (except for below types) 2,000
FA8A-□□ 3,000
FA564□ 3,000
FA5680, FA5681 3,000
FA5760 3,000
・ご 注 文 は 最 小 注 文 単 位 以 上 、かつその整数倍にてお願いいたします。
・下記一覧表は単品（テーピング品を除く）に適用します。
・テ ーピ ン グ品 につ いては 、仕様により異なりますのでお問い合わせ下さい。
・
Product supplied as per minimum quantity or in multiples of minimum
quantity.
・This table applies to untaped products.
・For taping specifi cations, contact FUJI.
78
型式索引 /Type Number Index
Page Page Page Page
2SK2904-01 43
2SK2905-01R 43
2SK2906-01 43
2SK2907-01R 43
2SK3270-01 44
2SK3271-01 44
2SK3272-01L, S 44
2SK3272-01SJ 44
2SK3273-01MR 44
2SK3362-01 43
2SK3363-01 43
2SK3364-01 43
2SK3450-01 40
2SK3451-01MR 40
2SK3468-01 39
2SK3469-01MR 39
2SK3474-01 37
2SK3501-01 40
2SK3502-01MR 40
2SK3504-01 39
2SK3505-01MR 39
2SK3512-01L, S 39
2SK3513-01L, S 40
2SK3514-01 38
2SK3515-01MR 38
2SK3516-01L, S 38
2SK3517-01 39
2SK3518-01MR 39
2SK3519-01 39
2SK3520-01MR 39
2SK3521-01L, S 39
2SK3522-01 39
2SK3523-01R 39
2SK3524-01 40
2SK3525-01MR 40
2SK3526-01L, S 40
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2SK3529-01 40
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2SK3531-01 41
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2SK3534-01MR 41
2SK3535-01 38
2SK3537-01MR 37
2SK3549-01 41
2SK3550-01R 41
2SK3554-01 38
2SK3555-01MR 38
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2SK3580-01MR 38
2SK3581-01L, S 39
2SK3586-01 37
2SK3587-01MR 37
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2SK3589-01 37
2SK3590-01 37
2SK3591-01MR 37
2SK3592-01L, S 37
2SK3593-01 37
2SK3594-01 37
2SK3595-01MR 37
2SK3596-01L, S 37
2SK3597-01 37
2SK3598-01 37
2SK3599-01MR 37
2SK3600-01L, S 37
2SK3601-01 37
2SK3602-01 37
2SK3603-01MR 37
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2SK3605-01 37
2SK3606-01 37
2SK3607-01MR 37
2SK3608-01L, S 37
2SK3609-01 37
2SK3610-01 38
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2SK3647-01 37
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2SK3650-01L, S 37
2SK3651-01R 38
2SK3673-01MR 40
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YG852C15R 53
YG855C12R 52
YG855C15R 53
YG858C12R 52
YG858C15R 53
YG861S12R 51
YG861S15R 51
YG862C04R 51
YG862C06R 51
YG862C08R 51
YG862C10R 52
YG862C12R 52
YG862C15R 53
YG864S06R 51
YG865C04R 51
YG865C06R 51
YG865C08R 51
YG865C10R 52
YG865C12R 52
YG865C15R 53
YG868C04R 51
YG868C06R 51
YG868C08R 51
YG868C10R 52
YG868C12R 52
YG868C15R 53
YG869C04R 51
YG869C06R 51
YG869C08R 51
YG869C10R 52
