T60404-N4644-X400 - Vacuumschmelze

VACUUMSCHMELZE

DATENBLATT / Specification

Sach Nr.:

Item no.: T60404-N4644-X400

K-Nr.:

K-no.: 22279 30 A - Stromsensor Modul / Current Sensor Module Datum:

Date: 27.10.2009

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Maßbild siehe Blatt 2 :

Mechanical outlines page 2

Anschlußschema:

Schematic diagram

+ UB

- UB

i1+

-Ra

5...8

1...4

Betriebsdaten/Charakteristische Daten (Richtwerte):

Operational data/characteristic data (nominal values):

Nennstrom i

1Neff = 3...31 A

Rated current

Nennausgangsstrom i

aNeff = 1,5...15,5 mA

Output current

Nennübersetzungsverhältnis K

= 1...4 : 2000

Transformation ratio

Überstrom (Ra <20 Ω)) I

1max = ±92 A

Over current (Ra < 20 Ω )

Versorgungsstrom im Leerlauf I

Bo < 18 mA

supply current

Versorgungsspannung U

= ± 15 V ±5%

Supply voltage

Maximale Versorgungsspannung (ohne Fkt.) U

Btot = ±18 V

Maximum supply voltage (without function)

Innenwiderstand R

< 220 Ω

Interal resistance

Abschlußwiderstandsbereich R

= 20...250 Ω

Load resistance

Umgebungstemperatur T

= -40...+85 °C

Ambient temperature

Maximum Ratings:

Maximum Ambient Temperature: 50 60 70 85 °C

Maximum RMS-Current: 54 50 40 31 A

Maximum Peak-Current: 92 92 92 92 A

Output Resistor 20 20 20 20 Ω

(all primary current bars in parallel)

Weitere Vorschriften:

Applicable documents: Gehäuse- und Spulenkörperwerkstoff UL-gelistet.

Housing and bobbin material UL-listed

Datum Name Index Änderung

27.10.09 Le 81 Anschlußfeld Seite 2: Stiftabmessung für Stifte 9-11 von 0,5x1,0 korrigiert in 0,7x0,6mm. Schreibfehler.

30.08.04 Bd. 81 Umgebungstemperatur: Unterer Grenzwert von -10 auf -40 korrigiert. Lapidaränderung.

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Maßbild (mm): Freimaßtoleranz DIN ISO 2768-c

Mechanical outline General tolerances

F DC

18,0 7,62

4,5 2,54

14,5 11,4

7,0 3,85 1,95

3,5 0,5

25,2

3,5±0,5

Toleranz der Stiftabstände

±0,3mm

(Tolerances grid distance)

DC=Date Code

F=Factory

2,77 2x2,54

91110

0,7x0,6 Ø1,0

Prüfung: (V: 100%-Test; AQL...: DIN ISO 2859-Teil1)

Inspection

1) (V) Ausgangsstrom (Ra =100 Ω) i

(20 A) = 10 mA ± 0,5 %

Output current (Ra = 100 Ω)

2) (V) Offsetstrom I

≤ 0,05 mA

Offset current

3) (V) M3014*: U

p,eff = 4 kV, 1 s

*Die Spannungsfestigkeit gilt am separaten Bauelement zwischen den Stiften 1...8 und den Stiften 9...11.

The dielectric strength is valid between pin 1...8 and pin 9...11.

Messungen nach Temperaturangleich der Prüflinge an Raumtemperatur

Measurements after temperature balance of the samples at room temperature

Anschlüsse:

Connections:

1...8: ∅ 1 mm

9...11: 0,7x0,6 mm

4644X400

F DC

Beschriftung:

marking

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N,1

Wdg.

AAmAOhm% %

Beschaltung

connection

i 1,RMS i a,RMSf K NR aF ges F ges

(i 1RMS)(

1RMS/2)

1 : 2000

2 : 2000

4 : 2000

1,5

Connections variants N4644-X400

Î1

Maximal meßbarer Strom î1 (Ra)

Maximum measurable current î1(Ra)

40,0

50,0

60,0

70,0

80,0

90,0

100,0

0,020,040,060,080,0100,0120,0140,0160,0180,0200,0220,0240,0

Ohm Ra

î1

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Charakteristische Daten (Richtwerte) des Stromsensormoduls ermittelt durch eine Typprüfung

General data ascertained by type test

Meßgenauigkeit bei Raumtemperatur F

< 0,5 %

Measuring accuracy at room temperatur

Linearität F

Li < 0,1 %

Linearity

Temperaturdrift von Fi (-40...+70°C) F

Ti < 0,1 %

Temperature drift of Fi (-40...+70°C)

