a NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORS NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAUX Compl. of BC 327, BC 328 *BC 337 BC 338 The 8C 337 and BC 338 transistors are intended for a wide variety of medium power AF amplifier: and switching application ; they are particulary useful as deflexion stage driver, AF output am- lifier up to 2 W, driver in Hi Fi amplifier. hey are available as matched pair togheter with Rese? complementary types BC 327 and Les transistors BC 337 et BC 338 sont destinds aux usa- ges gnraux & niveau moyen dans le domaine de Iam- blification basse frquence et de la commutation, notamment ; driver dtage de balayage, driver dampli HI Fi, tage de sortie BF jusqu 2 W. Leurs compimentaires PNP sont les BC 327 et BC 328 avec lesquels iis peuvent 6tre apparis. | i 3K Preferred device Dispositif recommand Vv 45V BC 337 CEO 25V BC 338 lom 1,2A hog (100 mA) 100... 630 fy 200 MHz Maximum power dissipation Plastic case F 139 B See outline drawing CB-76 on last pages Dissipation de puissance maximale Boltier plastique Voir dessin cot CB-76 dernires pages Prot {w) Vue de dessous 0,6 mA Bottom view Load (1)Without heat sink 0.4 Ne) Sans radi c E t (2)See note page 3 B a) Voir note page 3 0,2 I | } Weight : 0,3 g. o 50 1000 180 (Pe) Masse ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T. =+25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES . D'UTILISATION amb (Sauf indications contraires} BC 337 BC 338 Collector-emitter volta Tension collecteur-metterr Vceo 45 25 v 2ollector-emitter voltage Tension collecteur-metteur Voces 50 30 v Emitter-base voltage Tension metteur-base VeBoO 5 5 Vv Collector current Courant collecteur lc 800 800 mA Peak collector current Courant de crte de coflecteur lom 1,2 1,2 A Base current Courant base 'p 100 100 mA Power dissipation See note page 3 Pp 500 500 mW Dissipation de puissance Voir note page 3 tot 625* 625* mw Junction temperature Temprature de jonction max. Tj 150 150 C Storage temperature min. T 65 65 C Temprature de stockage max. stg +180 +150 c 75-51 146 THOMSON.CSE 385 BC 337, BC 338 STATIC CHARACTERISTICS Tamb = 25C (Uniess otherwise stated) CARACTERISTIQUES STA TIQUES am (Seut indications contrsires] i __ Test conditions r Conditions de mesure f Min. Typ- Max. a= _ BC 337 100 nA Collector-emitter cut-off current Courant rsiduel collecteur-metteur Ices BC 338 nA BC 337 Vv Io = 100 pA v Ig = (BRICES BC 338 Vv Collector-emitter breakdown voltage Tension de claquage coliecteur-metteur BC 337 45 Vv V(BRICEO BC 338 25 Vv __ Collector-emitter saturation voltage Io = 500 mA Tension de saturation collecteur-metteur ip = 50 mA VcEsat 0,7 Vv _ Base-emitter voltage VcE= iv Tension base-metteur le = 300 mA __ Vce= 1vV Io = 100 mA Static forward current transfer ratio Valeur statique du rapport de transfert direct du courant 2/5 386 BC 337, BC 338 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) (Unless otherwise stated} CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) (Sauf indications contraires} Test conditions i . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vce= 5V Transition frequency Io = 10mA fr 200 MHz c - rquence de transition f = 100 MHz ) it Vog= 10V utput capacitance c. Dapacit de sortie le =0 22b 5 pF f =1MHz THERMAL CHARACTERISTICS *ARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermal resistance . Rsistance thermique (jonction-ambiante) Renii-a) 250 c/w Junction-ambient thermal resistance ok , Rsistance thermique (jonction-smbiants) Rehij-a) 200 c/w *When the transistor is mounted on a printed board with 3 mm connection and collector wire connected to a 1 cm2 copper area. Lorsque /e transistor est mont sur circuit imprim avec une longueur de connexion de 3 mm et une surface cuivre de 1 cm2 runie & la connexion collecteur, 3/5 387 BC 337, BC 338 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES hoe 320 240 160 80 4i5 388 BC 337, BC 338 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES City '22b (pF) (pF) 6 6 4 4 2 2 10! 10! 8 8 6 6 4 4 2 2 10 10 68 2 628 2 4 68 2 4 68 2 4a 10"! 10 Vegiv) 10 10" Vegt) fr {MHz} 200 150 100 50 0 1 8 10 Ig ima) 5/5 389