YG869C12R 52
YG869C15R 53
YG872C10R 50
YG872C12R 50
YG872C15R 50
YG872C20R 50
YG875C10R 50
YG875C12R 50
YG875C15R 50
YG875C20R 50
YG878C10R 50
YG878C12R 50
YG878C15R 50
YG878C20R 50
YG881C02R 49
YG882C02R 49
YG885C02R 49
YG901C2R 56
YG901C3R 56
YG902C2R 56
YG902C3R 56
YG906C2R 56
YG906C3R 56
YG911S2R 56
YG911S3R 56
YG912S2R 56
YG951S6R 54
YG952C6R 54
YG952S6R 54
YG955C6R 54
YG971S6R 54
YG971S8R 54
YG972S6R 54
YG975C6R 54
YG981S6R 55
YG982C3R 57
YG982C4R 57
YG982C6R 55
YG982S6R 55
YG985C3R 57
YG985C4R 57
YG985C6R 55
82
保守移行機種 /Maintenance products
機種
Description
型式
Typenumber
パワー MOSFET
2SK1022
PowerMOSFET
2SK1023-01
2SK1081-01
2SK1082-01
2SK1101-01MR
2SK1102-01MR
2SK1212-01R
2SK1217-01R
2SK1384-01R
2SK1385-01R
2SK1503-01
2SK1504-01L,S
2SK1507-01MR
2SK1507A-01MR
2SK1512-01
2SK1512A-01
2SK1545-MR
2SK1549-R
2SK1818-MR
2SK1819-01MR
2SK1820-01L,S
2SK1876-01
2SK1937-01
2SK1938-01R
2SK1941-01R
2SK1943-01
2SK1944-01
2SK1945-01L,S
2SK1981-01
2SK1983-01
2SK1984-01MR
2SK1985-01MR
2SK2003-01MR
2SK2021-01
2SK2022-01MR
2SK2025-01
2SK2027-01
2SK2028-01MR
2SK2072-01L,S
2SK2079-01MR
2SK2082-01
2SK2098-01MR
2SK2100-01MR
2SK2101-01MR
2SK2147-01R
2SK2209-01R
2SK2213-01L,S
2SK2215-01L,S
2SK2255-01MR
2SK2257-01
2SK2272-01R
2SK2397-01MR
2SK2447-01
2SK2448-01
2SK2521-01
2SK2522-01MR
2SK2562-01R
2SK2638-01MR
2SK2640-01MR
2SK2642-01MR
2SK2644-01
2SK2645-01MR
2SK2646-01
2SK2648-01
2SK2649-01R
2SK2650-01
2SK2651-01MR
機種
Description
型式
Typenumber
パワーデバイス 7MBP100TEA060-50
PowerDevices 7MBP150RA060
7MBP150RA120
7MBP150RTB060
7MBP150RTJ060
7MBP150TEA060-50
7MBP200RA060
7MBP25RA120
7MBP25RJ120
7MBP25RU2A120
7MBP25TEA120-50
7MBP300RA060
7MBP50RA060
7MBP50RA120
7MBP50RJ120
7MBP50RTB060
7MBP50RTJ060
7MBP50RU2A120
7MBP50TEA060-50
7MBP50TEA120-50
7MBP75RA060
7MBP75RA120
7MBP75RJ120
7MBP75RTB060
7MBP75RTJ060
7MBP75RU2A120
7MBP75TEA060-50
7MBP75TEA120-50
7MBR100SB060
7MBR100SD060
7MBR10SA120
7MBR10SA140
7MBR10SC120
7MBR10UF120
7MBR15SA120
7MBR15SA140
7MBR15SC120
7MBR15UF060
7MBR15UF120
7MBR20SC060
7MBR20UF060
7MBR25SA120
7MBR25SA140
7MBR25SC120
7MBR30SA060
7MBR30SC060
7MBR30UF060
7MBR35SB120
7MBR35SB140
7MBR35SD120
7MBR50SA060
7MBR50SB060
7MBR50SB120
7MBR50SB140
7MBR50SC060
7MBR50SD120
7MBR75SB060
7MBR75SD060
パワー MOSFET
2SK1006-01MR
PowerMOSFET
2SK1007-01
2SK1008-01
2SK1009-01
2SK1010-01
2SK1018-01
2SK1019
2SK1020
2SK1021
・下記記載の機種は保守品移行機種です。
・新規設計には使用されないようお願いいたします。
・Models listed below are for maintenance products only.
