IN 2 THOMSON-CSF general purpose and switching diode selector guide guide de slection diodes de commutation et usage gnral Case Foy am IF(AV) Vriv) 50...90 mA 10 25 1N 456 30 35 1N 457 100...150 mA 200...225 mA 400 mA 1N 456A BAY 41 | BAY 44 1N 457A 70 7 1N 483 B BAW 21A (3) BAW 21 B (3) | BAX.12.(3) 100 BAY 73 BAY 72. BAVI9. | 125 1N 458 A 1N 3595 (2) 130 1N 484 IN 484A 150 BAY 45 BAX 16 " B AV 20: 175 200 BAX 17 BAV21 | 240 300 BAY 46 IN 456 t,,>300 ns BAX 12 tp, = 15...120ns t,<6ns (1): (2) Ultra fast diode t,, <0,75 ns C<0,8 pF * Diode ultra rapide typ < 0,75 ns C<0,8 pF . Very low leakage diode * Diode a faible courant de fuite in< 1nA@Vp = 125V _ Controlled avalanche diode. DO 35 case (CB-102) * Diode a avalanche controle, DO 35 boitier (CB-102) _ DO 34 case (CB-104) * DO 34 boitier (CB-104) (3) (4) 77 e | e e | d e silicon signal diodes sr diodes de signal au silicium THOMSON-CSF Type Vr-Vam lo | Ve / lg IR / Vr in / Vr c tr / Ig Case max max {max max max max | max (Vv) (mA) ] (V) (mA) | (nA) (V) | GA) {v) (pF) [us ) (mA) low leakage Tamb = 25C faible courant de fuite 1N 458A 125 5 1N 3595 125 8 3 10 1N 3595 E 1 125 8 3 10 1N 3595 E2 125 8 3 10 1N 3595 E3 425 8 3 10 DO 7* 1N 3595 S 125 8 3 10 (CB-26} * Available on request in CB-127 case. Designation ; 1N...DHD or BA...DHD. * Livrable sur demande en boitier CB-127. Appellation commerciale : 1N...DHD ou BA...DHD. Type Vr-Vaw | Jt | Warm | Ve / te Ip /VrRi Cc ter / Ig Case max max [| max max max | max Vv) tmA)] (mJ) (V) (mA) ] (nA) (V) | (pF) | ins) = (mA) switching (avalanche types) Tamb = 25C commutation (types a avalanche) BAW21A 5 (125 400 | 100 70435 | 300 30 BAW 21B 5 1,25 400 100 90 | 35 300 30 AABAX 12 5 1,25 400 100 90 |. 35 50 30 @ABAX 14 1,1 300 100 20 | 35 50 30 DO 35 Devices under CCO/CCT _ Devices under CCQ/CECC (CB-102) * Dispositits soumis au CCQ/CCT * Dispositifs soumis au CCQ/CECC Type Va-Vam {| lo Ve / le | In Vr] tr / VR I C [ter / JF Case Tamb 150C max max | max max max max | max (v) (mA) | (V) (mA) (nA) (V) | GA) (V) | (pF) | (ns) | (mA) high current switching Tamb = 25C commutation fort courant Pee 1N 3600 1 200 100 50 7100 50 2,5 BAY 41 1 200 75000 40 | 30 40 5 BAY 42 1 200 $5000 60 | 30(2) 60 5 . BAY 74 1,1 300] 100 35 |100 = 35s 3 (c8-26) SFD 79 1,1 10 11000 25 } 50 (2) 10 4 41N 4150 1 200 | 100 50 4100 50 2,5 37 DPS 1,1. 400 100 60 4100 (2) 60 3 BAW 55 1 200 100 60 4 (I * Available on request in CB-127 case. CB-127 F _ Devices under CCO/CECC - Designation : 1N...DHD or BA..,DHD. = * Di tif is CCOQ/CECC *Livrable sur demande en boitier CB-127. (2) Tamb = 100C SPOS SOUS Appellation commerciale : 1N...DHD ou BA...DHD. 80