GBS4A ... GBS4M
GBS4A ... GBS4M
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2012-10-08
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current – Nennstrom 4 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
19 x 10 x 3.5 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca. 1.3 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
GBS4A 35 50
GBS4B 70 100
GBS4D 140 200
GBS4G 280 400
GBS4J 420 600
GBS4K 560 800
GBS4M 700 1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 16 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 80/90 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 32 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig
2 Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Typ
~ ~
+_
1
0.8
8.7 10
5 5
5
1.2
19
=
=
0.25
3.5
GBS4A ... GBS4M
Characteristics Kennwerte
Max. rectified current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
TA = 50°C R-load
C-load
IFAV
IFAV
2.3 A 1)
1.8 A 1)
Max. rectified current with cooling fin 300 cm2
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
TA = 50°C R-load
C-load
IFAV
IFAV
4 A
3.2 A
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 2 A VF< 1.05 V 2)
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR< 5 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 40 K/W
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC < 12 K/W
1 Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
2 Valid for one branch − Gültig für einen Brückenzweig
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
I
FAV
[%]
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 0.8 1.0 1.2 1.4 1.8
[V]
V
F
T = 25°C
j
T = 125°C
j
90a-(2a-1.05v)