・Do not use them for new designing
機種
Description
型式
Typenumber
パワーデバイス 1MBI600PX-120
PowerDevices 1MBI600PX-140
2MBI100PC-140
2MBI100SC-120
2MBI150PC-140
2MBI150SC-120
2MBI200PB-140
2MBI200S-120
2MBI300P-140
2MBI300S-120
2MBI50P-140
2MBI75P-140
6MBI100S-060
6MBI100S-120
6MBI100S-140
6MBI10S-120
6MBI15S-120
6MBI25S-120
6MBI35S-120
6MBI35S-140
6MBI50S-060
6MBI50S-120
6MBI50S-140
6MBI75S-060
6MBI75S-120
6MBI75S-140
6MBP100RA060
6MBP100RA120
6MBP100RTB060
6MBP100RTJ060
6MBP100TEA060-50
6MBP150RA060
6MBP150RA120
6MBP150RTB060
6MBP150RTJ060
6MBP150TEA060-50
6MBP15RA120
6MBP15RH060-50
6MBP200RA060
6MBP20RH060-50
6MBP20RTA060
6MBP25RA120
6MBP25RJ120
6MBP25RU2A120
6MBP25TEA120-50
6MBP300RA060
6MBP30RH060-50
6MBP50RA060
6MBP50RA120
6MBP50RJ120
6MBP50RTB060
6MBP50RTJ060
6MBP50RU2A120
6MBP50TEA060-50
6MBP50TEA120-50
6MBP75RA060
6MBP75RA120
6MBP75RJ120
6MBP75RTB060
6MBP75RTJ060
6MBP75RU2A120
6MBP75TEA060-50
6MBP75TEA120-50
7MBP100RA060
7MBP100RA120
7MBP100RTB060
7MBP100RTJ060
機種
Description
型式
Typenumber
パワー MOSFET
2SK2652-01
PowerMOSFET
2SK2653-01R
2SK2654-01
2SK2655-01R
2SK2694-01
2SK2695-01
2SK2696-01MR
2SK2754-01L,S
2SK2757-01
2SK2758-01L,S
2SK2761-01MR
2SK2765-01
2SK2766-01R
2SK2771-01R
2SK2827-01
2SK2849-01L,S
2SK2850-01
2SK2871-01
2SK2872-01MR
2SK2874-01L,S
2SK2875-01
2SK2876-01MR
2SK2879-01
2SK2908-01L,S
2SK3052-01L,S
2SK3216-01
2SK3217-01MR
2SK3218-01
2SK3219-01MR
2SK3264-01MR
2SK3303-01
2SK3338-01
2SK3339-01
2SK3340-01
2SK3341-01
2SK3382-01L,S
2SK3729-01L,S
2SK725
2SK725A
2SK727-01
2SK899
2SK900
2SK904
2SK947-MR
2SK951-01MR
2SK952-01
2SK955-01
2SK956-01
2SK957-MR
2SK958
2SK961
2SK962-01
FMW23N40
整流ダイオード
PA905C6R
RectifierDiodes
PH965C6
PH967C6
TS965C6R
TS967C6R
YA961S6R
YA962S6R
YA963S6R
YG912S6R
YG961S6R
YG962S6R
YG963S6R
YG965C6R
YG967C6R
83
・下記記載の機種は廃型機種です。
・新規設計には使用されないようお願いいたします。
・Models listed below are for discontinued products only.