Frequenzbereich (bei eingeschränkter Amplitude) f = DC...100 kHz

Frequency range (with limited amplitude)

Ansprechzeit τ < 1 µs

Response time

Verzögerungszeit bei î1max bei einem Stromanstieg von di/dt = 100 A/µs ∆t (î1max, 100 A/µs) < 1 µs

Delay time at î1max with a current rise of di/dt = 100 A/µs

Offsetstrom (beinhaltend Io, ∆Iot, ∆IoT) I

oges < 0,1 mA

Offset current (including Io, ∆Iot, ∆IoT)

Offsetstrom bei Raumtemperatur I

< 0,05 mA

Offset current at room temperature

Drift von Io ∆I

ot < 0,05 mA

Offset current drift

Temperaturdrift von Io (-40...+70°C) ∆I

oT < 0,05 mA

Offset current temperature drift (-40...+70°C)

Hysterese von Io ∆I

oH < 0,05 mA

Hysteresis of Io

Offsetripple (s.Blatt 5) i

oss < 3 mA

Offset ripple (s. page 5)

Versorgungsspannungsdurchgriff auf Io ∆I

/∆U

B < 0,01 mA/V

Supply voltage rejection ratio

Maximal mögliche Koppelkapazität primär - sekundär C

< 5 pF

(bei nichtisoliertem das Innenloch voll ausfüllendem Primärleiter)

Maxiimum possibble coupling capacitance (primary - secondary)

(with not isolated the the hole completely filling primary conductor

Lagertemperaturbereich T

= -40 ... +70°C

Storage temperature range

Masse m < 15 g

Masse

Spannungsfestigkeit (gültig nach EN 50178 VDE0160, für Isolierklasse I,

Verschmutzungsgrad 2 und verstärkte Isolierung)

Dielectric strength (with EN 50178 VDE0160: material group I, pollution degree 2, reinforced insolution)

Anwendungsklasse nach EN 60721 5K3

(Applicability tested by IEC 68-2-30: test Db)

Stromrichtung: Ein positiver Meßstrom erscheint am Anschluß ia, wenn der Primärstrom in Pfeilrichtung fließt.

Current direction: A positiv output current appears at point ia by primary current in direction of the arrow.

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Weitere Vorschriften:

Applicable documents:

Konstruiert, gefertigt und geprüft nach VDE0160 EN 50178 und erfüllt die Vorschriften.

Parameter: Verstärkte Isolierung: Pin1...Pin8 gegen Pin9...Pin11 Verschmutzungsgrad 2

Bemessungsisolationsspannung UDC = 1 kV Isolierstoffklasse 1

Constructed, manufactured and tested in accordance with VDE0160 EN 50178 and agrees with the standards.

Parameters: Reinforced insulation Pin1...Pin8 to Pin9...Pin11 Pollution degree 2

Rated insulation voltage UDC = 1 kV Insulation material group 1

Gehäuse, Spulenkörperwerkstoff und Gießharz UL gelistet

Housing, bobbin material and casting resin UL-listed.

Typprüfung:

Type test

1) Stoßspannungsprüfung in Anlehnung an M3064

HV transient test according to M3064

Pin1...Pin8 gegen Pin9...Pin11

Pin1...Pin8 to Pin9...Pin11

Einstellwerte: 1,2 µs / 50 µs-Kurvenform (waveform)

Settings U

P,max = 9 kV

= 60 Ω

10 Impulse im Abstand t = 10 Sekunden mit wechselnder Polarität

10 pulses in a cycle of t = 10 seconds with changing polarity

2) M3024: U

p,eff = 4 kV, 60 s, Pin1...Pin8 gegen Pin9...Pin11

Pin1...Pin8 to Pin9...Pin11

TA,eff ≥ 750 V

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Mögliche Offsettripple-Verringerung durch Tiefpaß:

Avariable offset ripple reduction means of a low pass:

Der Offsettripple kann durch einen externen Tiefpaß verringert werden . Dazu muß parallel zu Ra eine Kapazität Ca geschaltet

werden. Die Abbildung zeigt den verbleibenden Wert des Offsetripples (ioss(Ra . Ca)) bezogen auf den Wert ohne externe Kapazität

(ioss). Hierbei wird allerdings die Ansprechzeit verlängert. Sie berechnet sich nach der Formel:

