P4SMA220 ... P4SMA550CA
P4SMA220 ... P4SMA550CA
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden
PPPM = 400W
PM(AV) = 1.0 W
Tjmax = 150°C
VWM = 175 ... 495 V
VBR = 220 ... 550 V
Version 2016-05-31
~ SMA / ~ DO-214AC
Dimensions - Maße [mm]
Type Code = VBR. Cathode mark
only at unidirectional types
Typ-Code = VBR. Kathoden-Markierung
nur bei unidirektionalen Typen
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
Freilauf-Dioden
Standardausführung 1)
Features
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 400 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Further available: P4SMAJ5.0...170CA
having VVM = 5.0 ... 170 V
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
400 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Auch erhältlich: P4SMAJ5.0...170CA
mit VWM = 5.0 ... 170 V
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 7500 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.07 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
TA = 25°C PPPM 400 W 3)
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb TT = 75°C PM(AV) 1 W
Peak forward surge current (half sine) – Stoßstrom (Sinushalbw.) 60 Hz TA = 25°C IFSM 40 A 4)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics Kennwerte
Max. instantaneous forward
voltageAugenblickswert der Durchlass-Spannung
IF = 25 A VBR ≤ 550 V VF< 3.5 V 4)
Thermal resistance junction to ambien –Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthA
RthT
< 70 K/W 5)
< 30 K/W
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
4 Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
5 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
Type
Typ
0.15 1
± 0.3
4.5± 0.3
1.5
±0.1 2.1± 0.2
2.2± 0.2
5± 0.2
2.7 0.2±
P4SMA220 ... P4SMA550CA
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Type
Typ
Breakdown voltage at IT = 1 mA
Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA
Stand-off
voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei VWM
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei IPPM (10/1000 µs)
unidirectional bidirectional VBR [V] VWM [V] ID [µA] VC [V] IPPM [A]
P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA VWM = 5.0 ... 170V
P4SMA220 P4SMA220C 220 ± 10% 198...242 175 5 344 1.2
P4SMA220A P4SMA220CA 220 ± 5% 209...231 185 5 328 1.2
P4SMA250 P4SMA250C 250 ± 10% 225...275 202 5 360 1.1
P4SMA250A P4SMA250CA 250 ± 5% 237...263 214 5 344 1.2
P4SMA300 P4SMA300C 300 ± 10% 270...330 243 5 430 0.93
P4SMA300A P4SMA300CA 300 ± 5% 285...315 256 5 414 0.97
P4SMA350 P4SMA350C 350 ± 10% 315...385 284 5 504 0.79
P4SMA350A P4SMA350CA 350 ± 5% 332...368 300 5 482 0.83
P4SMA400 P4SMA400C 400 ± 10% 360...440 324 5 574 0.70
P4SMA400A P4SMA400CA 400 ± 5% 380...420 342 5 548 0.73
P4SMA440 P4SMA440C 440 ± 10% 396...484 356 5 631 0.63
P4SMA440A P4SMA440CA 440 ± 5% 418...462 376 5 602 0.66
P4SMA480 P4SMA480C 480 ± 10% 432...528 388 5 686 0.58
P4SMA480A P4SMA480CA 480 ± 5% 456...504 408 5 658 0.61
P4SMA530 P4SMA530C 530 ± 10% 477...583 429 5 764 0.52
P4SMA530A P4SMA530CA 530 ± 5% 503...556 477 5 729 0.55
P4SMA550 P4SMA550C 550 ± 10% 495...605 445 5 793 0.50
P4SMA550A P4SMA550CA 550 ± 5% 522...577 495 5 760 0.53
TVS diodes having stand-off voltage VWM = 5.0 ... 170 V:
please refer to datasheet P4SMAJ65
TVS-Dioden mit Sperrspannung VWM = 5.0 ... 170 V:
siehe Datenblatt P4SMAJ65
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
P4SMA220 ... P4SMA550CA
1
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
PP
[°C]T
A
150100
50
0
I
PP
Peak pulse power/current vs. ambient temperature )
Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp. )
1
1
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
I
PP
P
PP
100
80
60
40
20
00 t 1 2 3 4[ms]
[%]
t
P
I /2
PPM
P /2
PPM
t = 10 µs
r
10
10
1
0.1
2
P
PP
0.1µs t 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms
P
[kW]
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
[pF]
[V]
C
j
V
Z
unidir.
bidir.
V = 4 V
R
Junction capacitance vs. breakdown voltage (typ.)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Abbruchspg. (typ.)