・Do not use them for new designing
廃型機種 / Discontinued products
機種
Description
型式
Typenumber
機種
Description
型式
Typenumber
機種
Description
型式
Typenumber
パワーデバイス 1MBI150NH-060 集積回路 FA3675F-H1 IPS F5016H
PowerDevices 1MBI150NK-060 IntegratedCircuits FA7709R-H1
（
インテリジェントパワースイッチ
）
F5017H
1MBI200N-120 FA7716R-H4 IPS F5021H
1MBI200NH-060 FA7723R-H4 (
IntelligentPowerswitch
) F5022
1MBI200NK-060 FA7724R-H4 F5038H
1MBI300N-120 FA7724AR-H4
1MBI300NN-120 FA7728F-D1
1MBI300NP-120 FA7729R-H1
1MBI400N-120 FA7730F-D1
1MBI400NN-120 FA7731F-D1
1MBI400NP-120 FA7743N-D1
1MBI600NN-060
1MBI600NP-060 IGBT ドライブ用 EXB840
2MBI100N-060 ハイブリッド IC EXB841
2MBI100N-120 HybridICsfor
2MBI100NB-120 IGBTDrive
2MBI100NC-120
2MBI150N-060
2MBI150N-120
2MBI150NB-120
2MBI150NC-060
2MBI150NC-120
2MBI200N-060
2MBI200N-060-03
2MBI200N-120
2MBI200NB-120
2MBI200NB-120-01
2MBI300N-060
2MBI300N-060-04
2MBI300N-120
2MBI300N-120-01
2MBI300NB-060
2MBI300NB-060-01
2MBI400N-060
2MBI400N-060-01
2MBI50N-060
2MBI50N-120
2MBI600NT-060
2MBI75N-060
2MBI75N-120
4MBI75T-060
4MBI100T-060
4MBI150T-060
4MBI200T-060
84
お知らせ/Information
半導体グローバル Web サイトの立上げについて
2009年9月に「半導体グローバルWebサイト」を立ち上げました。世界の販売拠点のローカ
ルサイトを加えるとともに、弊社の半導体製品に関する新しい情報（新製品情報、弊社半導体
製品（廃型含む）の検索、展示会出展情報他）を世界中のお客様に一斉にご活用いただけるよ
う更に内容を充実させてまいります。
お客様におかれましては、広くご活用いただけますようお願い申し上げます。
半導体グローバルWebサイト
日本語：www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/
英語： www.fujielectric.com/products/semiconductor/
中国語：www.fujielectric.com.cn/products/semiconductor/
Launchofglobalsemiconductorwebsite
With the launch of our global semiconductor website in September 2009, this renewal
featured local sales sites being added to facilitate worldwide access, as well as providing
new information on our semiconductor products (new product data, a search function for
our semiconductor products (including discontinued components), and information about
exhibitions, etc.) for our customers all over the world.
We hope it will be of much use to our customers. Thank you.
Global semiconductor websites
Japanese: www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/
English: www.fujielectric.com/products/semiconductor/
Chinese: www.fujielectric.com.cn/products/semiconductor/
今後とも当社半導体製品の相変わりませずご愛顧と引き続き倍旧のご厚情を賜りたく、重ねて
お願い申し上げます。
We would like to thank you again in advance for your continued patronage and further support
for our semiconductor products.
1. このカタログの内容（製品の仕様、特性、データ、材料、構造など）は 2012 年 11 月現在のものです。
この内容は製品の仕様変更のため、または他の理由により事前の予告なく変更されることがあります。このカタログに記載されて
いる製品を使用される場合には、その製品の最新版の仕様書を入手して、データを確認してください。
2. 本カタログに記載してある応用例は、富士電機の半導体製品を使用した代表的な応用例を説明するものであり、本カタログによっ
て工業所有権、その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。
3. 富士電機（株）は絶えず製品の品質と信頼性の向上に努めています。しかし、半導体製品はある確率で故障する可能性があります。
富士電機の半導体製品の故障が、結果として人身事故，火災等による財産に対する損害や、社会的な損害を起こさぬように冗長設
計、延焼防止設計、誤動作防止設計など安全確保のための手段を講じてください。
4. 本カタログに記載している製品は、普通の信頼度が要求される下記のような電子機器や電気機器に使用されることを意図して造ら
れています。
・コンピュータ ・OA 機器  ・通信機器（端末）  ・計測機器 ・工作機械
・オーディオビジュアル機器  ・家庭用電気製品  ・パーソナル機器  ・産業用ロボット など 
5. 本カタログに記載の製品を、下記のような特に高い信頼度を持つ必要がある機器に使用をご予定のお客様は、事前に富士電機（株）
へ必ず連絡の上、了解を得てください。このカタログの製品をこれらの機器に使用するには、そこに組み込まれた富士電機の半導
体製品が故障しても、機器が誤動作しないように、バックアップ・システムなど、安全維持のための適切な手段を講じることが必
要です。
・輸送機器（車載、舶用など） ・幹線用通信機器 ・交通信号機器
・ガス漏れ検知及び遮断機 ・防災／防犯装置 ・安全確保のための各種装置     ・医療機器
6. 極めて高い信頼性を要求される下記のような機器及び戦略物資に該当する機器には、本カタログに記載の製品を使用しないでくだ
さい。
・宇宙機器     ・航空機搭載用機器     ・原子力制御機器     ・海底中継機器
7. 本カタログの一部または全部の転載複製については、文書による当社の承諾が必要です。
8. このカタログの内容にご不明の点がありましたら、製品を使用する前に富士電機（株）または、その販売店へ質問してください。
本注意書きの指示に従わないために生じたいかなる損害も富士電機（株）とその販売店は責任を負うものではありません。
ご注意
1. This Catalog contains the product specifi cations, characteristics, data, materials, and structures as of November 2012.