The offset ripple can be reduced by an external low pass. Therefore a capacitance Ca must be switched parallel to Ra. The diagram shows the

remaining value

of the offset ripple (ioss(Ra . Ca)) relative to the value without external capacitance (ioss). In this case the response time is lengthened. It is calculated

from:

≤ τ + 2,5 . Ra . Ca bzw. fg = --------------------

2π . Ra . Ca

Beispiel: ioss (Ra . Ca)

Example: -------------------- = 10%

ioss

= 100 Ω; C

= 27 nF

≤ 6,8 µs; f

= 17 kHz

1.0

10.0

100.0

0.1110100

Ra*Ca

[us]

Ioss(Ra*Ca)

Ioss

[%]

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Erläuterung einiger in den Tabellen verwendeter Größen (alphabetisch)

Explanation of several of the terms used in the tablets (in alphabetical order)

aKrit: Abstand eines störstromführenden Leiters von der Gehäuseseitenflaäche, bei dem auch an ungünstiger Stelle die

zugeordnete Störgröße am Ausgang des Sensos 1% des Nennstroms nicht übersteigt. Den Angaben liegt ein sinusförmiger

Störimpuls mit einer Impulsbeite von 50 µs in Höhe des Nennstroms zugrunde.

Distance of a current carring conductor from the sides of the housing, where even at the most unfavourable spot the

applicable interference at the sensor output does not exeed 1% of rated current. The data is based on a sinusoidal interference pulse

current with a pulse

width of 50 µs having the same magnitude as the rated current.

Fges(i1): Die Summe aller möglichen Fehler im gesamten Temperaturbereich bei der Messung eines Stroms i1:

The sum of all possible errors over the temperature range when measuring a current i1:

 ia (i1) 

ges = 100 .•  ---------------- - 1 

 KN . i1 

Fi: In der Ausgangsprüfung zugelassener Meßfehler bei RT, definiert durch

Permissible measurement error in the final inspection at RT, defined by

 Ia 

= 100 • ----------- - 1 

 iaNeff 

wobei Ian der offsetbereinigte Ausgangsgleichstromwert für einen Eingangsgleichstrom in Höhe des (positiven)

Nennstroms ist (d.h. Io = 0 )

where Ian is the output DC value of an input DC current of the same magnitude as the (positive) rated current (Io = 0)

 I1 Ia 

FLi: Linearitätsfehler definiert durch FLi = 100 • --------- - --------- 

Linearity fault defined by  I1Neff Ian 

Dabei ist I1 beliebiger Eingangsgleichstrom und Ia die zugehörige offsetbereinigte Ausgangsgröße (d.h. Io = 0). Ian

s. Erläuterung zu Fi.

Where I1 is any input DC and Ia the corresponding output term. Ian see notes of Fi (Io = 0).

FTi: Temperaturdrift der nennwertbezogene Ausgangsgrößen Ian (vgl. Erläuterung zu Fi) im spezifischen Temperaturbereich,

gegeben durch.

Temperatur drift of the rated value orientated output term. Ian (cf. Notes on Fi) in a specified temperature range, obtained by:

 I

an (TU2 ) - Ian (TU1) 

Ti = 100 •. ------------------------------------- 

 iaNeff 

IaSt: Ausgangsgleichstrom hervorgerufen durch einen Störgleichstrom in Höhe des Nennstroms in einem Leiter in 1 cm

Abstand von der Gehäuseseitenfläche (ungünstige Lage).

Output DC current caused by an interfering DC current of the same magnitude as the rated current in a conductor 1 cm away from the

sides of the housing (unfavourable position).

∆IoH: Nullpunktabweichung nach Übersteuerung mit Gleichstrom des 4-fachen Nennwerts. (Ra = RaN)

Zero variaton after overloading with a DC of fourfold the rated value. (Ra = RaN)

∆Iot: Langzeitdrift von Io nach 100 Temperaturwechseln im Bereich von -40 bis 85 °C.

Long term drift of Io after 100 temperature cycles in the range -40 to 85 °C.

τ: Ansprechzeit, gemessen als Verzögerungszeit bei i1 = 0,9 . î1 zwischen einem eingespeisten Rechteckstrom und dem

dazugehörigen Ausgangsstrom.

Response time, measured as delay time at i1 = 0,9 . î1 between a rectangular current i1 and the output current ia

∆t (î1max, 100 A/µs): Verzögerungszeit zwischen î1max und dem dazugehörigen Ausgangsstrom ia bei einem Stromanstig des

Primärstroms von di1/dt = 100 A/µs.

Delay time between î1max and the output current ia with a primary current rise of di1/dt = 100 A/µs.