The contents are subject to change without notice for specifi cation changes or other reasons. When using a product listed in this Catalog, be sure to
obtain the latest specifi cations.
2. All applications described in this Catalog exemplify the use of Fuji's products for your reference only. No right or license, either express or implied,
under any patent, copyright, trade secret or other intellectual property right owned by Fuji Electric Co., Ltd. is (or shall be deemed) granted. Fuji
Electric Co., Ltd. makes no representation or warranty, whether express or implied, relating to the infringement or alleged infringement of other's
intellectual property rights which may arise from the use of the applications described herein.
3. Although Fuji Electric Co., Ltd. is enhancing product quality and reliability, a small percentage of semiconductor products may become faulty. When
using Fuji Electric semiconductor products in your equipment, you are requested to take adequate safety measures to prevent the equipment
from causing a physical injury, fi re, or other problem if any of the products become faulty. It is recommended to make your design fail-safe, fl ame
retardant, and free of malfunction.
4. The products introduced in this Catalog are intended for use in the following electronic and electrical equipment which has normal reliability
requirements.
• Computers • OA equipment • Communications equipment (terminal devices) •
Measurement equipment
• Machine tools • Audiovisual equipment • Electrical home appliances • Personal equipment • Industrial robots etc.
5. If you need to use a product in this Catalog for equipment requiring higher reliability than normal, such as for the equipment listed below, it is
imperative to contact Fuji Electric Co., Ltd. to obtain prior approval. When using these products for such equipment, take adequate measures such
as a backup system to prevent the equipment from malfunctioning even if a Fuji's product incorporated in the equipment becomes faulty.
• Transportation equipment (mounted on cars and ships) • Trunk communications equipment
• Traffi c-signal control equipment • Gas leakage detectors with an auto-shut-off feature
• Emergency equipment for responding to disasters and anti-burglary devices • Safety devices
• Medical equipment
6. Do not use products in this Catalog for the equipment requiring strict reliability such as the following and equivalents to strategic equipment (without
limitation).
• Space equipment • Aeronautic equipment • Nuclear control equipment
• Submarine repeater equipment
7. Copyright ©1996-2012 by Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved.
No part of this Catalog may be reproduced in any form or by any means without the express permission of Fuji Electric Co., Ltd.
8. If you have any question about any portion in this Catalog, ask Fuji Electric Co., Ltd. or its sales agents before using the product.
Neither Fuji Electric Co., Ltd. nor its agents shall be liable for any injury caused by any use of the products not in accordance with instructions set
forth herein.
WARNING
85/KWWSZZZIXMLHOHFWULFFRMSSURGXFWVVHPLFRQGXFWRU
本社（営業本部） ☎
（03）5435
‑
7156
〒
141
‑
0032
 東京都品川区大崎1‑11‑2（ゲートシティ大崎イーストタワー）
中部支社 ☎
（052）746
‑
1023
〒
460
‑
0007
 愛知県名古屋市中区新栄1‑5‑8（広小路アクアプレイス）
関西支社 ☎
（06）6455
‑
3871
〒
553
‑
0002
 大阪府大阪市福島区鷺洲1‑11‑19（富士電機大阪ビル）
●特約店
輸出に関してのお願い：本品のうちで，戦略物資(または役務)に該当するものを輸出される場合は，
           外国為替および外国貿易管理法に基づく輸出許可が必要です。
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